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三M创新有限公司专利技术
三M创新有限公司共有10779项专利
具有铈盐添加剂的高耐久性燃料电池元件制造技术
提供了一种包括聚合物电解质膜的燃料电池膜电极组件,所述聚合物电解质膜包括含有结合的阴离子官能团的聚合物,其中所述聚合物电解质膜另外包含铈阳离子。在另一方面,提供了一种包括聚合物电解质膜的燃料电池膜电极组件,所述聚合物电解质膜包括含有结合...
含有铈氧化物添加剂的高耐久性燃料电池元件制造技术
本发明提供了一种含有聚合物电解质膜的燃料电池膜电极组件,所述聚合物电解质膜包括高度氟化的聚合物电解质和分散其中的至少一种铈氧化物化合物。此外,提供了一种制备燃料电池聚合物电解质膜的方法,所述方法包括以下步骤:a)提供含有酸性官能团的高度...
z轴导电流场隔板制造技术
柔性导电流场隔板包括由柔性材料形成并且具有第一和第二表面的基底层。在基底层的第一表面上限定出结构化流场图形。结构化的流场图形限定出一个或多个流道。隔板包括由一种或者多种金属形成并且设置在基底层的第一表面上的第一层。第一层由导电材料形成。...
用于膜电极组件的垫圈模铸系统技术方案
本发明是用于将垫圈模铸到膜电极组件的系统。该系统包括:腔体,其至少部分地由封闭的模块限定;至少一个注口,用于将垫圈材料注入到所述腔体;支架,用于使膜电极组件保持在邻近所述腔体位置;以及模具镶件,用于对保持在所述支架上的膜电极组件施加压力...
基于具有高硅含量的非晶态合金的电极组合物制造技术
一种用于锂离子电池的电极组合物,包括如式Si↓[x]M↓[y]Al↓[z]所示的非晶态合金,其中x、y和z代表原子百分比值,且(a)x+y+z=100,(b)x≥55,(c)y<22,(d)z>0,和(e)M为选自锰、钼、铌、钨、钽、铁...
增强的离子传导膜制造技术
一种包括含有第一离聚物的第一层和多孔聚合物基底的离子传导膜,其中所述第一离聚物的至少一部分通过离聚物诱导的相分离渗透到多孔聚合物基底中。
适用于锂离子电池的电极的含硅合金制造技术
用于锂离子电池的电极组合物,如式Si↓[x]Sn↓[q]M↓[y]C↓[z]所示,其中q、x、y和z代表原子百分比值,并且(a)(q+x)>2y+z;(b)q≥0,(c)z≥0;和(d)M为选自锰、钼、铌、钨、钽、铁、铜、钛、钒、铬、镍...
制备膜电极组件的方法技术
一种制备五层膜电极组件的方法,所述方法包括如下步骤:提供催化剂涂覆的膜幅材;提供层合位置,其中所述催化剂涂覆的膜幅材在形成层合辊隙的层合辊对之间拖曳;模切气体扩散层材料的第一幅材和第二幅材,用以制备第一气体扩散层和第二气体扩散层;将所述...
含有酸性聚合物的燃料电池电解质膜制造技术
一种由酸性聚合物和经氟化的低挥发性酸形成的电解质膜,所述低挥发性酸基本上不含碱性基团,并且是低聚或非聚合的。
半导体芯片的制造方法技术
提供一种用于制造半导体芯片的方法,包括,在透光支撑件上涂敷光致发热转换层,假如在照射辐射能时,光致发热转换层将辐射能转变为热量以及由于该热量分解;通过将电路表面和光致发热转换层放置为互相面对,通过光可固化的粘合剂层叠半导体晶片和透光支撑...
改进短波长LED以用于多色、宽波段或“白光”发射制造技术
本发明提供了一种改进的LED,包括短波长LED和再发射半导体结构,其中该再发射半导体结构包括至少一个不位于pn结内的势阱。典型地该势阱是量子阱。该改进的LED可以是白光或接近白光LED。该再发射半导体结构还可包括围绕或靠近或直接相邻于该...
配备隆起块的芯片或封装组件的封装方法技术
本发明提供了一种通过底填充料连接半导体芯片和基底的封装方法,在进行操作确认测试之后,热固化底填充料。配备隆起块的半导体芯片或封装组件的封装方法,包括如下步骤:将热流性和热固性底填充料置于配备隆起块的半导体芯片或封装组件与基底之间;在高到...
LED安装结构制造技术
一种LED组件,包括: 基板; 细长安装结构,其在所述基板上形成;以及 LED,其包括第一机械附接支架和第二机械附接支架,所述LED通过机械的方式固定到所述细长安装结构上,使得所述细长安装结构在所述第一机械附接支架和所述第 ...
含有带甲硅烷基乙炔基基团的并苯-噻吩共聚物的电子器件制造技术
描述了包含并苯-噻吩共聚物的电子器件和制造这种电子器件的方法。更具体地讲,所述并苯-噻吩共聚物具有连接的甲硅烷基乙炔基基团。所述共聚物可用于(例如)半导体层中或布置在第一电极和第二电极之间的层中。
带有会聚光学元件的LED封装制造技术
本发明公开了一种光源,其包括:具有发光表面的LED晶粒;及光学元件,其包括基部、小于所述基部的顶端以及在所述基部和所述顶端之间延伸的会聚侧面,其中所述基部光耦合到所述发光表面并尺寸不大于所述发光表面,且其中所述光学元件引导所述LED晶粒...
由高折射率玻璃组成的LED提取器制造技术
一种LED提取器,具有适于与LED晶粒的发射面光学耦合的输入面,并且由折射率为至少2或至少2.2的玻璃(包括玻璃陶瓷)材料构成。
制造LED提取器阵列的方法技术
一种制造提取器阵列的模制操作:提供具有多个腔体的模具,其中每个腔体适于形成适用于耦合到LED晶粒的提取器;使用多个玻璃粒子填充该模具;将玻璃粒子加热至其玻璃化转变温度以上,使得粒子再成形以适形于该腔体形状;并形成在腔体之间延伸的基体层。...
利用多层含硅密封剂制备发光器件的方法技术
本文公开了一种制备LED发光器件的方法。所述方法包括:通过使LED与第一密封剂或第一可光聚合的组合物接触,然后使所述第一密封剂与第二可光聚合的组合物接触,从而形成与LED接触的多层密封剂,所述第一密封剂为有机硅凝胶、硅橡胶胶料、有机硅液...
利用含硅组合物制备发光器件的方法技术
本发明公开了一种制备发光器件的方法。所述方法包括提供发光二极管;提供光学元件;用可光聚合的组合物将所述光学元件附连到所述发光二极管,所述可光聚合的组合物包括含硅的树脂以及含金属的催化剂,其中所述含硅的树脂包括硅键合的氢以及脂肪族不饱和基...
具有再发光半导体构造的适用的LED装置制造方法及图纸
本发明公开了一种制品,该制品包括具有再发光表面的LED。再发光半导体结构具有发射表面并将有所述LED发射的光转化为不同波长的光。所述发射表面的至少一个阻止全内反射。
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