本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对ＡｌＧａＩｎＰ系发光二极管的分布布拉格反射器使用ＡｌＧａＡｓ层和ＡｌＩｎＰ层的组合，并将其...

本发明提供了可以以较小的力从电子装置用基板一侧剥下芯基板，来减轻为了使电极面在下面露出的化学或电化学溶解法或机械研磨作业的负荷，并且能够进一步缩小尺寸的电子装置用基板及其制造方法、以及电子装置及其制造方法。在由金属构成的芯基板（１０１）...

本发明研究的目的是降低ｎ型ＩｎＧａＡｓ非合金层的电阻。在半绝缘性ＧａＡｓ衬底（１）上，顺次形成ｎ型次集电极层（２）、ｎ型集电极层（３）、ｐ型基极层（４）、ｎ型发射极层（５）和ｎ型ＩｎＧａＡｓ非合金层（１０），ｎ型ＩｎＧａＡｓ非合金层１０...

本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片（１０）的表面侧至少叠层ｐ型包层（４）、活性层（３）、ｎ型包层（２）的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部（１４），在上述ｎ型包层及...

本发明提供了可以在不损害发光元件原有功能的前提下，流过２０Ａ／ｃｍ↑［２］密度的电流所必需的电压不到３Ｖ，可以在比以往更低的电压下工作的氮化物半导体发光元件。多重量子阱（１５）中所含有的Ｉｎ↓［ｂ］Ｇａ↓［１－ｂ］Ｎ阻挡层的Ｉｎ组成比ｂ...

本发明提供一种ＡｌＧａＩｎＰ系结构的、能够减小发光亮度的降低、低功耗化且能获得高可靠性的发光二极管。该发光二极管（１０）设有在ＧａＡｓ基板（１）上形成的发光部（４）、由ＡｌＧａＩｎＰ组成的中间层（５）及电流扩散层（６）。发光部４的结构是...

本发明提供了一种不会增加活性层的层厚，不会增厚半导体层，不会增大第一电极的面积，电流分散特性就能得到提高的半导体发光元件。其是在具有第一、第二导电型包覆层（２、３）和活性层（４）的半导体发光元件（１）中，在第一导电型包覆层（２）与活性层...

本发明提供一种压电元件，其为使用了Ｓｉ基板的压电元件，能够抑制压电常数ｄ↓［３１］的施加电压依存性。本发明涉及的压电元件包括：Ｓｉ基板、在Ｓｉ基板之上形成的、一般式为（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ↓［３］的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电膜以及在Ｓｉ基板...

本发明提供一种发光装置，其可以提高光取出效率、使活性层发光区域的亮度和发热均一、抑制元件间驱动电压和寿命的参差不齐。本发明的发光装置具备：含有发光层的半导体层叠结构；在半导体层叠结构的一个表面上形成的上部电极；在中心与上部电极的中心对应...

本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片（１０）的表面侧至少叠层ｐ型包层（４）、活性层（３）、ｎ型包层（２）的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部（１４），在上述ｎ型包层及...

本发明提供一种能够提高元件的成品率的ＧａＮ自支撑衬底及ＧａＮ自支撑衬底的制造方法。本发明涉及的ＧａＮ单晶具备衬底表面和包含在衬底表面上的极性反转区，极性反转区在衬底表面上的个数密度为２０ｃｍ↑［－２］以下。

本发明提供一种带有压电薄膜的基板，即便使具有无铅压电体的带有压电薄膜的基板构成的压电元件长期连续进行压电动作后，也能够抑制压电元件的压电常数ｄ↓［３１］的降低。本发明涉及的带有压电薄膜的基板包括：具有第一热膨胀系数的基板，在规定的成膜条...

本发明提供一种氮化物半导体自支撑衬底，该衬底包括与Ｃ面倾斜０．０３°～１．０°表面，并且在Ｃ轴与整个衬底表面上的每个点处的切线之间所限定的角度最大时的偏离方向（ｏｆｆ－ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）在与六重对称Ｍ轴方向的特定Ｍ轴方向的角度为０...

一种发光二极管，具有限定为发光部分的双杂结构的外延层，该层通过一台面部分与基片相连，在基片与相邻的一外延层之间设置台面部分而形成一空腔层，空腔层中可灌入树脂。还提供了一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：生长出具有高混合晶体比例的－Ａ...

增加可靠性的、具有增强亮度的外延半导体晶体板或晶片和其制造方法以及发光二极管。具体安排双异质结构外延晶片使得Ｐ型镀层２与Ｐ型ＧａＡｌＡｓ有源层３之间界面和Ｎ型ＧａＡｌＡｓ镀层４与ＧａＡｌＡｓ有源层３之间界面的氧浓度为１×１０↑［１７］ｃ...

通过在Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ夹层和Ｐ型ＧａＰ窗口层之间，插入一层带隙能量低于Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ夹层带隙能量的插入层，可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用，所以ＬＥＤ的正向电压得到了降低。

衬底１上形成凹凸部分，非晶硅层４形成在按点形分散设在凹凸部分的凹坑部分中的金属催化剂３上，从金属催化剂３生长有各个取向的晶相５，晶相５经连续热处理而相互聚集并形成多晶硅层６。结晶硅半导体器件及其制造方法有价格优势，能有效形成用于半导体器...

玻璃衬底上设透明电极，透明电极上设非晶硅层。设置镍层作金属催化剂元素，金属催化剂元素与非晶硅层表面接触，之后，热处理非晶硅层使其结晶，由此形成Ｐ型多晶硅层。该多晶硅层有晶体取向和高结晶度。用该多晶硅层作籽晶形成有晶体取向和高结晶度的Ｐ＿...

一种表面安装型发光元件，包括一个发光器件，一个与发光器件的第一电极导电连接的第一引线，一个与发光器件的第二电极导电连接的第二引线，一个透明绝缘体用于将发光器件、连接发光器件第一电极与第一引线的连接部件和连接发光器件第二电极与第二引线的连...

本发明涉及发光输出大的发光二极管阵列，特别是涉及能够适用于电子照片方式的打印机光源的发光二极管阵列。本发明的发光二极管阵列具有在基板上形成的导电层、在导电层上形成的各自独立的多个的发光部、在各发光部上面的至少一部分上形成的第一电极和接近...