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日产化学株式会社专利技术
日产化学株式会社共有988项专利
用于形成膜密度提高了的抗蚀剂下层膜的组合物制造技术
本发明的课题是提供用于形成膜密度、硬度、杨氏模量、扭曲耐性(图案的弯曲耐性)高,由此具有高的蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂...
液晶取向剂、液晶取向膜、液晶显示元件、化合物以及聚合物制造技术
提供一种液晶取向剂、由该液晶取向剂得到的液晶取向膜以及使用了该液晶取向膜的液晶显示元件以及能用于它们的化合物和聚合物,所述液晶取向剂能得到液晶取向膜的膜强度优异、并且液晶的取向均匀性优异的液晶取向膜。一种液晶取向剂,其含有聚合物(A),...
抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术
本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含化合物(A)和溶剂(B),所述化合物(A)含有具备链状α,β‑不饱和羰基的侧链或末端。
热固性光取向膜用树脂组合物制造技术
本发明的课题是提供能够充分地减少液体组合物中的甲醛浓度,并且抑制甲醛随着时间经过而增加的固化膜形成用组合物。解决手段是一种固化膜形成用组合物,其包含:(A)具有光取向性基的化合物;(B)聚合物,上述聚合物具有:具有N‑羟基甲基或N‑烷氧...
液晶取向剂、液晶取向膜、以及液晶表示元件制造技术
本发明涉及液晶取向剂、液晶取向膜、以及液晶表示元件。本发明涉及一种含有以下成分(A)、(B)和(C)的液晶取向剂:(A)选自由聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚有机硅氧烷、聚酯、聚酰胺、和具有聚合性不饱和键的单体的聚合物组成的组中的至少...
能够湿式去除的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术
本发明提供一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物,其含有水解性硅烷混合物的水解缩合物和有机溶剂,在所述水解缩合物中,硅烷醇基的至少一部分被醇系化合物封端,所述含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物是用于形成在碱性药液中显示可溶性的含硅抗蚀剂下层膜的组合物。
吡唑化合物及有害生物防除剂制造技术
提供一种新型杀菌剂、尤其农园艺用杀菌剂。提供式(1)所示的吡唑化合物或其盐。式中,G代表G‑1,G1代表C1~C6卤代烷基等,T代表氧原子,RX代表C1~C6烷基等,RY代表氢原子等,R1代表氢原子等,R2代表氢原子等,R3代表氢原子等...
液晶取向剂、液晶取向膜以及液晶显示元件制造技术
提供一种液晶取向膜和液晶取向剂,所述液晶取向膜和液晶取向剂提供具有高预倾角的液晶显示元件。一种液晶取向剂,其特征在于,含有下述(B)成分。(B)成分:具有下述式(1)所示的重复单元结构的聚合物(B)。(W表示具有选自由碳原子数4~40的...
液晶取向剂、液晶取向膜以及液晶显示元件制造技术
本发明提供一种能得到以比以往高的水平抑制AC残像的液晶取向膜的液晶取向剂、该液晶取向膜以及使用了该液晶取向膜的液晶显示元件。一种液晶取向剂,其特征在于,所述液晶取向剂含有选自由具有由下述式(1)表示的重复单元(a1)的聚酰亚胺前体和作为...
耐化学液性保护膜制造技术
提供能够形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜,并且干蚀刻时的蚀刻速度快,能够高蚀刻速率(ER)化的保护膜形成用的组合物,该组合物也能够有效地用作抗蚀剂下层膜形成用的组合物。是一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其包含:(A...
液晶取向剂、液晶取向膜以及液晶显示元件制造技术
提供一种液晶取向膜,即使在利用光取向法的取向处理中的光照射量少的情况下,也抑制AC残像。此外,提供一种液晶取向膜,能减小液晶取向膜面内的液晶分子的扭转角的不均(不均匀性)。一种液晶取向剂,其含有聚合物(P),该聚合物(P)是选自由使用如...
保护膜形成用组合物制造技术
本发明提供一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其包含成分(A):成膜成分、成分(B):具有直接键合了酰氧基的芳香族环的化合物、及成分(C):溶剂。
抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术
本发明以提供要求在蚀刻后密度和硬度高、不弯曲的抗蚀剂下层膜的特性的抗蚀剂下层膜、可以形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案的形成方法和半导体装置的制造方法作为目的。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含通过甘脲...
光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法技术
一种剥离剂组合物,其是光照射剥离用的剥离剂组合物,所述剥离剂组合物含有聚合物和溶剂,所述聚合物具有第一结构、第二结构以及第三结构,所述第一结构具有吸收光并对由所述剥离剂组合物形成的剥离剂层赋予剥离性的结构,所述第二结构在所述聚合物的主链...
抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术
一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含化合物(A)和溶剂(B),所述化合物(A)含有结合有酚性羟基的芳香族烃环,所述组合物的固化膜中的酚性羟基的氧的原子百分率为2.00%以上。
2’-O-修饰的腺苷亚磷酰胺及其中间体的制造方法技术
本发明提供下述式(7)表示的2’‑O‑修饰腺苷亚磷酰胺及其中间体的新型制备方法。式中,R2为可具有取代基的C1‑6烷基、可具有取代基的C7‑16芳烷基、可具有取代基的C2‑6烯基、可具有取代基的C2‑6炔基或可具有取代基的C6‑14芳基...
包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术
本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,...
粘接剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法技术
一种粘接剂组合物,其通过氢化硅烷化反应而固化,由所述粘接剂组合物形成的粘接剂层的伸长率为70%以上。
光照射剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法技术
本发明涉及一种光照射剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法,所述光照射剥离用粘接剂组合物的特征在于,能通过照射光而剥离,所述光照射剥离用粘接剂组合物包含粘接剂成分(S)和光吸收性有机化合物(X),所述光吸收性有机化合物...
无溶剂系有机无机杂化树脂组合物和固化膜制造技术
本发明提供一种无溶剂系有机无机杂化树脂组合物,该无溶剂系有机无机杂化树脂组合物可提供具有高弹性模量的构件。所述无溶剂系有机无机杂化树脂组合物包含下述成分(A)~(C),且在230℃以下烧成后,可得到具有自支撑性的树脂薄膜。(A)二氧化硅...
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