本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式１或式２表示的光致产酸剂，其中Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］和Ｒ↓［３］各自独立地为Ｃ１－Ｃ１０烷基，Ｘ为与Ｓ↑［＋］形成环的Ｃ３－Ｃ２０脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个...

一种曝光系统及其控制方法，该曝光系统能够降低扫描时间和扫描距离。具有了这种曝光系统及其控制方法，可以实现低的生产成本和提高的曝光准确度。此外，可以实现具有不同尺寸的曝光区域的基底的快速曝光。该曝光系统包括多个光学模块组件，所述多个光学模...

公开了一种具有对准图形、以便容易对准掩模的滤色片及其制作方法。另外还揭示了用对准主图形对准掩模的方法。在基片上形成一种具有预定阶梯差、以便产生激光束衍射光的对准主图形，然后形成盖在上述对准主图形的滤色层。之后，通过将一束激光束照射在上述...

一种形成图的方法，通过使用甲硅烷基化光刻胶膜使工艺简化，保持了多层光刻胶膜工艺所具有的分辨率提高效果，其中在基片上形成第一光刻胶层，并使基片表面部分甲硅烷基化、由此形成甲硅烷基化层。然后在甲硅烷基化层上形成第二光刻胶层，通过设有预定图形...

一种光掩膜及其制造方法通过改善掩膜图形的邻近效应而增加电容器的电容。该光掩膜包括一个透明衬底、一个用于在衬底上限定透光区的遮光掩膜图形，和一个用于抑制透光区内的邻近效应的光透射控制薄膜图形。通过在遮光掩膜图形的各个独立部分之间的透光区内...

一种用于在光刻工艺中快速重复周期性加热和冷却功能的热卡盘，采取一个具有极好热阻特性和在晶片与阳极氧化物层之间有极好附着强度的聚四氟乙烯覆盖层作为防止与晶片接触的阳极氧化物层的分层剥落装置，从而可防止晶片背面受沾污。

投影曝光设备及其方法。此设备包括光源、用来控制光强度的蝇眼透镜、至少二个以上用来衍射已通过蝇眼透镜的光二次或更多次的光圈、用来接纳光的聚光透镜、用来选择性地通过从聚光透镜入射的光的光掩模、用来对通过光掩模的光进行聚焦的投影透镜、以及用投...

在制造半导体过程中的清洗剂制品的包括乳酸乙酯（ＥＬ）和３－乙氧基丙酸乙酯（ＥＥＰ），最好，它还包括γ－丁内酯。因此，晶片边缘或背侧的光刻胶能以足够快的速度有效地除去，因而可以提高半导体器件的成品率。另外，可完全除去的附着在表面上的残留光...

＊＊＊ （Ⅱ） ＊＊＊ （Ⅲ） 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有右通式（Ⅱ），其中Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］、ｍ和ｎ的定义如说明书中所述；同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组...

一种用于半导体器件制备的显影设备，包括工作台，装在工作台上并装有适量显影液的容器，装在容器上方、固定已曝光晶片底面的旋转盘，使旋转盘转动的驱动电机，使旋转盘垂直传动以使晶片在容器中上下移动的垂直驱动器，使旋转盘和垂直驱动器转动一定角度以...

一种图像处理装置及方法，按照图像输入设备的图像读取传感器元件特性来校正物差引起的误差，并去除因图像输入设备的白基准板和光源的失真对图像的影响。该方法包括的步骤有：产生校正文件图像失真的基准数据；判断从分别控制对比度和亮度的操作和去除图像...

＊＊＊ 本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式（Ⅰ）：其中Ｒ↓［１］选自氢和Ｃ↓［１］至Ｃ↓［２０］脂烃，ｎ为整数。特别地，Ｒ↓［１］选自甲基、乙基、正丁基和环己基或Ｒ↓［１］选自含Ｃ↓［７］至Ｃ↓［２０...

本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物，其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能，其不会对底层产生侵蚀，本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述...

一种液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：通过第一光刻工艺，在绝缘基板上形成栅极布线；通过第二光刻工艺，在栅极布线及基板上，形成包括栅绝缘层、半导体层、接触层及数据导体层的四重层；通过第三光刻工艺，在数据导体层上形成导电图案；...

一种微透镜，通过利用具有用来限定半导体元件上的成为微透镜的凸形表面的开口的蚀刻掩模，在化学蚀刻溶液中蚀刻半导体元件形成，所述溶液含有能对半导体进行限制扩散蚀刻的蚀刻剂；和一种微透镜和垂直空腔表面辐射激光器（ＶＣＳＥＬ）的组合，其中微透镜...

振幅掩膜及用该掩膜制作长周期光栅滤波器的设备和方法。在使激光以选择方式传播到光纤中制作长周期光栅时，振幅掩膜周期地使激光传播到光纤上。振幅掩膜包括两个具有周期性交替的通过激光的透过区和防止激光通过的非透过区的掩膜，二掩膜按相反方向转动，...

本发明公开了一种具有改善的感光度和分辨率的正性光刻胶组合物，该组合物的制备方法，以及在半导体工艺中使用该组合物形成图纹的方法。该光刻胶组合物包括：（ｉ）由用分子式（１）表示的第一种感光化合物和用分子式（２ａ）或（２ｂ）表示的第二种感光化...

本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀，恶臭的发生量少，从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的３－甲氧丁基乙酯、２－庚酮和４...

本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光化学品以及作为溶剂的乙酸３－甲氧基丁酯和４－丁内酯。该组合物具有良好的感光性和残膜率，且没有恶臭。

本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂...