本发明涉及具有锁紧机构的光收发机。本发明提供一种简化了锁紧机构部件的带锁紧机构的光收发机。本发明将致动器部分（７）和转动杆部分（９）做成一个整体部件，致动器部分（７）在向后方撞击时将可动锁紧构件（５）嵌入锁定孔（４）内，在向前方撞击时使...

由一种金属带形成的金属管，该金属带被弯成圆形以在两侧边缘处对接，该边缘对接部分被焊接以形成对接的焊缝。该金属管包括内侧铁基层，设置在该基层上的铬层和设置在铬层上的氧化铬外层。氧化铬层最好将其外表面弄粗以提供相对成型工具的一种适当摩擦阻力。

本发明提供一种可实现高输出功率的光纤激光器，并且在作为光源的同时兼作作为传导激光的传输路径的新型光纤激光器用光纤。光纤激光器用光纤（１）具备中空纤芯区域（１１）、具有在光纤长度方向上延伸且包围上述中空纤芯区域（１１）的多个空孔（１２）的...

本发明提供了抑制ｐ型掺杂剂向ｐ型包覆层和活性层扩散的半导体发光元件用外延晶片及其制造方法，以及使用该外延晶片、可以进行稳定的大功率输出运作和高温运作并且具有高可靠性的半导体发光元件。该半导体发光元件用外延晶片的结构是，在由ＧａＡｓ构成的...

本发明提供一种激光二极管用外延晶片，其中的ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ包覆层中的ｐ型载流子浓度均匀、且ｐ型杂质的扩散少。本发明提供的激光二极管用外延晶片具有双异质结构，在ｎ型ＧａＡｓ衬底（１）上，依次至少层叠由ＡｌＧａＩｎＰ系材料构成的ｎ型包覆层...

本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，以及采用该半导体发光元件用外延晶片来制作的半导体发光元件，该半导体发光元件用外延晶片能控制Ｚｎ从ｐ型接触层向ｐ型包覆层和活性层的扩散量。本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，在ｎ型ＧａＡｓ基板（...

本发明提供一种能高效地进行向双包层光纤的侧面激发的光纤激光器及光纤激光器的激发方法。光纤激光器具备在已添加稀土类元素的芯（２２）的周围具有包层（２３）的光纤（２１）、和从该光纤（２１）的侧面入射激发光的激发光源，光纤（２１）在包层（２３...

在初始基片上沉积一层金属膜，初始基片可以是单晶蓝宝石基片、带有生长在蓝宝石基片上的单晶ＧａＮ膜的基片或单晶半导体基片中的任何一种。然后在金属膜上沉积一层ＧａＮ膜以形成层状基片。由于采用了以上这种结构，在生长了ＧａＮ膜之后，ＧａＮ膜可以很...

本发明提供使得由ＧａＡｓ构成的ｐ型复盖层的Ｚｎ不向披覆层和活性层扩散的发光器件用外延片，进而提供可以得到能够进行稳定的高输出工作和高温工作、且可靠性高的ＬＥＤ和ＬＤ的发光器件。本发明的半导体发光器件用外延片，是在ｎ型衬底（１）上至少顺次...

本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体层的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体晶...

本发明提供了一种采用垂直布里奇曼法、垂直温度梯度凝固法制造的添加硅的砷化镓基板，基板的载体浓度在０．１×１０↑［１８］～５．０×１０↑［１８］／ｃｍ↑［３］范围内，基板面内载体浓度的最大值和最小值在小于等于基板面内平均载体浓度的１０％范...

提供通过光学式的定位方式提高以劈开面作为基准的调合掩模图形时的精度及可以实现提高工序合格率的半导体激光单晶晶片。提供一种半导体激光用单晶晶片，将由劈开形成取向平面的晶片的表面用高硬度的研磨布且在适当地按压晶片压力及研磨速率下，使晶片表面...

本发明提供了使外延层在基板上生长时，不需要新保护膜的形成、除去工序，并且可以维持洁净的镜面的定向平面的半导体外延晶片及其制造方法。半导体外延晶片是，由具有通过解理形成的定向平面（２）的基板（１）和形成于该基板（１）上的半导体外延层构成，...

本发明提供确保基板加热时的面内匀热性及基板操作容易的Ⅲ族氮化物半导体基板。在作为Ⅲ族氮化物半导体基板的ＧａＮ基板（１）的外周形成ＯＦ部（２）。ＧａＮ基板（１）的Ⅲ族极化面（４）外周侧的倒角部（６）为ＧａＮ基板（１）的圆弧部，在ＯＦ部（２...

本发明提供价廉且可靠性较高、能以大功率工作的光纤激光器。本发明的光纤激光器，在对部分地添加有稀土类元素的光纤（２）导入激励所述稀土类元素的激励光（３）而使激光（９）振荡的光纤激光器（１）中，将光纤（２）卷绕在芯部件（４）的外周，对该卷绕...

本发明提供一种使光纤自身具有断线检测功能的光纤维激光器装置用光纤。在具备实心的芯部（２）和包层（３）并传送高输出功率的激光的光纤维激光器装置用光纤（１）中，以与上述包层（３）邻接的方式形成金属层（６）。

本发明的目的在于提供抑制光纤激光器中的光纤温度上升、谋求激光的大功率化的光纤激光器用光纤及其制造方法和光纤激光器。本发明的光纤激光器用光纤，具备添加了稀土族元素的稀土族添加芯（２）和形成在上述稀土族添加芯周围的包层（３），从包层（３）的...

本发明的目的在于提供不在芯中添加多种添加物的情况下也能使添加了稀土族元素的芯和包层的折射率相等、从而能够获得高的光输出的光纤激光器用光纤。本发明的光纤激光器用光纤１具备：添加了稀土族元素的稀土族添加芯２，形成在上述稀土族添加芯２周围的包...

本发明提供一种闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底，其中，闪锌矿型结构的氮化物半导体相对于纤维锌矿结构的氮化物半导体的比例高到能够形成实用的发光装置的比例，同时，还提供该闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底的制造方法和使用该闪锌矿型氮化物半导体自支...

本发明提供一种电子模块（１），其可减少弹键机构所需的空间并可有效利用安装空间。在可自由插拔地设置于盒（２）中的模块主体（３）上具备在插入到该盒（２）中时与在盒（２）上形成的卡合孔（４）卡合的弹键部件（５），在模块主体（３）上可自由转动地...