半导体装置包括：衬底，其包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；外延层，其设置在第一区域和第二区域中，其中，外延层具有第一导电类型；掩埋层，其设置在外延层下方，其中，掩埋层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；第一高浓度杂质区域，其设置在...

提供了一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；多个存储有源区，每个存储有源区具有长轴和短轴，并被布置为保持沿短轴的存储有源区之间的第一距离并保持沿长轴的存储有源区之间的第二距离；多个逻辑有源区，每个逻辑有源区包括至少P沟道金属氧化物半导体...

本发明涉及电容器、制造其的方法和包括其的电子器件。电容器包括：第一电极；设置成面向所述第一电极的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的介电层；以及设置在所述第一电极和所述介电层之间的导电界面层。所述导电界面层包括设置在所述第一...

根据实施例的电子装置可以在显示器上基于第一亮度显示画面的同时，从触摸传感器获取数据。电子装置可以基于通过数据识别的并且与在显示器上执行的触摸输入相关联的至少一个接触点，识别触摸输入是否与用于调节显示器的第一亮度的预设手势相对应。电子装置...

提供了一种3电平脉冲幅度调制（PAM3）发送器、PAM3发送器的操作方法以及包括该PAM3发送器的电子设备。PAM3发送器包括被配置为将输入数据转换为PAM3信号的驱动器、电连接到驱动器的输出端子并且被配置为监视PAM3信号的上眼图和下...

提供了一种具有图像传感器信号处理的方法和装置。一种处理器实现的方法包括：获得滤色器阵列(CFA)输入图像，获得与CFA对应的图案信息，基于图案信息来对输入图像进行预处理，通过将预处理后的输入图像输入到人工神经网络(ANN)模型来生成推断...

公开了自动校准方法和自动校准系统。根据至少一个实例实施例的自动校准方法可包括：接收至少一个内部方程、与半导体装置设计相关联的输入数据和与半导体装置设计相关联的硬件数据；基于所述输入数据和所述硬件数据来生成至少一个近似函数；基于生成的所述...

提供存储控制器、存储装置和存储系统。所述存储控制器包括：处理器，被配置为处理来自外部的针对数据的命令；数据存储器，被配置为将所述数据存储为高速缓存数据；标签存储器，被配置为存储关于高速缓存数据的替换的优先级；以及高速缓存控制器，被配置为...

本公开涉及用于支持比诸如长期演进(LTE)的第4代(4G)系统更高的数据传输速率的第5代(5G)或准5G通信系统。根据实施例，一种由E2节点执行的方法可以包括用于向近实时(RT)无线电接入网(RAN)智能控制器(RIC)发送E2建立请求...

根据本公开的一示例的洗碗机包括：主体；桶，设置于所述主体的内部；门，开闭桶；洗涤剂自动投入装置，布置于门，并配置为向桶的内部投入固体(solid)洗涤剂。洗涤剂自动投入装置包括：存储室，被配置为多个固体洗涤剂在上下方向上堆叠而装载；以及...

公开了一种用于循环退出的系统和方法。单元调度器包括命令队列、报告队列、接口和单元控制器。命令队列被配置为存储用于在迭代过程中进行执行的命令，该迭代过程用于使用具有多头注意力(MHA)机制和解码器的变换器模型的应用。报告队列被配置为存储关...

公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一上电力线和第二上电力线，沿第一方向延伸并且在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开；第一半导体图案；第二半导体图案，在第二方向上与第一半导体图案间隔开；第三半导体图案，在第二方向上与第二半导体图...

提供了具有沟道结构的半导体装置。所述半导体装置可包括：位线，在第一水平方向上延伸；模制结构，在位线上；沟道结构，包括与位线的上表面接触的水平部分和从水平部分的一端向上延伸的垂直沟道部分；栅电极，在沟道结构上；以及接合垫结构，在垂直沟道部...

提供一种处理基底的方法。所述方法包括：在基底处理设备的台上提供基底；以及对台上的基底进行处理。对基底进行处理包括：将源功率提供到基底处理设备；以及将偏置功率提供到基底处理设备。将偏置功率提供到基底处理设备包括：将第一非正弦波提供到台的等...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种UE的方法包含：从基站接收关于体验质量（QoE）测量的配置信息，其中配置信息包括指示用于发送QoE测量的报告的信令无线电承载（SRB）的信息；通过基于配置信息执行QoE测量来生...

根据本公开的实施例，一种用于制造显示器的中继板可以包括：透明板；透明缓冲材料，该透明缓冲材料设置在板下方；以及图案层，该图案层设置在板与缓冲材料之间并且包括被形成以便面向显示器的多个像素芯片的多个图案化的孔。

本公开提供了基于电子装置中的发热来控制数据吞吐量的电子装置和方法。根据实施例，电子装置可包括：显示器，被配置为包括至少一个生物特征识别传感器的输入单元，至少一个处理器，以及被配置为包括指令的存储器。所述指令可被配置为，当执行所述指令时，...

本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：基体绝缘层，其包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；沟道层，其位于所述基体绝缘层的所述第一表面上；源极/漏极图案，其沿与所述基体绝缘层的所述第一表面平行的第一方向...

本公开涉及一种用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。

提供了一种光束转向器件，包括：相变材料层；金属层，在相变材料层上；网格结构，在相变材料层和金属层之间；以及电源，连接到金属层，并且被配置为向金属层供应电流，其中，网格结构被配置为输出在相变材料层中行进的光。