外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法技术

本发明专利技术提供了能够大幅度减少发生闸流管不良的外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法。在设置于液相外延生长装置内的ｐ型ＧａＡｓ衬底（１）上，依次液相外延生长ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性层（２）、ｎ型ＧａＡｌＡｓ包覆层（３），然后实施直接在液相外延生长装置内再度升温的热处理，制成外延晶片。外延生长后，通过再度升温的热处理，使得与ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性层（２）之间的接合界面附近的ｎ型ＧａＡｌＡｓ包覆层（３）中所含有的碳的峰浓度下降，因此在组成界面附近不发生ｐ型转变层，可以得到不产生闸流管不良的外延晶片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管用，尤其涉及改善了pn结部附近的外延层中的碳浓度分布的。
技术介绍
通常，采用液相外延法制作红色发光二极管用外延晶片时，使用Zn(锌)作为p型掺杂剂。Zn具有在进行外延生长的温度(900～700℃)下非常容易扩散的性质。因此，在如图4所示的以往的单异质结构的外延晶片中，由于p型GaAs衬底1上的p型GaAlAs活性层2的p型掺杂剂Zn扩散到n型GaAlAs包覆层3中，在n型GaAlAs包覆层3的接合界面附近产生p型转换层10而形成pnpn结，导致发光二极管显示可控硅特性不良(闸流管不良)。因此，为了防止在组成界面附近产生p型转换层10，人们探讨了增加n型GaAlAs包覆层3的掺杂剂Te(碲)量或者减少p型GaAlAs活性层2的Zn量的方法。此外，目前已经知道，为了减少衬底和活性层的界面附近的Zn浓度，在发光二极管用外延晶片的生长过程结束后实施热处理(例如特开2004-111433号公报)。
技术实现思路
但是，如上所述，如果为了防止闸流管不良，增加n型GaAlAs包覆层3的Te量，n型GaAlAs包覆层3的结晶性就会恶化，导致辉度下降。另外，如果减少Zn量，就本文档来自技高网...

【技术保护点】
外延晶片的制造方法，其特征在于，使用石墨制的生长夹具，采用液相外延法在ｐ型ＧａＡｓ衬底上依次形成ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性层、ｎ型ＧａＡｌＡｓ包覆层，然后在同一工艺过程中实施热处理，以减少上述ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性层和上述ｎ型ＧａＡｌＡｓ包覆层之间的接合界面附近的上述ｎ型ＧａＡｌＡｓ包覆层中所含有的碳的峰浓度。

【技术特征摘要】
JP 2005-9-27 2005-2809621.外延晶片的制造方法，其特征在于，使用石墨制的生长夹具，采用液相外延法在p型GaAs衬底上依次形成p型GaAlAs活性层、n型GaAlAs包覆层，然后在同一工艺过程中实施热处理，以减少上述p型GaAlAs活性层和上述n型GaAlAs包覆层之间的接合界面附近的上述n型GaAlAs包覆层中所含有的碳的峰浓度。2.外延晶片的制造方法，其特征在于，使用石墨制的生长夹具，采用液相外延法在p型GaAs衬底上依次形成p型GaAlAs包覆层、p型GaAlAs活性层、n型GaAlAs包覆层，然后在同一工艺过程...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田幸弥，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]