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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64087项专利
冰箱制造技术
该冰箱包括具有储藏室的主体、可旋转地耦接到主体以打开或关闭储藏室的门、以及设置在门的后表面中以当门关闭时暴露于储藏室的供水装置。该供水装置包括:供水壳体,具有桶安装空间;水位传感器,被设置为检测安装在桶安装空间中的水桶的水位;第一供水端...
用于在第二设备上显示第一设备的位置的方法和电子设备技术
本公开公开了一种用于在第二设备上显示第一设备的位置的方法和电子设备。该方法包括:检测第一设备相对于电子设备的位置的位置坐标,其中,第一设备的位置坐标对应于第一设备在第一坐标系中的位置坐标。该方法还包括:将第一设备在第一坐标系中的位置坐标...
一种用于处理视频的设备及其操作方法技术
一种用于处理包括图像信号和混合音频信号的视频的电子设备,包括:存储器,被配置为存储用于处理视频的至少一个程序;以及至少一个处理器,被配置为:通过使用第一人工智能(AI)模型,从图像信号和混合音频信号生成音频相关信息,该音频相关信息指示包...
用于控制虚拟设备的显示的电子设备、其方法以及其非暂时性计算机可读存储介质技术
该电子设备可以包括麦克风、通信电路和处理器。处理器可以被配置为基于对通过麦克风获取的语音信号的辨识,识别语音命令,所述语音命令用于通过虚拟设备的显示器的显示,虚拟设备通过使用用于通过所述电子设备控制另一设备的软件应用来注册。处理器可以被...
用于波束管理和覆盖增强的方法和装置制造方法及图纸
用于发送或接收信号或信道的装置和方法。一种由无线通信系统中的用户设备UE执行的方法,该方法包括:经由无线电资源控制RRC信令接收多个传输配置指示TCI状态的信息,该多个TCI状态包括第一TCI状态和第二TCI状态;基于从基站接收的指示,...
半导体器件制造技术
本发明提供了半导体器件,包括:第一电极线,设置在基板上,第一电极线在第一方向上延伸;第二电极线,设置在第一电极线之上,第二电极线在不同于第一方向的第二方向上延伸;第一存储单元,设置在第一电极线和第二电极线的交叉处并在第一电极线和第二电极...
半导体器件制造技术
提供了一种半导体器件,包括下电极、在下电极上的上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构。电介质层结构包括与下电极接触的第一电介质层、与第一电介质层接触的第二电介质层以及与上电极接触的第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介...
半导体存储器装置制造方法及图纸
一种半导体存储器装置包括:导电图案,在基底上;下电极,连接到导电图案,并包括第一和第二部分;一个或多个电极侧壁支撑件,支撑下电极并接触下电极的侧壁;电极覆盖支撑件,设置在下电极上并接触下电极的顶面;电容器介电膜,在下电极、电极侧壁支撑件...
半导体器件制造技术
一种半导体器件可以包括:第一下有源接触部;第一源/漏图案,在第一下有源接触部上;第二下有源接触部;第二源/漏图案,在第二下有源接触部上;下导电层,电连接到第一下有源接触部和第二下有源接触部;第三源/漏图案和第四源/漏图案,在第一源/漏图...
利用交通灯识别模型的方法和装置制造方法及图纸
公开了一种利用被配置为识别交通灯的对象识别模型来检测交通灯的方法。该方法包括:从车辆中包括的相机获得输入图像,该输入图像在由相机捕获的包括先前帧在内的帧之中;基于关于交通灯对象的先验信息,估计针对输入图像的第一感兴趣区域(RoI);基于...
用于处理使用超透镜获取的图像的电子设备及其操作方法技术
提供一种用于从使用超透镜获得的图像获得识别对象的结果的电子设备、以及一种电子设备的操作方法。根据本公开的实施例的电子设备可以包括:超透镜,具有形成在其表面上并由具有彼此不同的形状、高度和面积的多个柱或销组成的图案,并具有通过表面上的图案...
半导体存储器件制造技术
一种半导体存储器件包括:基板;电容器结构,包括在基板上的下电极、在下电极上的电容器电介质层以及在电容器电介质层上的上电极;电荷绝缘层,在电容器结构上;以及布线接触插塞,在电荷绝缘层中延伸并电连接到上电极,其中上电极包括在电容器电介质层上...
存储器控制器、存储设备以及存储器控制器的操作方法技术
提供了存储器控制器、存储设备以及存储器控制器的操作方法。所述存储设备,包括:存储器设备,其包括多个裸片;以及存储器控制器,其从主机接收至少一个命令且将所述至少一个命令传送到所述存储器设备,其中所述存储器控制器将从所述主机接收到的命令存储...
操作存储系统的方法和存储系统技术方案
本申请涉及操作存储系统的方法和存储系统。提供了一种操作包括主机和存储设备的存储系统的方法。根据所述方法,由所述主机向所述存储设备查询所述存储设备中的多个非易失性存储器设备的存储空间的设备填充率,由控制所述多个非易失性存储器设备的存储控制...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括下晶体管和位于比下晶体管高的垂直水平处的上晶体管。下晶体管包括下源极/漏极区以及与下源极/漏极区的侧表面接触的下栅极结构和下隔离绝缘层。上晶体管包括上源极/漏极区以及与上源极/漏极区的侧表面接触的上栅极结构和上隔离绝缘...
包括光谱滤波器的图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置制造方法及图纸
提供了一种包括光谱滤波器的图像传感器以及电子装置。图像传感器包括传感器基板和光谱滤波器,所述传感器基板包括被配置为感测光的多个像素,所述光谱滤波器被配置为将入射光分离成至少四个不同的波段,并且将分离的入射光提供给多个像素。光谱滤波器包括...
用于复用CSI以进行多TRP相干联合传输的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了用于在无线通信系统中复用信道状态信息(CSI)以进行多发送接收点(TRP)相干联合传输的方法和装置。该方法包括:接收关于与N<subgt;trp</subgt;≥...
用于量化神经网络模型的设备和方法技术
公开了一种电子装置。所述电子装置包括存储器和至少一个处理器,并且所述至少一个处理器:获得关于神经网络模型以及用于神经网络模型的测试数据和所需性能条件的信息;通过对包括在所述神经网络模型中的多个层中的至少一个层进行量化来获得第一量化神经网...
列冗余电路和包括列冗余电路的存储器装置制造方法及图纸
提供一种列冗余电路和包括列冗余电路的存储器装置。存储器装置的示例列冗余电路包括:预解码器电路、主解码器电路和移位逻辑电路。预解码器电路被配置为从多个故障列地址接收较低列地址,并执行第一解码操作,并且从所述多个故障列地址接收较高列地址,并...
半导体器件以及包括半导体器件的数据存储系统技术方案
本公开提供了半导体器件以及包括半导体器件的数据存储系统。一种半导体器件包括:第一基板结构,所述第一基板结构包括基板、位于所述基板上的第一电路器件、延伸到所述基板中的第二电路器件、穿透所述基板并且位于所述第二电路器件之间的栅极隔离层;以及...
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