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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64087项专利
集成电路器件制造技术
一种集成电路器件包括:衬底,所述衬底包括背面;鳍型有源区,所述鳍型有源区从所述衬底突出,以在所述衬底上限定沟槽区;器件隔离层,所述器件隔离层在所述沟槽区中覆盖所述鳍型有源区中的每一个鳍型有源区的侧壁;通孔电源轨,所述通孔电源轨在所述鳍型...
包括静电放电(ESD)电路的半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:第一焊盘,被配置为接收和发送信号;第二焊盘,被输入预定参考电压;以及静电保护电路,包括电连接到第二焊盘并且掺杂有第一导电类型杂质的发射极区域、具有在第一方向和第二方向上围绕发射极区域的形状并且掺杂有与第一导电类型杂质...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:基板;设置在基板上的位线;设置在位线上的第一绝缘图案;设置在第一绝缘图案上的第一字线;设置在位线上并在第一方向上与第一字线隔开的沟道图案;设置在第一字线上并在第二方向上延伸的第二绝缘图案;设置在沟道图案上的第三绝缘图...
半导体器件制造技术
本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括:沟道层;阻挡层,所述阻挡层位于所述沟道层上并且包括与所述沟道层中包括的材料比具有不同的能带隙的材料;栅电极,所述栅电极位于所述阻挡层上;栅极半导体层,所述栅极半导体层位于所述阻挡层与所述栅电...
电平移位器以及包括电平移位器的存储器件制造技术
本公开提供了电平移位器以及包括电平移位器的存储器件。所述电平移位器包括:第一电路,所述第一电路基于输入信号将第一输出节点和第一中间节点下拉,并且基于所述输入信号的反相输入信号将第二输出节点和第二中间节点下拉;以及第二电路,所述第二电路在...
基于AI的图像编码设备和图像解码设备及其图像编码和解码方法技术
提供了一种基于人工智能(AI)的图像解码方法和一种执行基于AI的图像解码方法的装置。根据基于AI的图像解码方法,从比特流获得当前块的残差块的变换块,通过将当前块的预测块、当前块的相邻像素和编解码上下文信息应用于神经网络来生成变换块的变换...
DOHERTY功率放大器和包括其的电子设备制造技术
提供了一种无线通信系统的Doherty功率放大器。Doherty功率放大器可以包括:第一级,包括第一功率放大器和第二功率放大器;第二级,包括第三功率放大器和第四功率放大器;耦合器,在第一级与第二级之间;以及负载阻抗,连接到第二级。第一功...
下一代移动通信系统中收集和报告移动性历史信息的方法和设备技术方案
本公开涉及用于将支持比4G系统更高的数据传输速率的5G通信系统与IoT技术相融合的通信技术及其系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务,诸如智能家庭、智能建筑、智能城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零...
包括具有开关的显示器的电子装置制造方法及图纸
一种包括具有开关的显示器的电子装置,根据本公开的实施例的电子装置可以包括:包括第一板和第二板的壳体,其中第一板包括开口;至少部分地通过开口暴露并且包括触摸传感器的显示面板;第一支撑构件,其沿着开口的一侧的至少一部分耦接至第一板的一部分和...
对半导体工艺进行建模的方法和系统技术方案
提供对半导体工艺进行建模的方法和系统。所述方法包括:基于定义子工艺步骤和测量步骤的输入数据获得测量值;基于测量步骤,将子工艺步骤分组为分别与多个模块对应;以及基于分组的子工艺步骤和测量值,训练机器学习模型以预测半导体装置中的至少一个特性...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括:第一下图案,沿第一方向延伸并包括沿第二方向相对的第一和第二侧壁及沿第三方向相对的上表面和下表面;沟道分离结构,沿第一方向延伸并接触第一下图案的第一侧壁;场绝缘膜,接触第一下图案的第二侧壁;第一沟道图案,在第一下图案的...
输入缓冲器电路和包括其的电源管理集成电路制造技术
提供了输入缓冲器电路和电源管理集成电路。输入缓冲器电路包括低电压发生器、第一滞后缓冲器以及第一双电源电平移位器。低电压发生器连接到具有第一电压电平的第一电源电压,基于第一电源电压生成镜像电流,并生成具有小于第一电压电平的第二电压电平的第...
用于生成振动声音信号的电子设备及方法技术
电子设备可以包括至少一个处理器、麦克风、扬声器和电机。该至少一个处理器可以识别用于操作电机的控制信号。该至少一个处理器可以基于控制信号的识别来识别通过麦克风输入的声音的力度。如果通过麦克风输入的声音的力度等于或大于阈值,则该至少一个处理...
非易失性存储器装置制造方法及图纸
公开了非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括:存储器阵列,包括表示每条字线的N位的位序列的N+1个电阻式存储器单元,其中,N是大于或等于2的整数。
集成电路器件及其制造方法技术
发明构思涉及一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括:在衬底上在第一水平方向上延伸的鳍型有源区;在衬底上设置在鳍型有源区上并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸的栅极线;设置在鳍型有源区上并在第一水平方向上与栅极线相邻设置的...
存储设备和存储设备的运行方法技术
提供了一种存储设备和存储设备的运行方法。所述存储设备包括:多功能控制器,所述多功能控制被配置为控制由主机请求的多个功能;断电保护(PLP)电容器,所述PLP电容器被配置为向所述存储设备提供辅助电力;以及PLP控制器,所述PLP控制器被配...
用于执行垃圾回收的方法以及支持该方法的电子装置制造方法及图纸
公开了一种包括存储装置和主机的电子装置。所述主机可被配置为:基于与所述电子装置相关的至少一条信息,确定将由所述存储装置执行的垃圾回收(GC)的起始点和所述GC的吞吐量;基于所述确定,将关于所述GC的起始点和所述GC的吞吐量的信息发送到所...
非易失性存储器装置及其操作方法和存储装置的操作方法制造方法及图纸
提供非易失性存储器装置及其操作方法、以及包括非易失性存储器装置和存储控制器的存储装置的操作方法。存储控制器的存储装置的操作方法包括:由存储控制器向非易失性存储器装置发送包括检错启用信息的设定特征命令;由存储控制器向非易失性存储器装置发送...
数模转换器电路、包括该数模转换器电路的电子设备及该数模转换器电路的控制方法技术
提供了一种数模转换器(DAC)电路、包括该数模转换器电路的电子设备及该数模转换器电路的控制方法。DAC电路包括:串行器电路,包括多个复用器,并且被配置为使用多个复用器将数字形式的并行代码转换为串行代码;以及单元阵列,包括多个单位单元,并...
具有半导体间隔物的晶体管器件及其制造方法技术
提供了晶体管器件和形成晶体管器件的方法。晶体管器件包括衬底和衬底上的晶体管堆叠。晶体管堆叠包括下晶体管和在下晶体管的顶部上的上晶体管。此外,晶体管器件包括在上晶体管和下晶体管之间的半导体间隔物。
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