上海先进半导体制造股份有限公司专利技术

上海先进半导体制造股份有限公司共有216项专利

  • 本发明提供一种绝缘层上的半导体结构及其制造方法,该结构包括:多晶半导体基底,用于提供支撑;绝缘层,位于多晶半导体基底的上方;半导体层,位于绝缘层的上方,用于制造半导体器件。另外,该制造方法包括步骤:提供多晶半导体基底,在其上形成绝缘层;...
  • 本发明提供一种具有背封的IGBT器件结构及其制造方法,所述IGBT器件结构包括半导体衬底;外延层,位于所述半导体衬底的正面;背封,位于所述半导体衬底背面,所述背封包括氮化硅层和位于所述氮化硅层和半导体衬底背面之间的氧化层;以及IGBT结...
  • 本发明提供一种半导体衬底聚酰亚胺工艺,在湿法去胶后增加一步干法去胶,其等离子气体能够彻底将钝化层表面残留的副产物去除干净,以最终达到在聚酰亚胺光刻工艺显影后无聚酰亚胺残留物的良好结果,实现了产品在该步骤零返工的目的,减少了产品的产出时间...
  • 本发明公开了一种光源单元的排风系统,包括排风管,所述排风管一端连接所述光源单元,另一端外接厂务排风单元,所述光源单元的排风系统还包括一鼓风机,所述鼓风机设置于所述排风管上。本发明还公开了一种光刻机,包括光源单元、光路传输系统、曝光系统与...
  • 本发明提供一种芯片背面含金成分的金属的去除方法,包括步骤:S1:提供需要去除背面金属的半导体芯片;S2:对芯片的正面进行贴膜保护;S3:将芯片放入第一化学处理液中进行背面预处理;S4:将芯片放入第二化学处理液中进行背面金属的去除工艺;S...
  • 本发明提供一种BCD器件的高温推阱工艺,包括升温阶段、推进阶段和降温阶段,包括步骤:A.升高推阱工艺的温度,减少退火时间;B.计算高温推阱工艺的程序时间;C.对高温推阱工艺进行试验片验证;D.检测试验片,判断器件的产品参数是否符合工艺要...
  • 本发明提供一种流量传感器的制造方法,包括步骤:提供SOI(绝缘层上的硅)基底,依次包括硅基底、绝缘层和表面硅层;在表面硅层上淀积含金属的装置制造层;将装置制造层作图形化,形成包括加热装置、测温装置和电极;在图形化的装置制造层上淀积保护层...
  • 本发明提供一种复合集成传感器结构及其制造方法,该方法包括:提供基底,在其上形成掺杂区域;在基底表面淀积绝缘层;刻蚀绝缘层和基底形成槽;在基底表面和槽侧壁与底部淀积含掺杂元素的阻挡层;将其中的掺杂元素扩散至基底内,形成重掺杂层;去除槽底部...
  • 本发明提供一种精确监控高温退火工艺在线产品温度的方法,包括步骤:提供半导体控片,其中掺杂有P型杂质;在半导体控片正面和背面生长氧化层;在半导体控片背面生长多晶硅层,多晶硅层会同时覆盖到氧化层的上方;刻蚀正面氧化层上方的多晶硅层,直至露出...
  • 本发明提供一种采用腐蚀自停止方式制造流量传感器的方法,包括步骤:提供硅衬底,采用离子注入法在其中形成腐蚀停止层;在硅衬底上淀积电热层;对电热层作图形化,在硅衬底上形成加热装置、测温装置和电极;在硅衬底上淀积保护层,保护层覆盖加热装置和测...
  • 本发明提供一种沟槽功率器件的制作方法,包括步骤:提供衬底,分为有源区和终端结构区域;在终端结构区域开出保护环的窗口;通过离子注入和扩散工艺在衬底中形成器件的保护环;在衬底表面形成场氧,完成有源区定义;在衬底和场氧表面形成沟槽硬掩模层和光...
  • 本发明提供一种沟槽绝缘栅型双极晶体管的制作方法,包括步骤:提供衬底,分为有源区和终端结构区域;在终端结构区域开出保护环的窗口;通过离子注入和扩散工艺在衬底中形成器件保护环;在衬底表面形成场氧,完成有源区定义;在衬底和场氧表面形成沟槽硬掩...
  • 本发明提供一种沟槽功率器件结构的制造方法,包括步骤:提供衬底,分为有源区和终端结构区域;通过离子注入和扩散工艺在衬底中形成保护环;在衬底表面形成场氧,完成有源区的定义;在衬底和场氧表面形成沟槽硬掩模层和光刻胶层,并对光刻胶层作图形化,沟...
  • 本发明提供一种超高压BCD工艺中的LDMOS结构,位于P-衬底上的N-外延层中,其包括:第一高压P型体区,位于N-外延层表面;两个高压N+注入区,分别位于第一高压P型体区和漏极位置处;栅氧化层和多晶硅栅极,位于N-外延层上表面,与第一高...
  • 本发明提供一种高压BCD工艺中集成的浮动盆隔离结构,位于P-衬底上的N-外延层中,其中具有低压器件区域,浮动盆隔离结构包围低压器件区域,其包括:N型隔离区域,从底部和侧面包围低压器件区域,将低压器件区域中的掺杂区域与P-衬底隔离;第一P...
  • 本发明提供一种采用多种压敏元件的复合传感器及其制造方法,传感器包括压力和温度传感器;压敏电路有PMOSFET和压敏电阻,位于压敏薄膜;温敏电路有温敏电阻,位于体硅;方法包括:提供硅基底;表面长阻挡层;背面开窗口并腐蚀成腔体,底部为压敏薄...
  • 本发明提供一种60V非对称高压PMOS结构及其制造方法,制造方法包括:提供P型硅衬底,在其上形成N型埋层和P型外延层;在外延层中注入磷,并经高温扩散形成高压N阱;在漏区部分图形曝光,注入硼并经高温扩散形成P型漂移区;在外延层上制作多个L...
  • 本发明提供一种判断半导体生产设备之间的匹配程度的方法,包括步骤:分别提供标准设备和待匹配设备的比较参数的平均值和标准差;分别计算标准设备的比较参数的正态分布曲线的规格上限和规格下限;计算待匹配设备的比较参数的正态分布曲线与横轴间的面积大...
  • 本发明提供一种高压射频横向扩散结构的功率器件及其制造方法,制造方法包括:提供P型硅衬底,上有P型外延层;在外延层上形成P型沉降区和多个局部氧化隔离;热生长栅氧和含磷掺杂的多晶硅栅,形成栅极;在栅极两侧分别注入硼形成P型体区、注入磷形成N...
  • 本发明提供一种凸柱结构的制造方法,凸柱结构包括底部的第一柱状结构和位于其上的其他柱状结构,制造方法包括步骤:提供硅衬底;在硅衬底上形成氧化层掩模,其大小、位置与凸柱结构相对应;在硅衬底上旋涂光刻胶并作图形化;以图形化的光刻胶为掩模,干法...