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本实用新型涉及一种ＭＯＳ功率管的栅极保护装置，它制作在ＭＯＳ功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是：在ＭＯＳ功率管的栅极（Ｇ）与源极（Ｓ）之间和栅极（Ｇ）与漏极（Ｄ）之间，分别各连接一对取向相反的ＰＮ结二极管。本实用新型无论栅－源...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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