本发明涉及一种用于超级电容器的纳米氧化镍电极的制备方法，属于化工电极材料制造工艺技术领域。本发明的工艺步骤如下：（１）原料配置，首先配制含有保护剂聚乙二醇的镍盐水溶液Ａ；另外配制含氨的氢氧化钠水溶液Ｂ；（２）将溶液Ｂ加入于溶液Ａ中，５０...

本发明涉及一种Ｌｉ↓［ｘ］Ｍ↓［ｙ］（ＰＯ↓［４］）↓［ｚ］类化合物的电子束辐照合成方法，该化合物特别适合于制备锂离子电池的电极材料，属纳米无机化合物能源材料制造工艺技术领域。本发明一种Ｌｉ↓［ｘ］Ｍ↓［ｙ］（ＰＯ↓［４］）↓［ｚ］类化...

本发明涉及一种复相离子－电子混合导体材料及其制备方法和应用。该导体材料第一相为ＢａＣｏ↓［ｘ］Ｆｅ↓［ｙ］Ｎｂ↓［ｚ］Ｏ↓［３－δ］，即ＢＣＦＮ，ｘ、ｙ、ｚ代表摩尔分数，其中０≤ｘ≤０．９，０≤ｙ≤０．６，０≤ｚ≤０．３，而且０．９５≤...

一种强磁场作用下制备磺化聚醚醚酮质子交换膜的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：　　　　ａ．制膜液的制备：将磺化度为３０～９５的磺化聚醚醚酮ＳＰＥＥＫ溶解在制膜溶剂中，配制成质量百分比浓度为５％～４０％的ＳＰＥＥＫ制膜液；　　　　ｂ．在...

本发明涉及一种化学气相沉积辅助合成固相法合成ＬｉＦｅＰＯ↓［４］／Ｃ材料的方法，也即是制备碳包覆铁锂电池正极材料的方法。属锂离子电池材料制备工艺技术领域。本发明的特点是采用化学气相法沉积辅助固相反应法来合成碳包覆磷酸铁锂，即ＬｉＦｅＰＯ...

本发明涉及一种纳米磷酸亚铁锂的低温水热合成方法，属纳米无机化合物能源材料制造工艺技术领域。该方法是将亚铁盐与磷酸盐的水溶液混合，加入适量的络合剂，再加入水溶性锂盐或弱酸环境可溶的锂盐，溶液中的锂离子、亚铁离子、磷酸根离子的比为１～２∶１...

本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法，这种器件在共面栅阳极器件上，增加一个电容栅，形成共面栅阳极－电容栅复合结构碲锌镉核探测器件，即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构，阴极采用全平面电极...

本发明涉及一种ＬＥＤ用的室温硫化有机硅灌封胶。该灌封胶为双组分灌封胶，其中组分Ａ由乙烯基封端聚甲基苯基硅氧烷、乙烯基二甲基甲硅氧基封端聚二甲基硅氧烷、聚甲基氢苯基硅氧烷和抑制剂甲基丁炔醇按１００∶１０～３０∶５～２０∶０．０５～１的重量...

本发明涉及一种石英／镍酸镧／铁酸铋－钛酸铅三层结构铁电材料的制备方法，属无机铁电材料制备工艺技术领域。本发明采用溶胶－凝胶方法在石英玻璃衬底上涂覆铁酸铋－钛酸铅薄膜，并在石英玻璃衬底与铁酸铋－钛酸铅薄膜之间引入镍酸镧层作为底电极，实现石...

本发明涉及一种全溶液加工法制备无机薄膜三极管ＴＦＴ的方法。该方法采用全溶液加工法来制备三极管的绝缘层ＴｉＯ↓［２］和有缘层ＺｎＯ，具体步骤如下：ａ）采用热液法或者溶胶凝胶法将ＴｉＯ↓［２］和ＺｎＯ制备成浓度为０．０５ｍｌ－０．１ｍｌ的溶...

本发明涉及一种硅／钴酸镧锶／锆钛酸铅三层结构压电材料的制备方法，属无机压电铁电材料制备工艺技术领域。本发明采用溶胶－凝胶工艺在普通硅衬底上制备具有（１００）晶面择优取向的锆钛酸铅（ＰＺＴ）薄膜和钴酸镧锶（ＬＳＣＯ）氧化物电极薄膜；同时通...

本发明涉及一种新的发光三极管及其制备方法。该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道，形成两个源和漏极，未改动的阴极作为栅极；该沟道的长度为５微米～３０微米。本发明的三极管是一个具有ＦＥＴ特性的二极管，它克服现有的...

本发明涉及一种Ａｕ／Ｃｒ－ＣＺＴ复合电极的制备方法，属于ＣｄＺｎＴｅ（ＣＺＴ）半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在ＣＺＴ表面先蒸发沉积一层厚度为３～１５ｎｍ的Ｃｒ层，然后再蒸发沉积一层厚度为...

本实用新型涉及一种高温超导带材化学溶剂法连续动态外延生长超导薄膜装置，包括化学溶剂储槽、热处理炉、放带轮和收圈轮，所述的化学溶剂储槽中设置一个涂层导向轮，所述的热处理炉前方设置一个炉前导向轮，所述的放带轮带有制动装置，所述的收圈轮由一个...

本实用新型涉及一种数模混合型叠加图文信息于视频信号用芯片。它包含芯片底座、硅片、硅片封盖以及通过键合线与硅片连接而处于芯片底座边缘的引脚，其电路由地址码生成单元、内部时序控制单元、自激振荡单元、视频同步信号处理提取与处理单元和叠加信息处...

本实用新型涉及一种单体太阳电池在线测试用防碎、翻转机械手。它包括电机经传动机构驱动机构手爪，机械手爪为旋转式手爪，手爪表面附有缓冲覆层。本实用新型能适应单体太阳电池生产速度较快的特点，实现单体太阳电池片在移载、转移过程中翻转且防碎。

本实用新型涉及一种ＭＯＳ功率管的栅极保护装置，它制作在ＭＯＳ功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是：在ＭＯＳ功率管的栅极（Ｇ）与源极（Ｓ）之间和栅极（Ｇ）与漏极（Ｄ）之间，分别各连接一对取向相反的ＰＮ结二极管。本实用新型无论栅...

本发明涉及一种用作集成电路封装基板材料的制造方法，它是以氧化铝陶瓷为基材，其特征是在该基材上沉积有金刚石薄膜，而制成金刚石膜／氧化铝双层结构基板材料，其工艺方法是采用热丝化学气相沉积法在氧化铝陶瓷上生长金刚石薄膜，即以钨丝作为加热源，采...

一种检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺制造掺杂ＣｕＯ－ＢａＴｉＯ↓［３］体系的厚膜气敏元件，掺杂物质包括ＡｇＮＯ↓［３］，ＰｄＣｌ↓［４］、ＳｒＯ、Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］、ＺｎＯ、Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３...

一种检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用超声喷雾热解法在已加工好的金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底上制备铟锡氧化物薄膜，而制成的二氧化氮气体传感器气敏元件；超声喷雾热解法是将石英衬底置于管式炉内，利用超声振...