半导体装置、电路基板以及电子设备制造方法及图纸

一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置、电路基板以及电子设备(electronicinstrument)。
技术介绍
随着对例如移动电话、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)那样的便携电子设备的小尺寸和轻量化的需求，人们正致力于减小例如被装配在便携电子设备内的半导体芯片那样的各种电子元件的尺寸。例如，尝试过对半导体芯片的封装方法进行革新，当前，提供了一种被称为芯片尺寸封装(CSP)的超小型封装。利用这种CSP技术制造的半导体芯片的封装表面积基本上与半导体芯片的表面积相等，因此，可以实现高密度封装。因此，因为存在这种持续的趋势，即要求这些电子设备具有更小的尺寸和更多的功能，所以需要更进一步增加半导体芯片的封装密度。在这种背景下，近些年来已经出现了三维封装技术的开发。这种三维封装技术是这样一种技术通过把具有相同功能的半导体芯片或具有不同功能的半导体芯片堆叠在一起，然后通过布线把各个半导体芯片连接在一起，来实现高密度的半导体芯片封装(参见待审的日本专利申请公开(JP-A)No.2001-53218)。在该三维封装技术中，当堆叠多个半导体芯片时，通过利用象焊料那样的钎焊材料(brazing mate本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底；形成在所述通孔的内壁上的第一绝缘膜；以及被形成在所述通孔内的所述第一绝缘膜的内侧上的电极，其中在所述半导体衬底的背面侧的所述第一绝缘膜伸出所述背面之外， 以及所述电极伸到所述半导体衬底的有源面侧和所述背面侧上，所述电极在所述有源面侧的突出部分的外径大于在所述通孔内的所述第一绝缘膜的外径，并且所述电极在所述背面侧的突出部分进一步伸出所述第一绝缘膜之外，以便使其侧面暴露。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-28 2003-0910451.一种半导体装置，包括具有在其中形成的通孔的半导体衬底；形成在所述通孔的内壁上的第一绝缘膜；以及被形成在所述通孔内的所述第一绝缘膜的内侧上的电极，其中在所述半导体衬底的背面侧的所述第一绝缘膜伸出所述背面之外，以及所述电极伸到所述半导体衬底的有源面侧和所述背面侧上，所述电极在所述有源面侧的突出部分的外径大于在所述通孔内的所述第一绝缘膜的外径，并且所述电极在所述背面侧的突出部分进一步伸出所述第一绝缘膜之外，以便使其侧面暴露。2.一种半导体装置，包括多个根据权利要求1所述的半导体装置，该多个半导体装置被垂直地堆叠，其中一个半导体衬底的有源面侧对着另一个半导体衬底的背面侧，其中通过钎焊材料，所述多个半导体装置的一个半导体装置的电极的突出部分被电连接到所述多个半导体装置的另一个半导体装置的电极的突出部分，以及其中所述钎焊材料形成圆角，该圆角把位于所述一个半导体衬底的所述有源面侧的所述一个半导体装置的所述电极的所述突出部分的外表面焊接到位于所述另一个半导体衬底的所述背面侧的所述另一个半导体装置的所述电极的所述突出部分的侧面，所述侧面伸出所述第一绝缘膜之外，并且被暴露。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：原一巳，横山好彦，宫泽郁也，山口浩司，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]