一种新的发光三极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种新的发光三极管及其制备方法。该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道，形成两个源和漏极，未改动的阴极作为栅极；该沟道的长度为５微米～３０微米。本发明专利技术的三极管是一个具有ＦＥＴ特性的二极管，它克服现有的有机发光三极管中存在的光在边缘发射和在金属电极消光的缺点。此外与ＴＦＴ驱动的发光电致二极管相比，本发明专利技术的三极管既具有电流变调的ＦＥＴ特性，同时也具有电光转换的ＯＬＥＤ特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，有机半导体发光器件由于具有高亮度、快速延迟反应、高的对比度以及制作简 单等特性，广泛应用于二极管发光、平板显示器和和光激发的有机薄膜激光领域。利用有机 薄膜或者单晶，例如并闪苯或者5，6， 11, 12-四苯基并四苯制作的有机场强效应三极管(FETs) 也具有很重要的应用价值。而且，H印p (2003)， Ahles(2004)， Rost (2004), 0yamada (2005) 以及Nakamura (2005)等已经报道过薄膜三极管(TFT)驱动的发光电致发光二极管(0LED)， 以及有机发光三极管。由于三极管能够利用第三个电极控制注入电荷的量和种类，并且利用 发光三极管可以使显示器的驱动电路更加简单发光三极管已经成为高性能发光领域的一个 重要研究方向。但是，正如Ok咖ot.o (2000)报道的，由于发光三极管的发光主要沿着薄膜或者晶体的边 缘方向传导，光强度相对比较弱，光谱较难观察。
技术实现思路
本专利技术的目的之-在于克服现有技术中存在的发光三极管光强度不强和光谱难于观察的 问题，提供一种新的发光三极管。本专利技术的目的之二在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新的发光三极管，以有机电致发光二极管为模板，其特征在于该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道，形成两个源（１）和漏极（２），未改动的阴极作为栅极（４）；该沟道的长度（３）为５微米～３０微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏斌，王军，张建华，李博，汪敏，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]