本发明提供一种CMOS一次性可编程只读存储器及其制造方法，存储器包括控制管和存储管，制造方法包括步骤：提供P型硅衬底，其中形成有N阱；在N阱的两侧形成局部氧化隔离，以及在P型硅衬底上、N阱的上表面形成控制管和存储管的栅极氧化层、栅极和轻...

本发明提供一种高性能肖特基二极管的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，其上依次形成有重掺杂层和轻掺杂层；在轻掺杂层上淀积绝缘层，在轻掺杂层上方开出绝缘层窗口；采用清洗溶液对露出的轻掺杂层清洗；在绝缘层和轻掺杂层上淀积第一金属层；将第一金...

本发明提供一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底，其上形成有基底保护层；刻蚀基底保护层和硅基底，形成多个浅槽；在基底保护层表面和浅槽的侧壁及底部淀积含易扩散元素的扩散层；将易扩散元素扩散至与扩散层相接触的硅基底中，形成重掺杂扩散区...

本发明提供一种60伏高压LDPMOS结构及其制造方法，该制造方法包括步骤：提供P型硅衬底，其上形成有N型埋层和P型外延层；在P型外延层中高能注入N型杂质，形成低浓度的高压N阱；在高压N阱中高能注入P型杂质，形成低浓度的漏极漂移区域；在L...

本实用新型提供一种半导体晶圆检测设备，与晶圆盒开盒器配合使用，开盒器将晶圆盒打开，用机械手取出晶舟放入检测设备，或从检测设备取回晶舟，放回晶圆盒，检测设备包括：主体，其上具有固定平台；旋转平台，位于固定平台之上，承载晶舟并旋转；遮挡片，...

本发明提供一种60V高边LDNMOS结构及其制造方法，该方法包括步骤：提供P型硅衬底，在其上依次形成N型埋层和P型外延层；在P型外延层中注入磷，并经高温扩散形成低浓度的高压N阱；在P型外延层上制作多个场氧化隔离；在LDNMOS的源区部分...

本发明提供一种带金属敏感夹层的器件深槽刻蚀方法，包括步骤：提供硅衬底，其上有缓冲层；在缓冲层上淀积金属敏感层；将金属敏感层图形化，形成金属线间低台阶、金属管脚焊垫区域和金属反应线；在缓冲层和图形化的金属敏感层表面淀积钝化层；在钝化层表面...

本发明提供一种高压N型结型场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供P型半导体衬底，其上形成有P型埋层，作为背栅；在P型半导体衬底上形成P型外延层；在P型外延层上形成多个LOCOS，隔离出漏极、栅极、源极和背栅引出端的位置；在P型外延层中注...

本发明提供一种LED芯片与硅基底的键合方法及封装方法。其中，键合方法包括步骤：提供硅基底，在其上形成第一含金属层；提供具有芯片基底的LED芯片，在芯片基底背面形成第二含金属层；在真空环境中、不高于250度的基底温度下，贴合第一含金属层与...

本实用新型提供一种改善光照均匀性的光刻机，位于洁净室中，光刻机包括：光刻机本体；风管，与光刻机本体相连接，用于抽取空气并将其吹送到光刻机的镜头组表面；其中，风管的进风口靠近于洁净室顶部的碳吸附过滤器的下方。本实用新型吹送到镜头组表面的空...

本实用新型提供了一种用于套准波长为600nm至650nm的光刻对准标记以及用于ASML光刻机套准工艺的光刻对准标记，所述光刻对准标记的台阶深度大于等于本实用新型能够承受更大厚度的外延层，有利于提高产品的成品率。

本发明提供了一种LDMOS晶体管结构及其形成方法，所述LDMOS晶体管结构包括：半导体衬底；覆盖所述半导体衬底的外延层；位于所述外延层上的相邻接的栅介质层和场氧化层；栅电极，覆盖所述栅介质层并延伸至所述场氧化层上；位于所述栅电极一侧的外...

本发明提供一种腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底，在硅基底上形成基底保护层；刻蚀基底保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；以基底保护层为掩模，刻蚀硅基底，在硅基底中形成多个凹槽；在多个凹槽的侧壁形成侧壁保护层；以基底保护层和侧壁...

本发明提供一种不同深度腔体的制造方法，包括：提供基底，其划分为多个区域；在基底上形成基底保护层；在基底保护层上形成多个不同尺寸和/或不同形状的窗口；刻蚀基底，在基底中的各个区域分别形成不同尺寸和/或不同深度的凹槽；在基底保护层的表面和凹...

本发明提供一种HMDS自动供应系统，包括：储液罐，内有HMDS储液瓶；鼓泡罐，通过管道与储液罐相连，管道上有HMDS供应阀；第一加压气体提供单元，通过管道与储液罐相连，管道上有第一加压阀；鼓泡气体提供单元，通过管道与鼓泡罐相连；第二加压...

本发明提供一种重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法，包括步骤：A.提供重掺杂P型衬底；B.在重掺杂P型衬底上生长低阻N型外延层；C.在低阻N型外延层上生长重掺杂N型界面层，在此过程中采用高温烘烤/低温变速赶气减少生长过程中产生的P型...

本发明提供了一种涂胶工艺的缺陷监控方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。本发明有利于提高发现缺陷的概率，减少或避免漏扫。

本发明提供一种可提高工艺效率的薄膜制造方法，包括步骤：提供{111}方向的硅基底，其上形成有阻挡层；刻蚀阻挡层和硅基底，在硅基底中形成多个浅槽，浅槽具有第一深度；在多个浅槽的侧壁形成侧壁保护层；进一步刻蚀多个浅槽，在硅基底中形成多个深槽...

本发明提供一种MEMS器件的薄膜制造方法，包括步骤：提供{111}方向的硅基底，其上形成有多个凹槽，凹槽具有第一深度；在凹槽的侧壁形成侧壁保护层；刻蚀凹槽，形成多个深槽，相比凹槽加深第二深度；湿法腐蚀深槽，在硅基底内形成腔体；将凹槽填充...

本发明提供一种全硅基微流体器件的腔体的制造方法，包括步骤：提供晶向的单晶硅衬底，其上形成有氧化层；将氧化层图形化，露出多个正方形窗口图形；以氧化层为掩模，刻蚀硅衬底，形成上层深槽；在氧化层表面和上层深槽的侧壁及底部淀积保护层；将氧化层表...