本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。一种在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述透明导电性薄膜均为氧化铟...

本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法，其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B)，所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施...

本发明涉及有机硅树脂、密封材料和光半导体装置，所述有机硅树脂是在硅氢化催化剂的存在下让具有下述式(1)所示的基团的笼型八聚倍半硅氧烷与含有摩尔数比上述笼型八聚倍半硅氧烷的氢化硅烷基的摩尔数少的烯基的含烯基聚硅氧烷反应而得到的。式中，R1...

本发明涉及粘合剂组合物及其应用。本发明提供粘合剂组合物、该粘合剂组合物的制造方法及具有由该粘合剂组合物形成的粘合剂层的粘合片。本发明提供由包含水性溶剂和分散于该水性溶剂中的粘合成分的水性分散液构成的粘合剂组合物。上述粘合成分含有丙烯酸类...

本发明提供光波导用树脂组合物以及使用其的光波导，所述光波导用树脂组合物容易通过碱显影液形成芯图案，能抑制此时碱显影液的劣化并期待生产率的提高。光波导用树脂组合物以具有下述通式(1)所示的结构单元的碱可溶性树脂为主要成分，并含有用于其固化...

本发明提供一种晶圆支架制作方法。向半导体晶圆的电路面上涂布液态的粘接剂，将支承板贴合在涂布面上，在保持该支承板的状态下磨削半导体晶圆的背面，借助支承用的粘合带将半导体晶圆支承在环框上，从半导体晶圆分离支承板，然后向在半导体晶圆上成为膜状...

本发明提供透明导电性薄膜及触摸面板，所述透明导电性薄膜在将透明导电层图案化了的情况下也可以将图案部P和图案开口部O的可视性差异抑制在较小的程度。所述透明导电性薄膜在透明薄膜基材1上依次具备第1电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层...

本发明涉及光学半导体器件，其包含：其上安装有LED芯片的基材；包埋所述LED芯片的封装树脂层；无机高导热层；和含有无机磷光粉的波长转换层，其中所述封装树脂层、所述无机高导热层和所述波长转换层依次直接或间接层压在所述基材上。

本发明涉及光学压敏胶粘片、包含所述光学压敏胶粘片的液晶显示器和输入装置。特别地，本发明提供一种光学压敏胶粘片，当用于层压构成电容型接触面板的构件时，所述光学压敏胶粘片对构成电容接触面板的构件显示优异的粘附性能，且不会对所述接触面板的性能...

本发明提供即使在使用湿式粉碎的情况下也可以在烧结前预先减少磁铁粒子所含有的碳量、在烧结后的磁铁的主相与晶粒间界相之间不产生空隙、并且可以将磁铁整体致密地烧结的永久磁铁及永久磁铁的制造方法。将粗粉碎而得到的磁铁粉末在有机溶剂中利用珠磨机进...

本发明提供即使使用湿式粉碎的情况下也可以在烧结前预先减少磁铁粒子所含有的碳量的永久磁铁及永久磁铁的制造方法。将粗粉碎而得到的磁铁粉末与相当于M-(OR)x(式中，M包含作为稀土元素的Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一种，R为由烃构成的取代...

本发明提供可以将磁铁整体致密地烧结、可以防止磁铁特性下降的永久磁铁及永久磁铁的制造方法。在粉碎而得到的钕磁铁的微粉末中加入添加有M-(OR)x(式中，M为Dy或Tb，R为由烃构成的取代基，可以为直链或支链，x为任意的整数)表示的有机金属...

本发明提供使通过煅烧处理而活化的煅烧体的活性度下降的永久磁铁及永久磁铁的制造方法。在粉碎而得到的钕磁铁的微粉末中加入添加有M-(OR)x(式中，M为V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb，R为由烃构成的取代基，可以为直链或支链，x为任意的...

本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆加工用粘合片，其在各种环境下的保存稳定性优异、使用后还可以防止对被粘物的污染，另外，贴合在半导体晶圆的电路图案形成面时，对形成电路图案的台阶的随动性优异且经时的浮起量稳定性优异。一种半导体晶圆加工用粘...

本发明提供密封构件、密封方法及光半导体装置的制造方法，密封构件包括长条的剥离薄膜和由密封树脂构成的、沿剥离薄膜的长度方向以彼此隔着间隔并列配置的方式层叠在剥离薄膜之上的多个密封树脂层。

本发明的目的在于，提供可以防止剥离时不防静电的被粘物带电且可以降低对被粘物的污染、粘接可靠性出色的粘合剂组合物，以及使用该组合物的防静电性的粘合片类以及表面保护薄膜。另外，本发明的目的还在于，提供可以防止剥离时不防静电的被粘物带电且可以...

本发明提供在烧结后的磁铁的主相与晶粒间界相之间不产生空隙并且可以将磁铁整体致密地烧结的永久磁铁及永久磁铁的制造方法。在粉碎而得到的钕磁铁的微粉末中加入添加有M-(OR)x(式中，M为V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb，R为由烃构成的取...

本发明提供可以使有机金属化合物中所含的V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb偏在地配置于磁铁的晶粒间界处的永久磁铁及永久磁铁的制造方法。在粉碎而得到的钕磁铁的微粉末中加入添加有M-(OR)x(式中，M为V、Mo、Zr、Ta、Ti、W或Nb...

本发明提供在烧结后的磁铁的主相与晶粒间界相之间不产生空隙并且可以将磁铁整体致密地烧结的永久磁铁及永久磁铁的制造方法。在粉碎而得到的钕磁铁的微粉末中加入添加有M-(OR)x(式中，M为Dy或Tb，R为由烃构成的取代基，可以为直链或支链，x...

本发明提供可以有效地使微量的Dy或Tb偏在于磁铁的晶粒间界处、虽然减少Dy或Tb的使用量但是可以通过Dy或Tb充分提高矫顽力的永久磁铁及永久磁铁的制造方法。在粉碎而得到的钕磁铁的微粉末中加入添加有M-(OR)x(式中，M为Dy或Tb，R...