本发明公开了一种硅片密封腔体的制作方法，所述制作方法包括：S1、对第一硅片进行热氧化；S2、刻蚀第二硅片形成空腔；S3、将离子注入到所述第一硅片的氧化层，在离子的射程处形成离子注入层；S4、将所述第一硅片的注入面与所述第二硅片的腔体面相...

本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺...

本发明公开了一种VDMOS的栅氧生长方法，所述栅氧生长方法包括以下步骤：S1、在N型外延层中注入磷离子，以形成JFET区域；S2、在N型外延层中注入硼离子，以形成Pbody区域；S3、在Pbody区域中注入硼离子，以形成Pplus区域；...

本发明公开了一种半导体衬底的防漏电方法，所述防漏电方法包括以下步骤：S

本发明提供了一种外延层形成方法及半导体结构，其中，所述外延层形成方法包括：提供第一类型衬底；对所述第一类型衬底正面执行掺杂工艺，以在所述第一类型衬底正面形成第二类型掺杂区和未掺杂区；在所述第一类型衬底背面形成阻挡层；对所述第一类型衬底正...

本发明公开了一种MEMS器件的制造方法。该制造方法包括：在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层；于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层；将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起并固化；在键合片的载体裸硅片...

本发明公开了一种芯片的划片及制造方法。该划片方法包括以下步骤：利用等离子蚀刻技术对芯片进行蚀刻，以形成深槽；在深槽的侧壁形成氧化层保护膜；采用填充材料将深槽的表面完全覆盖；对芯片进行接触孔蚀刻工艺以及金属化工艺；利用光刻技术和/或等离子...

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：选取N型硅片作为衬底；在衬底上形成P阱、N阱和栅氧化层，并在栅氧化层上淀积多晶硅，形成多晶硅栅极电极；在第一区域形成第一P-body区域；形成第一N型扩散区域和第一P型扩散区域；形成半导体器件...

本发明公开了一种降低VDMOS功率器件的Cgd电容的方法，对于VDMOS功率器件中的每个VDMOS元胞，在P-body及N+源极完成之后，在POLY栅极采用多晶开槽光刻板将两个P-body之间的POLY刻掉。本发明可以有效降低高频VDM...

本发明公开了一种退火的工艺方法，其中，所述退火的工艺方法应用于在衬底注入载流子之后的退火，所述退火的工艺方法包括：将炉管温度从起始温度升至退火温度，其中，在升温阶段通入气体，所述气体包括DCE。本发明能够弥补现有的退火工艺制成的二极管有...

本发明公开了一种硅槽填充液体材料的方法及涂胶机，其中，硅槽填充液体材料的方法包括：S1、将一形成有至少一硅槽的硅片置于真空腔内；S2、在该真空腔内，利用喷嘴向该硅片喷涂液体材料；S3、将喷涂有液体材料的硅片置于非真空状态，以使得覆盖于硅...

本发明公开了一种超结MOS管的制造方法，包括以下步骤：S1、制作超结MOS管的晶圆；S2、对所述晶圆进行辐照；S3、对所述晶圆进行退火。本发明的超结MOS管的制造方法，可以降低电流对电荷平衡态的影响，使所述超结MOS管具有更好的稳定性和...

本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，所述瞬态电压抑制器的制造方法包括以下步骤：提供P‑型半导体衬底至反应腔室中；在P‑型半导体衬底上注入埋层形成埋层衬底；在埋层衬底上分别刻蚀两个浅沟槽；埋层推进；对埋层衬底进行预吹扫，对反应腔室...

本发明公开了TVS管的制作方法，包括以下步骤：在TVS管完成前半段工艺后形成器件区域并进行隔离槽刻蚀；在隔离槽内热氧化生长第一预设厚度的二氧化硅；在隔离槽的二氧化硅上通过化学气相淀积生长第二预设厚度的N型掺杂多晶硅以填满隔离槽；用光刻胶...

本发明公开了一种制造半导体的工艺方法，包括以下步骤：S1、BPSG淀积形成绝缘层；S2、采用第一清洗液和第二清洗液分别对淀积后的BPSG进行第一次清洗，所述第一清洗液包括氢氧化铵和过氧化氢，所述第二清洗液包括氯化氢和过氧化氢；S3、退火...

本发明公开了一种双极性功率器件的制作方法，包括以下步骤：S1、遮挡所述双极性功率器件的元胞区域，以使所述元胞区域不被辐照；S2、对所述双极性功率器件进行辐照；S3、对所述双极性功率器件进行退火。与现有技术相比，本发明通过对双极性功率器件...

本发明公开了一种超结半导体器件的终端结构及其制造方法。所述终端结构具有若干超结P柱，每个超结P柱包括一顶部P柱和一底部P柱，每个超结P柱中顶部P柱的宽度不小于底部P柱的宽度。本发明的超结半导体器件的终端结构及其制造方法，能够提供高可靠小...

本发明公开了一种MOSFET终端结构及其制造方法，方法包括：S1、在N型重掺杂单晶硅衬底上生长N型轻掺杂硅外延层，并在所述N型轻掺杂硅外延层上生长二氧化硅场氧化层；S2、将若干场限环区域上方的二氧化硅场氧化层除去，形成若干场氧化层开口区...

本发明公开了一种横向IGBT及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：S1、形成掩模图形，所述掩模图形包括多个光刻胶图形，所述光刻胶图形的间距依次增大；S2、向所述光刻胶图形之间注入N型掺杂，形成N型缓冲层。与现有横向IGBT的制作方法相...

本发明提供一种水平扩散炉的进舟系统及其马达电流的监控装置，监控装置包括监控电路和报警电路；监控电路连接到第一插座的第一至第六针脚，报警电路串联于第一插座的第七和第八针脚间。其中，监控电路包括：二极管，正极与第一针脚连接；第一电阻，一端与...