顶发光型有机发光二极管结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种顶发光型有机发光二极管结构及其制作方法。该顶发光型有机发光二极管结构包括一反射电极，位于一基底上；具有至少一第一开口的一介电层，位于反射电极上；一有机发光层，位于介电层上并填入第一开口中；以及具有至少一第二开口的一金属电极，位于有机发光层上，其中第二开口对应于第一开口。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及顶发光型有机发光二极管(top emitting OLED)结构及其制作方法，且特别涉及具有发光孔径(lighting aperture)的。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)组件是利用当有机薄膜材料被电流激发时会发光的特性，而被广泛应用在例如平面显示器的领域。OLED组件通常是由一阳极、一阴极以及夹于其间的一有机薄膜所构成的一三明治结构。在有源矩阵式OLED组件中，OLED结构可分为两种，一种是底发光型(bottomemitting)OLED结构，另一种是顶发光型(top emitting)OLED结构。由于底发光型OLED结构所发射的光会受到基板上的薄膜晶体管(TFT)结构的影响而降低开口率(aperture ratio)，所以最近业界将顶发光型OLED结构视为一种非常有发展潜力的结构设计。请参阅图1，其为显示现有技术顶发光型OLED结构的剖面示意图。现有技术的顶发光型OLED结构100包括被用做阳极的一反射电极120，形成于一基底110上；一有机发光层130，形成于该反射电极上；以及被用做阴极的一透明金属电极140，形成于该有机发光层130上。这里要特别说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶发光型有机发光二极管结构，包括：一基底；一第一电极，位于所述基底上；一介电层，具有至少一第一开口，位于所述第一电极上；一有机发光层，位于所述介电层上并填入所述第一开口中；以及一第二电极，具有至少 一第二开口，位于所述有机发光层上，其中所述第二开口对应于所述第一开口。

【技术特征摘要】
1.一种顶发光型有机发光二极管结构，包括一基底；一第一电极，位于所述基底上；一介电层，具有至少一第一开口，位于所述第一电极上；一有机发光层，位于所述介电层上并填入所述第一开口中；以及一第二电极，具有至少一第二开口，位于所述有机发光层上，其中所述第二开口对应于所述第一开口。2.如权利要求1所述的顶发光型有机发光二极管结构，其中还包括覆盖于所述第二电极与所述第二开口的一保护层。3.如权利要求1所述的顶发光型有机发光二极管结构，其中所述基底包包括薄膜晶体管的一阵列基底。4.如权利要求1所述的顶发光型有机发光二极管结构，其中所述第一电极被用做阳极的一反射电极。5.如权利要求4所述的顶发光型有机发光二极管结构，其中还包括一空穴注入层与一空穴传输层，夹于所述反射电极与所述介电层之间。6.如权利要求1所述的顶发光型有机发光二极管结构，其中所述介电层包含氧化硅及/或氮化硅。7.如权利要求1所述的顶发光型有机发光二极管结构，其中所述第二电极被用做阴极的一不透明金属电极。8.如权利要求7所述的顶发光型有机发光二极管结构，其中还包括一电子传输层，夹于所述不透明金属电极与所述有机发光层之间。9.如权利要求1所述的顶发光型有机发光二极管结构，其中所述第二开口面积小于所述第一开口面积。10.一种顶发光型有机发光二极管结构的制作方法，包括下列步骤提供一基底；...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡子健，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]