外延晶片以及半导体激光器制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括：衬底；功能层，功能层位于衬底上；其中，功能层中的至少部分层体掺杂有Mg；发光层，发光层位于功能层中，功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式，本发明专利技术能够提高应用本发明专利技术外延晶片的激光器的特征温度，进而提高其电光转换效率。进而提高其电光转换效率。进而提高其电光转换效率。

【技术实现步骤摘要】
外延晶片以及半导体激光器
[0001]本申请为对申请号为201910009078.2、申请日为2019年01月04日、专利技术名称为“外延晶片以及半导体激光器”进行的分案申请。


[0002]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种外延晶片以及半导体激光器。

技术介绍

[0003]AlGaInP四元化合物材料广泛应用于高亮度红光发光二极管及半导体激光器，已经成为红光发光器件的主流材料。但是相比于早期使用的AlGaAs材料，AlGaInP材料体系本身也有其缺点：AlGaInP/GaInP异质结的导带带阶很小，最大值约270meV，小于AlGaAs材料的350meV，因此电子势垒相对较低，容易形成泄露电流，使得激光器阈值电流加大，尤其是在高温及大电流工作中更为明显。并且AlGaInP材料由于合金散射，其热阻远高于AlGaAs材料，因此工作中产热较多，容易导致结温及腔面温度过高。同时，AlGaInP材料载流子的有效质量及态密度高于AlGaAs材料，激射时需要更高的透明电流密度。上述原因使得应用Al GaInP材料体系的激光器的特征温度较低，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延晶片，其特征在于，所述外延晶片包括：衬底；功能层，所述功能层位于所述衬底上；其中，所述功能层中的至少部分层体掺杂有Mg；发光层，所述发光层位于所述功能层中，所述功能层用于驱动所述发光层发光，所述功能层包括第一功能层和第二功能层，所述第一功能层、所述发光层以及所述第二功能层沿靠近所述衬底的方向依次层叠于所述衬底上；所述第一功能层包括第一波导层和第一限制层，所述第一波导层位于所述发光层远离所述第二功能层的一侧，所述第一限制层位于所述第一波导层远离所述发光层的一侧，并且所述第一波导层和所述第一限制层掺杂有Mg；所述第一限制层包括第一子限制层和第二子限制层，所述第一子限制层位于所述第一波导层远离所述发光层的一侧，所述第二子限制层位于所述第一子限制层远离所述第一波导层的一侧；其中，所述第一子限制层掺杂有Mg，所述第二子限制层掺杂有Zn。2.根据权利要求1所述的外延晶片，其特征在于，所述第一波导层中的Mg浓度小于所述第一限制层中的Mg浓度。3.根据权利要求1所述的外延晶片，其特征在于，所述第一限制层还包括阻隔层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈长安，郑兆祯，
申请(专利权)人：深圳市中光工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：