本发明提出了一种提高TMBS良率的工艺方法，栅极形成之后，在栅极的表面依次形成第一阻挡介质层、第二阻挡介质层和层间介质层，因此刻蚀去除较厚的层间介质层时，由第一阻挡介质层和第二阻挡介质层保护，不会对栅介质层造成损伤，再依次刻蚀去除第二阻...

本发明提供了一种桶式炉和半导体制造方法，适用于外延工艺，通过将吊杆的长度设置为300mm～350mm，并配合可拆卸的垫片一起使用，根据实际需要来增减吊杆上垫片的个数，可以调节基座的竖直方向的上下位置，使得上区和下区所承载的衬底在进行外延...

本发明提供一种物理气相淀积机台及其冷却腔体，该冷却腔体包括腔体盖子、光电感应器、升降环和冷却基座；光电感应器安装于腔体盖子上；升降环通过升降臂向下与气缸相连接，气缸具有升起位置传感器和释放位置传感器，用于判断升降环处于升起位置或释放位置...

本发明揭示了一种半导体设备，包括腔体、第一管道、第二管道以及干泵。所述第一管道设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔，所述第二管道的一端连接所述开孔，所述干泵连接所述...

本发明提供一种具有P型埋层的硅外延过程中抑制P型杂质自掺杂的工艺，包括步骤：提供硅片，作为制作半导体器件的衬底，所述硅片的表面注入形成有P型埋层和N型埋层，将所述硅片在低温和常压的环境下作烘烤；将所述硅片在低温和常压的环境下作刻蚀，去除...

本发明提出了一种盖板载片盒装置，在设有缺口的载片盒上固定一盖板，所述盖板固定在所述缺口处，能够完全遮挡住暴露出的晶圆，从而能够避免颗粒落入暴露出的晶圆表面，进而提高制造出的晶圆的合格率；同时，所述盖板为透明材质，不影响设备机台或技术人员...

本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结...

本发明提供一种纯二氧化硅侧壁的腔体结构、复合腔体及其形成方法，该腔体结构的形成方法包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成二氧化硅层；对二氧化硅层作图形化，形成凹槽；提供键合片，将其与二氧化硅层键合，在硅衬底与键合片之间形成密闭的侧壁为二氧化...

本发明提供一种低应力原位掺杂的多晶硅薄膜的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的正面和背面分别形成氧化层；在氧化层上分别淀积生长原位掺杂的多晶硅薄膜；对当前结构作退火以调节多晶硅薄膜的应力；在硅衬底正面的多晶硅薄膜上涂覆光刻胶保护，...

本发明提供一种防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构，其中，该方法包括步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底系用于多层离子注入、多层外延生长形成超结结构；在该半导体衬底的背面形成第一背封保护层，该第一背封保护层为正硅酸乙酯层；在...

本发明提供了一种MEMS封闭腔体的制作方法，包括：在半导体衬底上形成牺牲氧化层，并进行刻蚀形成腔体的边界图形；沉积腔体停止层，然后进行刻蚀形成腔体刻蚀孔阵列；通过所述腔体刻蚀孔阵列刻蚀所述牺牲氧化层及半导体衬底形成腔体；填充所述腔体刻蚀...

本发明提供了一种埋层腔体型SOI的制造方法，包括：提供形成有腔体图形的半导体衬底；提供包含有顶层硅的SOI硅片；将所述具有顶层硅的SOI硅片表面与所述形成有腔体图形的半导体衬底表面进行硅硅键合；分别刻蚀掉SOI硅片中除顶层硅外的其他材料...

本实用新型提供一种深沟槽超结结构的保护环，位于半导体衬底上，包括：竖向条状沟槽；横向条状沟槽，与竖向条状沟槽竖直相接，构成一个或者多个环状沟槽；以及外延材质，填充于竖向条状沟槽和横向条状沟槽内，将同一个环状沟槽的竖向条状沟槽和横向条状沟...

本实用新型提供一种车灯控制芯片以及车灯系统，该车灯控制芯片包括远光灯控制模块，与车辆的远光灯相连接，控制远光灯的启闭；近光灯控制模块，与车辆的近光灯相连接，控制近光灯的启闭；斜角灯控制模块，分别与车辆的左侧斜角灯和右侧斜角灯相连接，控制...

本发明提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的制造方法，通过在欲形成沟槽位置的半导体衬底上形成鸟嘴型氧化层，所述鸟嘴型氧化层中间厚两端薄，且鸟嘴型氧化层的两端延伸至所述沟槽两侧刻蚀阻挡层下方，在刻蚀所述沟槽之后，所述沟槽的上边沿能够形成圆弧形貌...

本发明提供了一种高密度亚微米的超高压BCD半导体工艺集成的器件，该高压BCD工艺实现的集成器件可包括：超高压LDMOS、中压NLDMOS、中压FDPMOS、高压JFET、低压NMOS、低压PMOS、齐纳二极管、多晶电阻、PIP电容、双极...

本发明涉及一种高压桥式电路及其制作方法，包括：高侧功率管、低侧功率管、高侧功率管的驱动及保护模块、低侧功率管的驱动及保护模块、以及控制电路，所述控制电路连接所述高侧功率管的驱动及保护模块和低侧功率管的驱动及保护模块，所述低侧功率管、低侧...

本发明提供了一种超高压BCD工艺，该超高压BCD工艺可实现多种半导体器件的集成，超高压BCD器件包括：做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDM...

本实用新型提供一种改善吹风洁净度的光刻机系统，包括：光刻机本体，位于洁净室中；空调系统；风管，分别与光刻机本体和空调系统相连接，引导空气并将其吹送到光刻机本体的内部组件表面；还包括过滤器，位于风管的路径上，将空调系统送出的空气过滤净化。...

本发明提供了一种半导体多级台阶结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底上形成阻挡层；图案化所述阻挡层；以图案化的阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶面和阶梯顶面；去除图案化的阻挡层；形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第一级台...