一种应用于电源管理芯片的欠压保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于电源管理芯片的欠压保护电路，包括钳位采集模块、比较器、施密特触发器和反馈模块；钳位采集模块与比较器的第一输入端连接，用于对输入电压信号进行钳位并将采集的电压信号发给比较器；比较器的输出端经施密特触发器分别与后级电路和反馈模块的输入端连接，用于通过施密特触发器稳定比较器的输出端的输出电压信号并分别发送给后级电路和反馈模块；反馈模块与比较器的第二输入端连接，用于根据输出电压信号进行切换控制不同电压的第一基准电压或第二基准电压与比较器的第二输入端连接。本发明专利技术电路简单，能对后级电路起到欠压保护作用，避免因输入电源波动而反复影响后级电子模块，欠压保护电路的工作稳定性高。稳定性高。稳定性高。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于电源管理芯片的欠压保护电路


[0001]本专利技术涉及电源管理电路
，尤其涉及一种应用于电源管理芯片的欠压保护电路。

技术介绍

[0002]随着科技不断发展，各类电子电气设备深入人们的工作和生活当中，而稳定的工作电源是保证电子电气设备可靠工作的重要条件。当供电电源模块或者电网出现异常时，也会导致相对应产品或者电路工作出现异常，尤其在最小工作电源电压值情况下，模块电路和工作芯片都可能不会稳定运行，导致电路或芯片逻辑控制不正常、数据处理不正确等问题，这些问题都会给设备运行的现场带来较严重的损失。如电网中的继电保护装置误动或拒动，引起范围更广的电网故障等，而且一些芯片或电子模块工作在较低的电源电压值的工作环境中，会对芯片或电子模块造成不良的影响，甚至会影响其使用寿命。因此，亟需一种能够在输入电源电压较低时输出相应信号以使电源管理芯片系统关断所需保护的电子模块且避免因电源波动而反复关断所需保护的电子模块的应用于电源管理芯片的欠压保护电路。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种电路简单且应用于电源管理芯片的欠压保护电路，能实现对后级电路起到欠压保护作用，避免因输入电源波动而反复影响后级电子模块，提高欠压保护电路的工作稳定性，从而减少电子模块的不良影响，提高电子模块的使用寿命。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种应用于电源管理芯片的欠压保护电路，包括钳位采集模块、比较器、施密特触发器和反馈模块；钳位采集模块与比较器的第一输入端连接，用于对输入电压信号进行钳位并将采集的电压信号发给比较器；比较器的输出端经施密特触发器分别与后级电路和反馈模块的输入端连接，用于通过施密特触发器稳定比较器的输出端的输出电压信号并分别发送给后级电路和反馈模块；反馈模块与比较器的第二输入端连接，用于根据输出电压信号进行切换控制不同电压的第一基准电压或第二基准电压与比较器的第二输入端连接。
[0005]作为上述方案的改进，反馈模块包括SR锁存器、反相器和选通模块；反相器与施密特触发器的输出端连接，用于将输出电压信号进行转换并输出反相输出电压信号；SR锁存器的输入端分别与施密特触发器的输出端和反相器的输出端连接，用于接收并锁存输出电压信号和反相输出电压信号；SR锁存器的输出端分别与选通模块连接，用于分别输出锁存的输出电压信号和反相输出电压信号给选通模块，以保持控制选通模块切换控制不同电压的第一基准电压或第二基准电压与比较器的第二输入端连接。
[0006]作为上述方案的改进，选通电路包括第一开关模块和第二开关模块；第一开关模块分别与比较器的第二输入端和第一基准电压连接，用于控制比较器的第二输入端与第一
基准电压之间的通断状态；第二开关模块分别与比较器的第二输入端和第二基准电压连接，用于控制比较器的第二输入端与第二基准电压之间的通断状态；SR锁存器的输出端分别与第一开关模块的控制端和第二开关模块的控制端连接，用于输出锁存的输出电压信号和反相输出电压信号来分别控制第一开关模块和第二开关模块工作。
[0007]作为上述方案的改进，第一开关模块包括第一NMOS管和第一PMOS管；第一NMOS管的源极分别与第一PMOS管的漏极和第一基准电压连接，第一NMOS管的漏极分别与第一PMOS管的源极和比较器的第二输入端连接；SR锁存器的第一输出端与第一PMOS管的栅极连接，用于输出锁存的输出电压信号来控制第一PMOS管的通断状态；SR锁存器的第二输出端与第一NMOS管的栅极连接，用于输出锁存的反相输出电压信号来控制第一NMOS管的通断状态。
[0008]作为上述方案的改进，第二开关模块包括第二NMOS管和第二PMOS管；第二NMOS管的源极分别与第二PMOS管的漏极和第二基准电压连接，第二NMOS管的漏极分别与第二PMOS管的源极和比较器的第二输入端连接；SR锁存器的第一输出端与第二NMOS管的栅极连接，用于输出锁存的输出电压信号来控制第二NMOS管的通断状态；SR锁存器的第二输出端与第二PMOS管的栅极连接，用于输出锁存的反相输出电压信号来控制第二PMOS管的通断状态。
[0009]作为上述方案的改进，第一基准电压大于第二基准电压。
[0010]作为上述方案的改进，还包括缓冲器；施密特触发器经缓冲器分别与后级电路、反相器的输入端和SR锁存器的相应输入端连接。
[0011]作为上述方案的改进，钳位采集模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一电阻和第二电阻；第三PMOS管的源极与输入电压信号连接，第三PMOS管的栅极与其漏极连接，第三PMOS管的漏极依次经第一电阻和第二电阻与第四PMOS管的源极连接；第四PMOS管的栅极与其漏极连接，第四PMOS管的漏极接地；第一电阻和第二电阻之间的分压点与比较器的第一输入端连接。
