发光二极管阵列，其特征在于，具有：在基片上形成的导电层、在前述导电层上形成的各自独立的发光部、在各发光部上面的至少一部分形成的第一电极、和接近前述发光部并在前述导电层上形成的第二电极；前述第一电极具有开关用的矩阵共电极、前述第二电极具有...

本发明提供一种不会发生透明导电膜剥离、能以低工作电压发光而且可实现高亮度的发光二极管。发光二极管包括：半导体基板；在层叠于上述半导体基板上的第１导电型复合层与第２导电型复合层之间设活性层的发光部；设在该发光部的上部，由金属氧化物构成的透...

本发明是关于具有较低位错密度并且表面的载流子浓度分布基本上均匀的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法。本发明提供了位错密度低，并且具有足够厚度的载流子浓度偏差范围较小的表面层的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体自支撑衬底及其制造方法。该半导体衬底...

本发明提供用于制备以低驱动电压获得高发光输出的发光元件的氮化物半导体自立基板。其是｛２０－２４｝衍射面及｛１１－２４｝衍射面的至少一者的Ｘ射线衍射半幅值为小于等于５００秒、直径为大于等于１０ｍｍ的氮化物半导体自立基板，其形成步骤为：（１...

本发明涉及用于生长半导体等、特别是Ⅲ族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平均开口部直径小于与第一多孔层相比更靠近于基板侧的第二多孔层的空隙的平...

本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为０．００５μｍ～０．１μｍ的一次粒子的球形度为０．５～０．７５的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径...

本发明的目的在于提供一种不必增加剥离处理时间，也能够容易地形成尺寸精度优异的微细图案的半导体装置的制造方法。其中，表面抗蚀剂层（１５）是仅有所述图案曝光区域以外作为通常的正型抗蚀剂来显影。然后，底层的抗蚀剂层（１３）是反转成负型的表面抗...

本发明提供了太阳能电池用偏平导体以及太阳能电池用连接导线，其特点是，即使在硅结晶晶片厚度很薄的情况下，与连接导线连接时，硅结晶晶片也不易产生翘曲或破损。将体积电阻率小于等于５０μΩ.ｍｍ且拉伸试验中的０．２％屈服强度值小于等于９０ＭＰａ...

本发明提供能够在基板上平坦且杂质分布均匀地生长化合物半导体层的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体基板，以及能够在短时间简便地评价是否为能够在基板上平坦且杂质分布均匀地生长化合物半导体层的基板的评价方法。其采用如下方案：在自立的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体...

通过将液相外延法中所使用的衬底的面内的位错密度最大值设定在适当范围内，提供了价格低且结晶性良好的高质量的外延晶片。在使用晶舟法在ＧａＡｓ衬底３上液相外延生长的具有叠层结构（单异质结构、双异质结构、双异质结构.除去衬底型中的任一种）的ＬＥ...

本发明提供可有效除去晶片表面的Ｍｇ、Ｃａ的半导体晶片的洗涤方法以及由该方法得到的晶片。在该半导体晶片的洗涤方法中，采用具有极弱的蚀刻作用的洗涤液有机碱系洗涤液洗涤后，为了除去晶片表面的Ｃａ、Ｍｇ，用高纯度有机溶剂例如异丙醇进行洗涤。

在把含高浓度ｐ型掺杂物的接触层作为最上层的半导体发光元件中，获得除了有效抑制来自上述接触层的掺杂物扩散、且是高亮度而且低驱动电压之外，在驱动半导体发光元件方面，还能预防出现时效性的发光输出降低以及驱动电压上升的结构。提供一种半导体发光元...

本发明提供了一种在发光二极管阵列中即使采用ＬＥＣ法的半绝缘性ＧａＡｓ衬底，也不会发生由于ｐ型ＧａＡｓ导电层中的Ｐ型掺杂剂的扩散引起短路不良的外延结构。在半绝缘性ＧａＡｓ衬底（３０）上以ｐ型ＧａＡｓ导电层（１１）为中间媒介外延生长多个化合...

本发明的目的在于提供使以下两种方法相协调的方法，这两种方法就是：使ＬＥＤ结构表面粗糙而提高取光效率的方法、与避免低成本的电极焊接点的不良影响的方法（（１）形成基于金属或金属氧化物的透明导电膜的电流分散层，（２）形成倒装片结构）。在衬底上...

本发明提供可防止相对输出随时间降低以及反向电压（Ｖｒ）随时间降低、高辉度并且高可靠性的半导体发光元件。该半导体发光元件，其在第１导电型半导体衬底１上形成有第１导电型包覆层４、非掺杂活性层５、第２导电型包覆层６、第２导电型中间层７及第２导...

本发明提供了能够大幅度减少发生闸流管不良的外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法。在设置于液相外延生长装置内的ｐ型ＧａＡｓ衬底（１）上，依次液相外延生长ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性层（２）、ｎ型ＧａＡｌＡｓ包覆层（３），然后实施直接在液相外延...

本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底（１）上由晶体生长来至少形成ｎ型包层（３）、活性层（４）、ｐ型包层（５）、ｐ型缓冲层（６）、ｐ型接触层...

本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由ｎ型包覆层、活性层和ｐ型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于１×１０...

本发明涉及在外延成长后不追加工序而提供高成品率、高光取出效率的发光二极管用外延片和发光二极管。对于该发光二极管用外延片，在ｎ型ＧａＡｓ衬底２上，通过ＭＯＶＰＥ法依次成长ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ包覆层３、ＡｌＧａＩｎＰ活性层４和ｐ型ＡｌＧａＩｎ...

本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件，在衬底上形成至少由ｎ型包覆层、活性层、ｐ型包覆层形成的发光部；发光部的上部中的ｐ型掺杂剂浓度为大于等于１×１０↑［...