一种硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜／二氧化锡复合膜的气敏元件，其制造工艺步骤为： ａ．制备二氧化锡基料：采用共沉淀法制备，将四...

一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，主要采用ＡＦＭ微细加工技术，控制探针尖端电压和扫描方式条件下以及在水分子存在的条件下，对物质表面进行局部阳极氧化，从而加工得到纳米结构和纳米器件，其特征在于，该方法包括以下几个工艺步骤： ａ．选...

一种氧化铁／二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件的制造方法，主要采用溶胶－凝胶工艺，其特征在于它包括有如下各工艺步骤：　　　　ａ．首先制备二氧化锡基料，将四氯化锡溶解于乙醇中形成溶液，加热回流４－６小时，然后在６０℃－８０℃水浴中老化２４小时，...

本发明涉及一种氧化铁／二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件的制造方法，属于半导体传感器及敏感元件制造工艺技术领域。本发明主要采用溶胶－凝胶工艺，其特征是：在氧化铝衬底上先浸涂二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铁层，经过热处理，形成氧化铁／二...

一种有机三极管及其制备方法，有机三极管是垂直型的结构。主要特点是置于发射电极的发射面上含有栅孔的两层绝缘层之间夹有控制栅极的栅网。制备方法是首先在发射电极的发射面上制作栅网；然后再在栅网上制作有机半导体层和接收电极。本发明的控制栅极与发...

本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四...

本发明涉及一种共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法，属半导体晶体核探测器制造工艺技术领域。该探测器是由碲锌镉晶体及其阳极和阴极组成，该探测器的制备方法具有以下步骤：先将切割好的、晶面方向为（１１１）定向的、具有一定尺寸的碲锌镉晶片进行粗抛，...

本发明涉及一种脉冲磁场作用下原位自生ＭｇＢ↓［２］超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Ｍｇ粉和Ｂ粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Ｍｇ∶Ｂ＝０．７∶２．０～１．３∶２．０；在套管法的基础上运用频...

本发明涉及一种单体太阳电池在线测试用防碎、翻转机械手。它包括电机经传动机构驱动机构手爪，机械手爪为旋转式手爪，手爪表面附有缓冲覆层。本发明能适应单体太阳电池生产速度较快的特点，实现单体太阳电池片在移载、转移过程中翻转且防碎。

本发明涉及一种高密度ＭｇＢ↓［２］超导带材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Ｍｇ粉料和Ｂ粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至６５０～９５０℃，保温０．５～１０小时，进行第一次烧结制成ＭｇＢ↓［２］超导材...

本发明涉及一种高密度ＭｇＢ↓［２］超导块材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Ｍｇ粉料和Ｂ粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至６５０～９５０℃，保温０．５～１０小时，进行第一次烧结制成ＭｇＢ↓［２］超导材...

本发明涉及一种高密度ＭｇＢ↓［２］超导线材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Ｍｇ粉料和Ｂ粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至６５０～９５０℃，保温０．５～１０小时，进行第一次烧结制成ＭｇＢ↓［２］超导材...

本发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。本发明方法具有以下工艺过程和步骤：（１）在高纯度的硫化锡粉末中掺加入０．２～１．２ｗｔ％的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；（２）然后将上述混合料放于钼...

本发明涉及一种高性能的紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明方法采用传统的、现有的热丝化学气相淀积装置，在硅片衬底上（１００）晶面上淀积金刚石薄膜，再在此金刚石薄膜层上蒸镀一定厚度的金电极，并经光刻工艺形...

本发明涉及一种大尺寸准单畴高温超导块材的快速渗氧工艺。它包括将超导块材置入４５０℃～５００℃温度的氧气气氛中在有效时间内保持恒温进行渗氧；在渗氧前，对超导块材的表面加工出均布的通氧小孔；在渗氧时，保持恒温进行渗氧时间为５５～６５小时。本...

本发明涉及了一种铜互连倒装芯片发光二极管及其制备方法。本发明倒装芯片发光二极管包括发光二极管芯片、基板以及发光二极管芯片与基板间的互连电极，互连电极为铜质电极。本发明采用铜材料制备发光二极管芯片与基板之间的连接通道，通过应用导热能力强的...

本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：当在ＳｎＳ中掺杂...

本发明公开了一种通过对ＣｅＯ↓［２］薄膜实施稀土离子掺杂以提高薄膜厚度且成本低廉的技术工艺。相应量的钇、钬、钐和锆等稀土离子的醋酸盐或乙酰丙酮盐经过溶解并加热搅拌掺入到醋酸铈的混合溶液中配成预计比例的掺杂前驱溶液。前驱溶液经烘烤后涂覆到...

本发明涉及了一种高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法。本发明采用多颗大功率发光二极管ＬＥＤ芯片集成在氮化铝ＡＩＮ和低温共烧陶瓷ＬＴＣＣ叠层基板上，从衬底、粘结层和基板三个层次上提高大功率发光二极管ＬＥＤ芯片的散热能力。其...

本发明涉及一种大功率发光二极管用低温共烧陶瓷层与氮化铝陶瓷叠层基板及其制备方法。本叠层基板的上层为低温共烧陶瓷ＬＴＣＣ陶瓷层，而下层为氮化铝ＡＩＮ陶瓷基板。低温共烧陶瓷ＬＴＣＣ陶瓷层内分布电极层。其制备方法步骤为：高温共烧氮化铝ＡＩＮ陶...