含有［A］成分：聚硅氧烷和［B］成分：溶剂的用于形成i射线光刻用含硅抗蚀剂下层膜的组合物。

本发明的课题是提供用于形成膜密度、硬度、杨氏模量、扭曲耐性(图案的弯曲耐性)高，由此具有高的蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂...

一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]成分：聚硅氧烷，以及[C]成分：溶剂，所述聚硅氧烷包含来自水解性硅烷(A)的结构单元，所述水解性硅烷(A)具备具有与芳香族环直接键合的碘原子的芳基磺酰基和具有与芳香族环直接键合的碘原子的芳基...

提供一种包括半导体基板的清洗工序的半导体基板的制造方法和包括这样的半导体制造方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗工序的组合物，所述半导体基板的清洗工序能以简便的操作、更短时间且更干净地将粘接层从在表面具有该粘接层的半导体...

本发明涉及液晶取向剂、液晶取向膜、液晶显示元件及其制造方法，提供不会产生显示不均等缺陷、透射率高的液晶显示元件。进而，提供用于该液晶显示元件的液晶取向膜、以及用于制作该液晶取向膜的液晶取向剂。一种液晶取向剂，其含有下述(A)成分和(B)...

本发明涉及液晶取向剂、液晶取向膜、液晶显示元件及其制造方法。提供不产生与液晶的取向不均相伴的显示不均的液晶显示元件。还提供用于该液晶显示元件的液晶取向膜以及用于制作该液晶取向膜的液晶取向剂。一种液晶取向剂，其含有A成分和B成分。A成分：...

提供除了耐蚀刻性、耐热性以外，还使固化性、产生的升华物的量、膜厚的面内均匀性、平坦化性、埋入性等各种其它各特性也令人满意的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法和半导体装置的制造方法...

本发明提供一种保护膜形成用组合物，其包含具有酚羟基及羧基中的至少一种的聚合物(A)、含乙烯基醚基的交联剂(B)、光产酸剂(C)及溶剂(D)。

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含酚醛清漆树脂(A)和溶剂(B)，上述酚醛清漆树脂(A)具有酚性羟基和与芳香族烃环直接键合的卤原子。

本发明的催化剂组合物包含烃系离聚物、催化剂和催化剂载体，所述烃系离聚物包含具有下述通式（I）所示结构的高分子化合物，所述烃系离聚物相对于所述催化剂载体的碳的质量比为0.10～1.20。（上述通式（I）中，n为1～2，o为1～3，p为0～...

提供适于在半导体基板上的导电配线图案间通过加热而形成空腔的空腔形成用组合物等。一种空腔形成用组合物，是用于在半导体基板上的导电配线图案间形成空腔的空腔形成用组合物，其含有聚合物和溶剂，上述聚合物包含脂环式烃的结构部位且不包含芳香族烃的结...

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式（1）所示的重复单元的聚合物（A）和溶剂（B）。（式（1）中，X1表示具有环结构和直接键合于所述环结构的碘原子的2价基团。X2表示2价基团。A1、A2、A3、A4、A5和A6各自独立地表示氢...

为了通过更简便的方法提供能够在输送将半导体基板进行切割而获得的各个半导体芯片时保护半导体芯片避免伴随输送的损伤的带有保护膜的半导体芯片，提供可以容易地形成被配置在半导体芯片的半导体芯片制造用保护膜的半导体芯片制造用保护膜形成用组合物。一...

本发明以提供进一步改善了抗蚀剂下层膜的固化性、耐蚀刻性、平坦化性、埋入性等特性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂图案的形成方法和半导体装置的制造方法作为目的。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，上述...

一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]成分：聚硅氧烷，以及[C]成分：溶剂，所述聚硅氧烷包含来自下述式(A‑1)所示的水解性硅烷(A)的结构单元。#imgabs0#(式(A‑1)中，a和b各自独立地表示1～3的整数。c表示0～2...

本发明的课题是提供使二氧化硅粒子分散于用于与聚酰亚胺、聚酰胺系的极性树脂相容性良好地混合的含氮溶剂的硅溶胶、将这些硅溶胶和树脂混配而得的绝缘性树脂组合物、和长时间持续高的绝缘寿命的绝缘被覆导线。解决手段是一种硅溶胶，是具有5～100nm...

一种层叠体，其特征在于，用于使用光刻或电子束光刻技术来制造光学衍射体，所述光学衍射体具有：基板；以及光学衍射光栅层，其配置在所述基板上且具有多个槽，所述层叠体具有：所述基板；前体层，其配置在所述基板上，通过形成所述多个槽而成为所述光学衍...

提供不发生与被形成在上层的抗蚀剂膜的混合，能够抑制抗蚀剂图案形成时的LWR［线宽粗糙度，线宽的波动(粗糙度)］的恶化的抗蚀剂下层膜形成用组合物。包含(A)酚系抗氧化剂，上述酚系抗氧化剂的芳环上的酚性羟基的邻位或对位的碳原子之中的至少一个...

本发明提供电荷传输性组合物，其包含：含有式(1)的聚噻吩衍生物或其胺加成物的电荷传输性物质、选自含有氟烷基的硅烷等的有机硅烷化合物、金属氧化物纳米粒子和有机溶剂。(R1和R2相互独立地为氢原子、碳数1～40的烷氧基、‑O‑[Z‑O]p‑...

提供适合用于硬涂、紫外线遮蔽层、防反射膜、及衍射光学元件材料等的光学薄膜，耐光性、透明性及压印等的加工性优异，且具有高折射率的核壳型金属氧化物粒子，及其制造方法。一种核壳型金属氧化物粒子(C)，其中，用包含钛氧化物的金属氧化物(A2)来...