有机三极管及其制备方法技术

一种有机三极管及其制备方法，有机三极管是垂直型的结构。主要特点是置于发射电极的发射面上含有栅孔的两层绝缘层之间夹有控制栅极的栅网。制备方法是首先在发射电极的发射面上制作栅网；然后再在栅网上制作有机半导体层和接收电极。本发明专利技术的控制栅极与发射电极之间仅隔一层可以薄到纳米量级的绝缘层，因此，控制栅极与发射电极之间只要加很低的电压就可以引发发射电极的场发射载流子。所以，控制栅极电压既能够实现场发射，又能够实现场抑制。放大倍率和反应速度都比现有技术的大有提高。本发明专利技术的有机半导体层还可以制成包含有机发光层的复合层，因此，本发明专利技术的有机三极管还可以发光。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种三极管及其制备方法，尤其涉及。而且，还可以带发光的。
技术介绍
现有的有机三极管如薄膜场效应晶体管(TFT)或场效应晶体管(FET)主要是卧式结构。是在衬底5上放置有控制栅极6，再放置绝缘层4，在绝缘层4上的有机半导体层2内在同一平面上分别置放着发射电极(源电极)1和接收电极(漏电极)3。如图1所示(参见Christos D.Dimitrakopoulos and Patrick R.L.Malenfant，＜Adv.Mater.14.(2002)，No2，99-117)。K.库督等人(参见K.Kudo，M.lizuka，S.Kuniyshi，K.Tanaka，<Thin SolidFilms>393(2001)362)提供一种垂直型场效应三极管(Vertied Type Field EffcetTransistors-FET)它的基本结构是在发射电极1和接收电极3之间，以酞菁铜作为有机半导体层2，在有机半导体层2中间置有一系列的控制栅极6，如图2所示。它的优点是反应速度比上述卧式的快，电流也较大，电压较低。垂直型结构的有机三极管还有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机三极管，是垂直型结构的有机三极管，含有衬底，置于衬底上面的发射电极、有机半导体层和接收电极，其特征在于在发射电极与接收电极之间的有机半导体层内，置放在发射电机的发射面上含有栅孔的两绝缘层之间夹有控制栅极的栅网。

【技术特征摘要】
1.一种有机三极管，是垂直型结构的有机三极管，含有衬底，置于衬底上面的发射电极、有机半导体层和接收电极，其特征在于在发射电极与接收电极之间的有机半导体层内，置放在发射电机的发射面上含有栅孔的两绝缘层之间夹有控制栅极的栅网。2.根据权利要求1所述的有机三极管，其特征在于所说的有机半导体层是单层，或者是复合层。3.根据权利要求2所述的有机三极管，其特征在于所说的复合层的有机半导体层包含有机半导体层、有机发光层和载流子传输层。4.根据权利要求1或2所述的有机三极管，其特征在于所说的有机半导体层的构成材料是有机半导体材料，或者是基本没有载流子的小分子近似绝缘材料。5.一种有机三极管的制备方法，首先在衬底上蒸镀发射电极，其特征在于在衬底上的发射电极的发射面上先制作好栅网，然后在栅网上蒸镀有机半导体层，最后在有机半导体层上蒸镀接收电极。6.根据权利要求5所述的有机三极管的制备方法，其特征在于制备方法的具体步骤是<1>首先在衬底上制作发射电极，然后在发射电极的发射面上制作栅网，制作栅网按照顺序制作第一层绝缘层、一层金属层(作为控制栅极)、再加上第二层绝缘层后，用光刻的方法或用蒸镀的方法在这三层上制作栅孔；<2>在上面制作的栅网上，制作有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志林，蒋雪茵，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]