MOS功率管的栅极保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种ＭＯＳ功率管的栅极保护装置，它制作在ＭＯＳ功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是：在ＭＯＳ功率管的栅极（Ｇ）与源极（Ｓ）之间和栅极（Ｇ）与漏极（Ｄ）之间，分别各连接一对取向相反的ＰＮ结二极管。本实用新型专利技术无论栅－源间或栅－漏间存在或正或反的电压，都能确保栅极抗静电保护能力。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种MOS功率管的栅极保护装置。
技术介绍
众所周知，MOS功率晶体管栅-源之间和栅-漏之间，由于存在绝缘介质(SiO2)而特别容易被运输或其它可能的人为因素，在栅电极上感生静电荷，形成在栅-源和栅-漏电极间或正偏或反偏的感生电压。该感生电压是造成栅介质层击穿、器件失效的主要原因。通常的保护结构是在器件制作的同时，于芯片上制作一个p-n结，通过金属互连技术，在MOS器件的栅-源之间并联该p-n结二极管。利用该p-n结反向击穿电压特性来保护MOS功率晶体管的栅介质。这种保护电路结构在使用中，存在如下问题(1)若发生栅源之间正负极性的人为错误连接，容易烧毁该二极管，除非该二极管有足够的正向电流容限，(这将增加很多芯片面积)。(2)栅保护电压容限受单个p-n结反向击穿电压值限制。但按照上述栅保护电路的原理，当栅、漏和栅、源电极引线之间存在正、负不同偏压时，栅保护电压的耐量会有很大差异，这给栅保护设计带来困难。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改进的MOS功率管的栅极保护装置，无论栅—源间或栅—漏间存在或正或反的电压，都能确保栅极抗静电保护能力。为达到上述目的，本技术采用下述技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＯＳ功率管的栅极保护装置，制作在ＭＯＳ功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是：在ＭＯＳ功率管的栅极（Ｇ）与源极（Ｓ）之间和栅极（Ｇ）与漏极（Ｄ）之间，分别各连接一对取向相反的ＰＮ结二极管。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种MOS功率管的栅极保护装置，制作在MOS功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是在MOS功率管的栅极(G)与源极(S)之间和栅极(G)与漏极(D)之间，分别各连接一对取向相反的PN结二极管。2.根据权利要求1所述的MOS功率管的栅极保护装置，其特征在于在MOS功率管的在MOS功率管的栅极(G)与源极(S)之间和栅极(G)与漏极(D)之间，分别连接并联的多对取向相反的PN结二极管或串联的多对取向相反的PN结二极管。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志平，程东方，沈伟星，张珺，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]