发光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种不会发生透明导电膜剥离、能以低工作电压发光而且可实现高亮度的发光二极管。发光二极管包括：半导体基板；在层叠于上述半导体基板上的第１导电型复合层与第２导电型复合层之间设活性层的发光部；设在该发光部的上部，由金属氧化物构成的透明导电膜；形成于上述透明导电膜的表面一侧的第１电极；和形成于上述半导基板的背面全面或背面的一部分的第２电极；其中，在上述发光部与上述透明导电膜之间还具有由至少含铝的化合物半导体构成的透明导电膜剥离防止层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及由AlGaInP系化合物半导体构成的发光二极管，尤其是涉及可防止由金属氧化物构成的透明导电膜剥离的、亮度高制造成本低的发光二极管。
技术介绍
以往，发光二极管(LED)几乎都是GaP(磷化镓)的绿色、AlGaAs(砷化铝镓)的红色发光二极管。但是，近年来，采用MOVPE(MetalOrganIc Vapor PhaSe EpItaxy有机金属气相生长)法使GaN(氮化镓)系或AlGaInP(磷化铝镓铟)系的结晶层生长的技术不断发展，除了红色的以外，还可以制造具有橙、黄、绿及蓝等多种期望的发光波长的LED。关于LED，为了获得高亮度，重要的是要使基片(chIp)内均匀地发光，为了达到该目的有必要使电流分散良好。作为解决这一课题的方法，已知有加厚电流分散层(也称窗层)的厚度等方法。但是，存在如下问题，即，在制造LED用取向生长晶片(epItaxIAl wafer)方面，花费在电流分散层的形成上的成本变高，结果制造LED用取向生长晶片的成本变高。为降低LED的制造成本，最好是使电流分散层厚度变薄。这就需要低阻抗的取向生长层，并要求具有高载流子浓度的取向生长层。然而，在Al本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：半导体基板；在层叠于该半导体基板上的第１导电型复合层与第２导电型复合层之间设活性层的发光部；设在该发光部上部，由金属氧化物构成的透明导电膜；形成于该透明导电膜表面一侧的第１电极；和形成于上述半导基板背面全面或背面一部分上的第２电极；其特征在于：在上述发光部与上述透明导电膜之间还具有由至少含铝的化合物半导体构成的透明导电膜剥离防止层。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-31 2003-097028;JP 2003-3-31 2003-0970301.一种发光二极管，包括半导体基板；在层叠于该半导体基板上的第1导电型复合层与第2导电型复合层之间设活性层的发光部；设在该发光部上部，由金属氧化物构成的透明导电膜；形成于该透明导电膜表面一侧的第1电极；和形成于上述半导基板背面全面或背面一部分上的第2电极；其特征在于在上述发光部与上述透明导电膜之间还具有由至少含铝的化合物半导体构成的透明导电膜剥离防止层。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于上述透明导电膜剥离防止层含有浓度大于等于1×1019cm-3的决定导电型的杂质。3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于上述透明导电膜剥离防止层，以小于等于300nm的膜厚而形成。4.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于上述透明导电膜由氧化铟鍻构成。5.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于上述透明导电膜剥离防止层由砷化合物构成。6.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于上述发光部由(AlXG...

【专利技术属性】
技术研发人员：今野泰一郎，新井优洋，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]