深圳市中光工业技术研究院专利技术

深圳市中光工业技术研究院共有59项专利

  • 本发明提供一种半导体激光器芯片及其制备方法,半导体激光器芯片包括有源层和功能层,有源层位于功能层中,功能层包括电流注入区和设置于电流注入区至少一侧的非电流注入区;功能层远离有源层的表面设置有沟槽,沟槽位于电流注入区和非电流注入区之间
  • 本申请公开了一种集成光学耦合开关,包括两个平行的光波导、两静电吸引的电极和绝缘层。电极包括设置在硅表面与所述光波导相避开的下电极,和设置于所述光波导的上方以微机电的架构形成的上电极,上电极达到预设的电压值时被吸引至与所述光波导表面接触;...
  • 本发明公开一种激光光源,包括激光装置,所述激光装置包括至少一激光器,用于产生至少一沿第一方向及沿第二方向发散角不同的光束;匀光棒,包括入光端面及出光端面,且所述入光端面及出光端面为方形;所述入光端面接收所述至少一沿第一方向及沿第二方向发...
  • 本申请涉及荧光陶瓷技术领域,具体公开了一种荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置,该荧光陶瓷至少包括:基质;分布于基质内的发光中心、第一散射单元以及第二散射单元;第一散射单元的折射率大于发光中心的折射率;第二散射单元的折射率小于发光...
  • 本申请提供了一种半导体激光器巴条的解理方法及激光器巴条,包括:在晶圆上设置若干第一解理线;基于上述第一解理线分离出边缘激光巴条;计算上述边缘激光巴条的第一解理线与实际解理线之间的偏差数据;基于上述偏差数据将上述若干第一解理线均调整为第二...
  • 本申请公开了一种激光芯片及多波长激光器,该激光芯片包括上外延层、下外延层以及设置在上外延层与下外延层之间的量子阱层,量子阱层包括至少两个量子阱混合区域,至少两个量子阱混合区域的掺杂浓度呈梯度分布。本申请通过设置至少两个掺杂浓度不同的量子...
  • 本申请公开了一种半导体激光器的制备方法,其方法包括:提供一热沉母板,并将热沉母板进行切割形成多个热沉基板,提供一外延片,将多个热沉基板阵列贴合在外延片上,形成多条平行于共振腔方向和垂直于共振腔方向的间隔缝,沿间隔缝对外延片进行分割,获得...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括:衬底;功能层,功能层位于衬底上;其中,功能层中的至少部分层体掺杂有Mg;发光层,发光层位于功能层中,功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式,本发明能够提高应用...
  • 本申请提供一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法。该应力调整衬底包括至少一层调整膜,上述至少一层调整膜设置在砷化镓基板上,用于调整上述砷化镓基板的应力。通过上述方式,本申请可以改善半导体激光芯片的性能。能。能。
  • 本申请公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。该半导体激光器芯片包括:有源层和功能层,有源层位于功能层中,功能层包括电流注入区和位于电流注入区端部的粒子掺杂区;功能层上设置有沟槽,沟槽位于粒子掺杂区和电流注入区之间。本申请的半导体激光器...
  • 本发明提供一种光学基片的制作方法,包括:提供母板基片;对母板基片的部分区域镀膜以制作光学玻璃基片,其中,镀膜的母板基片形成光学玻璃基片的光学窗口部,未镀膜的母板基片形成光学玻璃基片的基片主体部,基片主体部具有相背的第一表面和第二表面。在...
  • 本发明提供一种光源装置,其特征在于,包括:安装板;反射元件,包括反射面,所述反射面包括焦点,所述焦点落在所述安装板外;调节部,设置于所述安装板;多个准直性光源,用于发出多束准直性光束,所述多个准直性光源通过所述调节部连接于所述安装板,所...
  • 本申请公开了一种光源装置。该光源装置包括:管壳和盖设于管壳上的透明盖板、波长转换装置、光源模组和环状反射件,其中,管壳和透明盖板形成密封空间;波长转换装置设置于透明盖板上;光源模组位于密封空间内,用于发出光束;环状反射件位于密封空间内,...
  • 本发明实施例提供一种光源装置,包括壳体、激光光源组件、光引导组件和波长转换元件。壳体设有收容腔,壳体包括台阶安装部,台阶安装部位于收容腔内,并包括多个台阶,每个台阶包括台阶安装面。激光光源组件安装于多个台阶安装面。光引导组件安装于台阶安...
  • 本实用新型提供一种激光封装装置,包括底座、激光光源组件、引线和光窗,底座包括光源安装部和支撑部,光源安装部和支撑部一体设置,并且与支撑部配合形成收容腔,支撑部包括顶面和底面;激光光源组件收容于收容腔内,并设置于光源安装部,激光光源组件用...
  • 本实用新型提供一种光源装置,包括安装基座、激光光源、光整形组件、壳体和波长转换元件,激光光源安装于安装基座,激光光源用于发出激光,激光在快轴方向具有第一发散角,激光在慢轴方向具有第二发散角;光整形组件设置于激光的光路上,以减小第一发散角...
  • 本发明公开一种晶圆及其下片方法,下片方法包括:提供一初始晶圆件,所述初始晶圆件包括治具及设置于治具上的第一厚度晶圆,治具和第一厚度晶圆之间设置有连接层;将胶带贴合于所述第一厚度晶圆和所述治具上;以第一预设温度进行加热或添加第一试剂,以使...
  • 本申请实施例提供了一种光源装置和投影设备,光源装置包括基座、管壳、激光组件以及波长转换组件。管壳扣合于基座且围成容置腔,管壳开设有出光孔;激光组件设置于容置腔内且包括用于出射激光的激光芯片。波长转换组件与管壳连接且与出光孔对应,波长转换...
  • 本申请公开了一种提高半导体晶圆平边精准度的方法及激光器芯片,该方法包括:对获取到的外延片进行解理,得到至少一个解理边;测量每个解理边与外延片上相应的光刻线之间的角度,得到偏转角度;多次执行上述步骤,得到多个偏转角度;利用多个偏转角度计算...
  • 本申请公开了一种检测芯片,其特征在于,所述检测芯片嵌入半导体晶圆本体,用于进行光致发光测试,所述检测芯片包括:多个周期排布或随机排布的量子阱混杂区域和非量子阱混杂区域,其中所述量子阱混杂区域的粒子掺杂与所述半导体晶圆本体中包含的量子阱掺...