本发明公开了一种LDMOS器件。本发明提供的LDMOS器件，通过对漂移区横向浓度进行线性优化，并结合具有一定角度的场氧结构和阶梯场板结构，改善了高耐压与低导通电阻的矛盾关系，是一种高性能的集成LDMOS器件，另外此本发明的LDMOS器件...

本发明公开了一种JFET器件及其形成方法。本发明通过对漂移区横向浓度进行线性优化，并结合具有一定角度的场氧结构和阶梯场板结构，在获得高的最大漏源电压（V(BR)DS）的同时，降低了寄生的漂移区电阻，实现了饱和漏极电流（IDSS）的提高，...

本实用新型提供一种光刻机的激光器控制系统，包括：电压模式输出控制模块，与激光器相连接，以电压模式控制激光器的输出；判断模块，分别与激光器和电压模式输出控制模块相连接，判断是否应该将激光器切换至电流模式控制其输出；模式切换模块，与判断模块...

本实用新型提供一种步进式光刻机的光罩遮掩单元，包括：光罩遮掩单元本体；四个底座，分别位于光罩遮掩单元本体的四个底角上，支撑光罩遮掩单元本体；以及四个垫片，分别设置于四个底座与光罩遮掩单元本体之间，将光罩遮掩单元本体垫高。该垫片的高度可为...

本实用新型提供一种光刻胶涂胶单元的托盘，包括：托盘本体；快速接头，螺纹连接于托盘本体上，引导稀释液清洗托盘的内壁；定位支架，固定连接于托盘本体的外壁，定位支架上有一通孔，快速接头从通孔中穿出；多个固定螺丝，螺纹连接于托盘本体上，将定位支...

本发明提供了一种悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法，通过对半导体基底的正面执行P型掺杂工艺，形成第一掺杂层，利用第一掺杂层对于腐蚀液，即对于背面腐蚀工艺具有自停止的阻挡作用，使得半导体薄膜结构(悬空基底)的厚度通过掺杂深度精确控制...

本发明涉及一种BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列的高压器件区和低压器件区；在所述衬底上热氧化形成高压器件区和低压器件区的栅氧化层，所述高压器件区的栅氧化层厚度大于低压器件区的栅氧化层；在所述高压器件区...

本发明公开了一种晶圆表面修复方法，包括：提供一表面具有缺陷的晶圆；向所述晶圆的缺陷区域填充表面修复材料；以及固化所述表面修复材料。本发明通过向晶圆的缺陷区域填充表面修复材料，并固化所述表面修复材料，从而修复晶圆，使得晶圆以及在晶圆上的器...

本发明公开了一种齐纳二极管的制造方法，包括：提供具有外延层的衬底；刻蚀外延层和部分厚度的衬底形成环形的第一深槽；在外延层上形成绝缘层，同时形成第一深槽填充；刻蚀外延层和部分厚度的衬底，在第一深槽填充包围的区域内形成至少一个第二深槽；在图...

本发明涉及一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，包括以下步骤：当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对晶片进行降温；腔室破真空，取出晶片；重返高真空腔室对晶片进行烘烤；继续当前金...

本发明提供一种60V高压BCD工艺中齐纳二极管结构及其制造方法，该制造方法包括步骤：提供P型硅衬底，其上形成有N型埋层，在P型硅衬底上热生长P型外延层；在P型外延层中形成低浓度的高压N阱；在高压N阱中形成低浓度的高压P型漂移区；在P型外...

本发明提供一种60伏高压LDPMOS结构及其制造方法，该制造方法包括步骤：提供P型硅衬底，其上形成有N型埋层和P型外延层；在P型外延层中注入N型杂质，形成低浓度的高压N阱，其与N型埋层相接并共同形成高压隔离区；在P型外延层上制作器件/电...

本发明涉及一种高密度等离子机台的预沉积方法，包括：采用第一频功率在所述高密度等离子机台的腔室内壁上沉积第一薄膜；采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二频功率的频率大于第一频功率。本发明采用第一频功率在腔室内壁上沉积第一薄膜，所...

本发明提供一种铂金属硅化物的形成方法，依次包括铂金属硅化物的淀积、热退火和清洗三个步骤，其中淀积步骤的具体工艺条件包括：淀积腔室的等离子体产生功率为1000～3000W，正面Ar流量为55～85sccm，背面Ar流量为5～20sccm，...

本发明提供一种降低P型涂敷源工艺的P/N结电容和漏电的方法，包括步骤：提供位于晶圆上的N型衬底，其上有N型外延层；在N型外延层上生长氧化层，后开出窗口；在晶圆表面涂敷P型乳胶掺杂源；对晶圆作热处理，将P型乳胶掺杂源中的P型杂质通过窗口作...

本发明涉及一种多晶硅熔丝的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的多晶硅熔丝，所述多晶硅熔丝位于隔离结...

本发明涉及一种一维大尺度多级台阶结构的制作方法，包括以下步骤：在衬底上沉积一层阻挡层；涂覆第一光刻胶，光刻形成第一窗口；刻蚀第一窗口内的阻挡层，去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，光刻形成第二窗口，所述第二窗口与第一窗口位置相对应且宽度小于...

本发明提供一种铝铜膜的物理气相沉积方法，包括：将衬底送入处理腔室，在所述衬底表面进行铝铜膜沉积。其中，所述处理腔室包括腔体、作为阴极的铝铜靶材、作为阳极的衬底基座；所述铝铜靶材背面设有磁控配件组，所述腔体中设有第一冷却水系统，所述磁控配...

本发明提供了一种等离子刻蚀设备反应腔室的干法清洗方法，在向等离子刻蚀设备反应腔室中通入清洗气体，清洗所述反应腔室之前，在所述等离子刻蚀设备的下电极上放置晶圆，通过所述晶圆保护所述下电极，由此，可在不造成下电极伤害的情况下，对反应腔室进行...

本发明涉及一种多层深台阶的形成方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一薄膜；涂覆第一光刻胶，光刻形成第一窗口；刻蚀去除第一窗口内的第一薄膜，然后去除第一光刻胶；在上述结构表面沉积第二薄膜；涂覆第二光刻胶，光刻形成第二窗口，所述第二窗口与第一...