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本发明涉及一种新的发光三极管及其制备方法。该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道，形成两个源和漏极，未改动的阴极作为栅极；该沟道的长度为５微米～３０微米。本发明的三极管是一个具有ＦＥＴ特性的二极管，它克服现有的有机...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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