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外延晶片以及半导体激光器制造技术
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文档序号:37847574
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本发明涉及半导体技术领域,公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括:衬底;功能层,功能层位于衬底上;其中,功能层中的至少部分层体掺杂有Mg;发光层,发光层位于功能层中,功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式,本发明能够提高应用本发...
该专利属于深圳市中光工业技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市中光工业技术研究院授权不得商用。
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