本发明公开一种利用有机盐通过化学溶液法制备双轴织构的涂层导体缓冲层薄膜ＣｅＯ↓［２］的技术工艺。通过将Ｃｅ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯ）↓［３］.１．５Ｈ↓［２］Ｏ与丙酸、异丙醇和乙酰丙酮混合并加热搅拌配得前驱水溶液。再经过涂层使前驱溶液涂覆在...

本发明涉及一种基于（１００）定向金刚石薄膜的共面栅结构紫外光探测器器件的制备方法。属紫外光探测器器件制备工艺技术领域。本发明共面栅紫外光探测器的特点是在金刚石薄膜表面为一对叉指电极，衬底硅背面为一背电极；采用光刻方法制作表面叉指电极；使...

本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法，特别是一种Ｘ射线、γ射线室温核辐射探测器的制备方法，属半导体探测器制备工艺技术领域。该探测器的制备方法是：先将在衬底基片上制得的由柱状晶粒组成的多晶薄膜进行机械粗抛光、细抛光、表面...

本发明涉及一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片及其制作工艺，包括：ｎ型金ｐａｄ、氧化锌透明电极、填充体、基板、粘结层、ｐ型电流扩展层、ｐ型电极接触、发光层、ｎ型电极接触、辅助电流扩展电极结构，其中ｐ型电流扩展层、ｐ型电极接触...

本发明涉及了一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，它包括ｐ型金ｐａｄ、ｎ型金ｐａｄ、发光有源层、衬底、透明电流扩展层、填充体，其中发光有源层通过ＭＯＣＶＤ设备生长在衬底上，其中间有一层过渡层，填充体填充在发光有源层被...

本发明涉及了一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺，它包括ｎ型金ｐａｄ、透明电流扩展层、填充体、基板、ｐ型金ｐａｄ、ｐ型电流扩展层、ｐ型电极接触、发光层、ｎ型电极接触，连接ｐ电极金属导柱、隔离沟、辅助电流扩展层、ｎ型...

本发明公开了一种单层有效的高温超导涂层导体缓冲层厚膜的制备工艺，它是用化学溶液法制备厚度足够的双轴织构Ｈｏ↓［ｘ］Ｃｅ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２－δ］缓冲层薄膜。将醋酸铈和醋酸钬粉末溶解在丙酸和异丙醇的混合溶剂中，加热搅拌再加入乙酰丙酮得到前...

本发明涉及一种硅太阳能电池结深的测量方法，属硅太阳能电池性能参数测量方法技术领域。本发明的测量方法采用了阳极氧化法结合差重计算法对硅太阳能电池的结深进行测量和计算。本发明的测量方法是：先测量未腐蚀的磷扩散层硅基片即电池片的重量及方块电阻...

本发明涉及了一种通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，包括包基材、芯片发光部分；其特征在于有一个上表面淀积一层绝缘层的导热性能优越的基材，其上刻蚀出跟所述芯片部分匹配的凹槽，在凹槽内部表面淀积有反光层，芯片发光部分被植入凹...

本发明涉及一种在半导体硅基底上利用过渡金属的独特催化作用和高分子网络络合效应来促进ＺｎＯ纳米线自组装生长的催化生长方法。属于半导体光电纳米材料制备工艺技术领域。本发明采用化学镀镍工艺和高分子自组装生长相结合的工艺方法，通过一定的工艺条件...

本发明涉及一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜生长，然后用进行氢等离子体刻蚀，即得ｐ型纳米晶金刚石薄...

本发明涉及一种ｎ－ＺｎＯ／ｐ－自支撑金刚石薄膜异质结的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长，然后用ＨＮＯ↓［３］与ＨＦ的混合...

本发明涉及一种激光加工在Ｐ型碲镉汞材料上形成ＰＮ结的方法及装置。本方法是将脉冲激光聚焦到Ｐ型碲镉汞材料的表面，在短时间内对Ｐ型碲镉汞材料进行辐照，从而在该材料上形成被激光融蚀的孔洞区，孔洞的直径为几微米到十几微米；在孔洞周边几微米区域形...

本发明涉及一种手机驱动芯片互连模组及其制备方法。本驱动芯片互连模组包括多层金属薄膜作为互连凸点下金属化层的驱动电路芯片、具有钼铬材料透明电路的玻璃基板和ＮＣＦ材料构成的粘接膜，电路芯片上互连凸点构成的互连电路为表面镀锡的金凸点。其制备方...

本发明涉及一种ＺｎＯ／纳米金刚石薄膜紫外光探测器制备方法，属纳米无机化合物能源材料制造工艺技术领域。该方法是将ＺｎＯ薄膜以磁控溅射法沉积在纳米金刚石薄膜上，以高纯ＺｎＯ陶瓷靶为溅射靶材，通入氩气，调节流量为４０标准毫升／分；调节反应气压...

本发明涉及一种半导体基片热沉复合材料的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后通入反应物氢气和丙酮，进行微米晶金刚石薄膜成核；调节丙酮和氢气流量及温度等条件...

本发明涉及一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺，它包括：ｐ型电极ｐａｄ、ｎ型电极ｐａｄ、发光有源层、衬底和透明电流扩展层，在芯片四周有淀积的绝缘层至与发光有源层齐平，在芯片四周除ｎ型电极ｐａｄ附近外，绝缘...

本实用新型涉及一种隔离型防爆磁性常开开关。它包括两片弹性铁片安置在充满高纯氮气的塑壳封闭腔中而保持有效间距，并且分别连接固定于塑壳两端的引线端，塑壳安置在一个密封塑料盒中，两根引线端分别连接密封塑料盒两端的防爆接线柱，密封盒上固定安装一...

本实用新型涉及一种强磁性反极防爆安全开关。它包括两片弹性金属片安置在一个充满高纯氮气的塑壳封闭腔中而分别连接固定于塑壳两端的引线端，其特征在于两片弹性金属片中的一片弹性金属片为不带剩磁的铁片或铜片，两端被固定不能移动，而另一片弹性金属片...

本实用新型涉及一种常闭型防爆磁性开关。它包括两片弹性金属片安置在一个充满高纯氮气的塑壳封闭腔中而分别连接固定于塑壳两端的引线端，两片弹性金属片闭合；塑壳内还有一片无输出端的辅助铁片，其断头端固定于塑壳的一端，使辅助铁片与一片弹性金属片平...