[0012]作为上述方案的改进，比较器包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管；第三NMOS管的栅极作为比较器的第一输入端，第三NMOS管的源极分别与第四NMOS管的源极和第五NMOS管的漏极连接，第三NMOS管的漏极分别与第五PMOS管的漏极、第五PMOS管的栅极和第六PMOS管的栅极连接；第四NMOS管的栅极作为比较器的第二输入端，第四NMOS管的漏极分别与第六PMOS管的漏极和第七PMOS管的栅极连接；第五PMOS管的源极、第六PMOS管的源极和第七PMOS管的源极与电源端连接，第七PMOS管的漏极与第六NMOS管的漏极连接并作为比较器的输出端；第五NMOS管的栅极和第六NMOS管的栅极均与偏置电压连接，第五NMOS管的源极和第六NMOS管的源极均接地。
[0013]作为上述方案的改进，施密特触发器包括第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管和第十PMOS管和第三电阻；第七NMOS管的栅极、第八NMOS管的栅极、第八PMOS管的栅极和第九PMOS管的栅极互连并作为施密特触发器的输入端，第七NMOS管的源极分别与第八NMOS管的漏极和第九NMOS管的源极连接，第七NMOS管的漏极分别与第八PMOS管的漏极、第十PMOS管的栅极和第九NMOS管的栅极连接并作为施密特触发器的输出端，第八NMOS管的源极接地，第九NMOS管的漏极经第三电阻与电源端连接；第八PMOS管的源极分别与第九PMOS管的漏极和第十PMOS管的源极连接，第九PMOS管的源极与电源端连接，第十PMOS管的漏极接地。
[0014]实施本专利技术，具有如下有益效果：
[0015]本专利技术应用于电源管理芯片的欠压保护电路，能实现对后级电路起到欠压保护作用，在输入电源电压较低时输出相应信号以使电源管理芯片系统关断所需保护的电子模块且能够稳定输出相应信号以使电源管理芯片稳定开启或关断所需保护的电子模块，避免因输入电源波动而反复关断电子模快，提高欠压保护电路的工作稳定性，从而减少电子模块的不良影响，提高电子模块的使用寿命，而且整体电路结构简单。
[0016本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于电源管理芯片的欠压保护电路，其特征在于，包括钳位采集模块、比较器、施密特触发器和反馈模块；所述钳位采集模块与所述比较器的第一输入端连接，用于对输入电压信号进行钳位并将采集的电压信号发给所述比较器；所述比较器的输出端经所述施密特触发器分别与后级电路和所述反馈模块的输入端连接，用于通过所述施密特触发器稳定所述比较器的输出端的输出电压信号并分别发送给所述后级电路和所述反馈模块；所述反馈模块与所述比较器的第二输入端连接，用于根据所述输出电压信号进行切换控制不同电压的第一基准电压或第二基准电压与所述比较器的第二输入端连接。2.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述反馈模块包括SR锁存器、反相器和选通模块；所述反相器与所述施密特触发器的输出端连接，用于将所述输出电压信号进行转换并输出反相输出电压信号；所述SR锁存器的输入端分别与所述施密特触发器的输出端和所述反相器的输出端连接，用于接收并锁存所述输出电压信号和所述反相输出电压信号；所述SR锁存器的输出端分别与所述选通模块连接，用于分别输出锁存的所述输出电压信号和所述反相输出电压信号给所述选通模块，以保持控制所述选通模块切换控制不同电压的第一基准电压或第二基准电压与所述比较器的第二输入端连接。3.根据权利要求2所述的欠压保护电路，其特征在于，所述选通电路包括第一开关模块和第二开关模块；所述第一开关模块分别与所述比较器的第二输入端和所述第一基准电压连接，用于控制所述比较器的第二输入端与所述第一基准电压之间的通断状态；所述第二开关模块分别与所述比较器的第二输入端和所述第二基准电压连接，用于控制所述比较器的第二输入端与所述第二基准电压之间的通断状态；所述SR锁存器的输出端分别与所述第一开关模块的控制端和所述第二开关模块的控制端连接，用于输出锁存的所述输出电压信号和所述反相输出电压信号来控制所述第一开关模块和所述第二开关模块工作。4.根据权利要求3所述的欠压保护电路，其特征在于，所述第一开关模块包括第一NMOS管和第一PMOS管；所述第一NMOS管的源极分别与所述第一PMOS管的漏极和所述第一基准电压连接，所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的源极和所述比较器的第二输入端连接；所述SR锁存器的第一输出端与所述第一PMOS管的栅极连接，用于输出锁存的所述输出电压信号来控制所述第一PMOS管的通断状态；所述SR锁存器的第二输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，用于输出锁存的所述反相输出电压信号来控制所述第一NMOS管的通断状态。5.根据权利要求3或4所述的欠压保护电路，其特征在于，所述第二开关模块包括第二NMOS管和第二PMOS管；所述第二NMOS管的源极分别与第二PMOS管的漏极和所述第二基准电压连接，所述第二NMOS管的漏极分别与所述第二PMOS管的源极和所述比较器的第二输入端连接；
所述SR锁存器的第一输出端与所述第二NMOS管的栅极连接，用于输出锁存的所述输出电压信号来控...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡建国，姚瑶，邹任飞，张充，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：