提供一种制造微透镜的方法，其中使用压印技术首先模制至少一个第一透镜。进而，制造透镜支架以及形成在下表面上的第二透镜，所述透镜支架包括其上设有第一透镜的孔。随后，通过沿透镜支架的孔中的光轴对准第一和第二透镜来结合第一和第二透镜。因此，能容...

本发明涉及一种用于在ＴＦＴ－ＬＣＤ制造工艺中去除抗蚀剂的稀释剂组合物，更具体的说，涉及一种用于去除抗蚀剂的稀释剂组合物，该组合物含有：ａ）０．１～５ｗｔ％的无机碱化合物；ｂ）０．１～５ｗｔ％的有机胺；ｃ）０．１～３０ｗｔ％的有机溶剂；ｄ...

一种制造整体式喷墨打印头的方法包括：在一基底上形成加热器和用于向该加热器供给电流的电极；通过向基底上涂敷负型光致抗蚀剂并且对其进行图案化处理，形成环绕在油墨通道周围的通道形成层；至少利用两次光刻，通过反复向具有通道形成层的基底上涂敷正型...

本发明涉及具有用于ＬＣＤ生产方法的耐高温性的光致抗蚀剂组合物，且更具体地说，本发明涉及具有耐高温性的能够减少工艺的策略（一种方式）、工艺简化和节约费用的光致抗蚀剂组合物。本发明的组合物通过使跳过５步工艺成为可能而有利于这一特性，诸如形成...

本发明提供了包含光敏酸发生物质单体和表面活性剂的组合物，以及利用所述的组合物在载体上合成化合物的方法。所述方法包括将具有酸敏保护基的第一种分子层键合至固体载体上；在第一种分子层上包被本发明的光敏酸发生物质单体组合物层；将组合物层曝光然后...

含有具有热固化性能的环氧基团和具有光固化性能的查耳酮基团的化合物，可以用下列分子式表示，其中ｎ是１到１００００的整数，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］、Ｒ↓［７］和Ｒ↓［８］选自氢原子、烷基、烷氧基...

本发明提供了一种可减少漏光现象且提高画质的滤色器基片、用简单工序制造该滤色器基片的方法及液晶显示器。该滤色器基片包括基片、滤色器、遮光部件、及多个粒状遮光隔板。该基片包括用于遮挡光的遮光区域。将滤色器设置在基片上。将遮光部件设置在基片上...

在一种利用对一个衬底分区曝光制造液晶显示器的方法中，在相邻拍摄区之间的边界处设置一个重叠区，并且分别以拍摄区的面积逐渐减小和增大的方式对边界左侧和右侧拍摄区曝光，从而减小两个拍摄区之间由于压合误差所致的亮度差。例如，当沿压合区的横向向右...

图案形成材料体，包括：　　　　热敏材料层，在目标衬底上形成；　　　　第一光／热转换层，在热敏材料层和目标衬底之间形成；和　　　　第二光／热转换层，在热敏材料层与第一光／热转换层相对的表面上形成，　　　　其中，热敏材料层置于第一和第二光／...

形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机－无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机－无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。

掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。

本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约５ｗｔ％至２０ｗｔ％的醇胺、约４０ｗｔ％至７０ｗｔ％的乙二醇醚、约２０ｗｔ％至４０ｗｔ％的Ｎ－甲基吡咯烷酮、以及约０．２ｗｔ％至６ｗｔ％的螯合剂。

用于测量位移的干涉仪系统包括位移干涉仪。该干涉仪包括响应测量光束的位移变换器。配置该位移变换器，以将其在垂直于测量光束的方向上的移动变换为位移变换器的反射面与测量光束之间的光程长度的变化。位移变换器可以包括透射光栅和位移反射镜或者反射光栅。

一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成材料层，在材料层上形成掩模层，以及将氮离子注入掩模层中，以减小其光吸收。在材料层和衬底之间可以形成对准键，以及可以通过注入的掩模层光学地确定对准键的位置。注入的掩模层可以被构图，以限定掩模图形...

在供制造半导体器件中使用的光刻胶分配设备中，通过使用分配泵强制地从瓶子发出光刻胶以及使它通过供应管线和过滤器，获得过滤操作，以及通过喷嘴将过滤的光刻胶喷射到晶片上；气泡去除单元装备有供应管线，在分配泵之前。在光刻胶的流动中产生的大气泡和...

一种具有广视角、良好均匀性及高分辨率的凸镜式透镜板及其制造方法。该制造凸镜式透镜板的方法包括下列步骤，即准备一在一侧上具有若干个漫射来自至少一光源的入射光的入射侧凸镜式透镜的凸镜式透镜板的主体，将光阻层叠压在该凸镜式透镜板的另一侧，对该...

本发明提供一种电磁聚焦装置和使用该电磁聚焦装置的电子束光刻系统，其能够通过移动极片的中心部分调节电磁场的均匀性。该电磁聚焦装置控制从电子束光刻系统的电子束发射器产生的电子束的路径。在该电磁聚焦装置中，磁场生成器形成真空室中的磁场，该真空...

提供一种反射光掩模，允许在光刻中将用于吸收ＥＵＶ射线的吸收剂图形的设计形状正确转移到硅晶片，所述光掩模包括：衬底，由反射ＥＵＶ射线的材料构成、形成在衬底上的反射层，以及通过使用离子注入注入吸收ＥＵＶ射线的吸收剂的离子形成在反射层上的具有...

一种包括含有金刚烷基烷基乙烯醚共聚物的光敏聚合物，及含有该光敏聚合物的光阻剂组合物。例如包括具有如下通式共聚物的光敏聚合物，其中ｘ为１～４的整数，Ｒ↓［１］为氢原子或甲基，Ｒ↓［２］为酸不稳定的Ｃ↓［４］～Ｃ↓［２０］的烃基，ｐ／（ｐ＋...

用于光刻的掩模及其制造方法。掩模包括衬底，由能反射电磁辐射的材料在衬底上形成的反射层，和以希望的图案形成的吸收图案以使得形成对于电磁辐射的吸收区和电磁射线通过的窗口区，其中吸收图案包括至少一个邻近窗口并且相对于反射层倾斜的侧面。该方法可...