本发明揭示了一种电容的调节方法。包括提供前端结构，所述前端结构经过电子辐照处理；检测所述前端结构的电容值，筛选出电容值低于目标值的前端结构；对筛选出的前端结构进行热处理。本发明通过热处理，能够使得电容值控制在所需要的范围内，并且波动较小...

本发明提供一种双极型晶体管发射极的掺杂方法，包括步骤：提供发射极待掺杂的双极型晶体管，该双极型晶体管制作于一晶圆上，待掺杂的发射极的位置上方覆盖有掩蔽层，打开掩蔽层的窗口，露出待掺杂的发射极的位置；采用涂胶设备在晶圆上滴涂磷源后旋转涂布...

本发明提供一种压接式IGBT的正面金属工艺，包括步骤：在层间介质层上淀积第一正面金属层；对第一正面金属层作湿法刻蚀，在层间介质层上形成上宽下窄的第一凹槽；在当前结构的所有表面上淀积阻挡层，并将需要形成厚金属的区域处的阻挡层窗口打开；对窗...

本发明提供一种LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路，该电路输入端接到真空检测仪，输出端对应到炉管的工艺终止部件；该电路采用双电源输入；该电路包括：第一电阻，一端接收真空检测信号；第二电阻和电位器，串联后接于正电源端和地端间，从中提供炉管预...

本发明提供一种光刻机套片对准的方法，该方法系制作并利用对准标准片来对该光刻机的对准系统进行校正；该方法包括步骤：A.选择深紫外光光刻机作为制作该对准标准片的光刻设备；B.根据产品的对准位置、避开晶圆片上的产品区域以及避开化学机械研磨的研...

本发明提供一种深槽刻蚀设备的静电释放方法，深槽刻蚀设备具有晶圆手指、静电吸附极板、手指安装环、晶圆支撑环和静电吸附极板支撑体；晶圆手指安装于晶圆支撑环上，晶圆手指在静电吸附极板支撑体由升起位置下降到降落位置时逐渐接触晶圆，静电吸附极板支...

本发明提供一种与CMOS工艺兼容的大面积微桥电阻阵列谐振腔工艺，包括步骤：提供衬底，其划分成待形成电阻阵列和其控制电路的第一、第二区域，按普通CMOS工艺在第二区域形成控制电路；在第一区域上生长氧化层，并在其上形成电阻阵列；在第一区域上...

本发明提供一种钨淀积工艺的背面压力的优化方法，包括：对预淀积、成核与大量淀积这三个步骤中的背面压力与良率作对比，找出随着背面压力的变化，良率或均匀性的变化结果；获取这三个步骤中各个背面压力的最佳数值；对加热器设置一预定的使用片数停机维护...

本发明提供一种显影液筒的气压报警装置，显影液筒位于一涂胶显影机上，气压报警装置包括：供电电源；气体压力开关，其一端与供电电源相连接，监测显影液筒内的气体压力，于气体压力达到一预设数值时闭合；继电器，其一端与气体压力开关的另一端相连接，其...

本发明的双极型晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上沉积有一第一氧化层；选择性刻蚀所述第一氧化层直至露出所述衬底，以形成通孔；所述通孔中的所述衬底被氧化形成一第二氧化层，所述第二氧化层的厚度小于所述第一氧化层的厚度；进行第一...

本发明提供一种光刻胶的涂胶工艺，光刻胶涂布于一晶圆的表面上，晶圆置于一离心机的一真空台盘上，晶圆的上方具有一喷嘴组件，喷嘴组件包括一溶剂喷嘴和一光刻胶喷嘴，涂胶工艺包括步骤：A.溶剂喷嘴移动至晶圆的中心位置上方，吐出光刻胶的溶剂至晶圆上...

本发明提供一种PECVD薄膜淀积设备及其热盘，该热盘位于设备的工艺腔内，热盘上均匀地分布有八个工艺位置，每个工艺位置上的晶圆通过铝叉旋转传递到与之相邻的下一工艺位置上；其中，在热盘的每个工艺位置上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕。本发明使...

本发明提供了一种盖板的制作方法，包括：提供一基板，在所述基板的正面与背面形成阻挡层；同时对所述基板正面与背面的阻挡层进行同时双面曝光，形成多个窗口；通过所述窗口对所述基板进行刻蚀；通过同时对基板的正面与背面的阻挡层进行双面曝光，形成图形...

本发明提出了一种管路温度控制装置，在排气管路上添加加热单元，由温控单元控制加热单元给排气管路加热，使其保持在预定温度，测温单元检测排气管路的温度，并将检测结果反馈至温控单元，避免排气管路温度出现较大波动，通过对排气管路的加热，避免堆积在...

本发明提供一种光刻胶的胶瓶盖子及胶瓶，该胶瓶盖子包括瓶帽、帽芯、盖板和胶管引导锁紧件；其中，瓶帽通过其下部内侧的螺纹与胶瓶的瓶口螺纹连接；帽芯位于瓶口的上方、瓶帽的上部内侧；盖板位于瓶帽和帽芯的上方，并与帽芯相固定；盖板与帽芯之间形成一...

本发明提供一种实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法，包括步骤：在淀积工艺的步骤之前将淀积设备的工艺腔体内的压力抽至底压，并将其节流阀完全关闭；预流大流量的氦气并通过换向阀门直接绕开工艺腔体，氦气直接被泵抽走；淀积设备的压力检测系统...

本发明提供一种防止排水管道中气体溢出扩散的机械式地漏，包括盖板、围板、闷板、挡水板、配重块、轴支架和枢轴；围板呈上下两端开口的筒状，盖板盖于围板的上端，盖板上分布有多个导水孔；闷板倾斜地盖于围板的下端一部分区域，围板的下端另一部分区域由...

本发明揭示了一种通过优化外延腔体温度分布改善外延层错的方法，包括：步骤一：提供至少一衬底，所述衬底中具有掺杂元素；步骤二：将所述衬底放入一外延腔体中，在所述衬底表面生长一外延层，通过高温生长外延时激活衬底杂质，在所述生长过程中，所述衬底...

本发明提供了一种芯片，包含基底、形成于所述基底上的多个金属层以及过流保护系统，所述过流保护系统包括过流保护电路和连接于所述过流保护电路的检测线，并将检测线设置于多个金属层中最薄的金属层中，如此一来降低了检测线的熔断电流，能对芯片起到更好...

本发明提供了一种改善外延层电阻率均匀性的方法，通过根据测试样品生长的外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖，即在所述腔体内生长一层含有所述掺杂剂的薄膜，之后对衬底进行外延工艺。在进行外延工艺过程中，进行过预覆盖的...