本发明所提供的发光二极管阵列在矩阵驱动方式的发光二极管阵列中，通过对各单元内流入发光部的绕入电流量进行均匀化，使各单元内的发光部的发光输出和驱动电压均匀。本发明的发光二极管阵列具有导电层、各自独立的多个发光部、将发光部划分成单元的第一沟...

本发明提供一种光吸收系数小、具有高透明度，同时可以确保充分的导电性的氮化物系半导体衬底及其制造方法。在蓝宝石衬底（１１）上形成ＧａＮ膜（１２）和Ｔｉ膜（１３）后，在氢气和氨气的混合气氛中加热，转变成多孔ＴｉＮ薄膜（１４）后，在多孔ＴｉＮ...

本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底（１）上形成至少由ｎ型包层（４）、活性层（５）、ｐ型包层（６）构成的发光部...

本发明提供在确保充分的导电性的同时，具有高的导热率和高的电子迁移率的氮化物系半导体衬底以及半导体装置。氮化物系半导体衬底是由具有直径大于等于２５ｍｍ且厚度大于等于２５０μｍ的尺寸的氮化物系半导体构成的衬底，其特征为，ｎ型载流子浓度为１．...

本发明提供一种自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，能够通过与衬底支架的贴紧度良好，且减少ＧａＮ自支撑衬底的翘曲来提高氮化物半导体元件的合格品成品率。使用正面（Ｇａ面）（２）被镜面研磨且反面（Ｎ面）（３）的算术...

本发明提供了即使衬底面内存在因晶体翘曲而产生晶体取向偏差的情况下，发光波长偏差仍然很小的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及发光波长的衬底面内均一性优良的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系发光元件。本发明的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底是由Ⅲ－Ⅴ族氮...

本发明提供了即使使用具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体也可以维持外延特性的面内均一性、确保器件的高成品率和高可靠性的氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及使用该氮化物系半导体衬底的氮化物系半导体发光器件用外延衬底。在直径２５ｍｍ以上的异...

本发明提供了在形成了发光器件结构时可以减小发光波长、发光输出、元件寿命的偏差、提高发光器件成品率的氮化物半导体自支撑衬底和使用该衬底的氮化物半导体发光元件。形成的氮化物半导体自支撑衬底的晶格常数的偏差为±１２ｐｐｍ以下，使用该氮化物半导...

本发明提供一种用于太阳能电池模块的连接引线，该连接引线电连接太阳能电池模块内的单元串之间，使邻近配置的引线之间可靠地电绝缘，并且能够提高生产率、降低成本。在用互连器串联连接多个太阳能电池单元并排列这些已连接的太阳能电池单元而构成的太阳能...

本发明提供一种太阳能电池用连接引线，它在连接Ｓｉ单元后的热收缩时，Ｓｉ单元的翘曲少，并且具有高导电性，并提供它的制造方法和太阳能电池。本发明中的太阳能电池用连接引线（１２）对太阳能电池的Ｓｉ单元的指定的触点区域用高温连接，在截面是矩形状...

本发明提供光取出层的层厚没有变薄而被粗糙面化的半导体发光元件。对于这种半导体发光元件，具有包括活性层６和光取出层４的多个半导体层，具有反射金属膜层１１，上述光取出层４包括组成比例不同的多个层２３、２４，这些多个层２３、２４均形成有用于使...

本发明提供一种不减薄光取出层的层厚就能实现粗糙化的半导体发光元件。所述半导体发光元件具有包括活性层（６）和光取出层（４）的多个半导体层，且具有反射金属膜层（１１），所述光取出层（４）由组成比不同的多个层（２３、２４）构成，仅在这些多个层...

本发明提供应力缓和能力优良的半导体装置、层叠型半导体装置以及用于该半导体装置的内插器基板，所述的应力产生于内插器基板和印刷配线板（母板）之间，或者层叠型半导体装置的半导体装置之间。ＢＧＡ型半导体装置（２０）具备含有绝缘基板（１）和配线图...

本发明提供散热性提高的ＬＥＤ组件。ＬＥＤ组件具有：具有可进行倒装芯片安装的电极（７）的ＬＥＤ元件（１４）；具有两层以上的金属层（１１、１２）和在金属层（１１、１２）的层间包含高分子树脂的电绝缘层（１０）的布线衬底（１６）；传导ＬＥＤ元件...

本发明提供高品质的Ⅲ族氮化物半导体衬底。本发明的Ⅲ族氮化物半导体衬底由Ⅲ族氮化物单晶构成，具有２５．４ｍｍ以上直径和１５０μｍ以上厚度的衬底的外形尺寸的根据温度变化算出的线膨胀系数为α，所述衬底的晶格常数的根据温度变化算出的线膨胀系数为...

本发明提供一种高效率且能大电流通电的发光二极管。在由活性层（１４）和从两侧夹住该活性层（１４）的下部包覆层（１３）及上部包覆层（１５）构成的ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半导体层的上侧，设置圆形状的引线接合用电极（１９）和与其连接的十字形的电流...

本发明提供一种发光元件，其在抑制放射角产生的发光强度和波长的分散同时，可提高光取出效率。在基板（１）上具有含有发光层（４）的化合物半导体层的发光元件（１０），该发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部分上具备介电率变化...

本发明提供一种半导体发光元件，其在维持发光输出的同时，还能降低正向电压且可靠性优异。半导体发光元件具备Ｓｉ衬底（１）、金属密合层（２）、反射金属层（３）、ＳｉＯ↓［２］膜（４）、欧姆接触接合部（５）、含有Ｍｇ掺杂的ＧａＰ层（６Ａ）和Ｚｎ...

本发明涉及化合物半导体晶片、发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括含有发光层（２２）的化合物半导体晶体层（２）和通过金属层（５）被粘结到晶体层（２）的导电基底（６）。所述金属层（５）包括在所述化合物半导体晶体层（２）的一个主要表面上...

本发明涉及安装在移动器械内等的小型天线。其提供一种用树脂成形体将金属导体做成一体，能够使模具便宜的小型天线。该小型天线有就位于电路基板（５０）上的接地片（１６），在从该接地片（１６）立起的同时，形成与电路基板（５０）平行延伸的逆Ｆ天线元...