在备有ＡｌＩｎＰ电流阻挡层的ＡｌＧａＩｎＰ可视半导体激光器件中，提供可再降低电流阻挡层光吸收的结构及其方法。形成ｎ－ＡｌＧａＡｓ电流阻挡层９，使具有ｐ－ＡｌＧａＩｎＰ覆盖层５、７的平坦部和台面侧部的中间面方向，在其上形成ｎ－ＡｌＩｎＰ电...

本发明的课题是降低使用氮化镓系材料的半导体激光器的阈值电流密度。根据本发明，在低位错密度的ｎ型ＧａＮ衬底２１上，形成包含ｎ型覆盖层３３、和具有Ｉｎ↓［ｘ］Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ（０＜ｘ＜１，０≤ｙ≤０．２）发光层的多量子阱层...

在第二检测器２中直接地监视从可变波长光源单元２发射的部分光束，以用于ＡＰＣ电路１４的自动功率控制，该光束还部分通过一光透过率随波长而变化的波长滤光器５，并且在第一检测器６５被监视。在ＡＦＣ电路１５执行自动频率控制，同时通过使用滤光器输出...

在衬底主体的基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层，其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种，该组金属借助于热处理，促使从基层中去掉构成原子；借助于热能的提供，形成穿过所述金属层的许多小孔，并在基于氮化物的化合物半导体基层中形...

一种光脉冲串发生器是由第一和第二光谐振器（３，１２）以及一个光脉冲发生器（６）构成的。第一光谐振器（１２）中具有第一光路长度的第一光路。第二光谐振器（３）插入到第一光路中。第二光谐振器（３）中具有一个实际上等于第二光路长度的１／ｍ的第二...

一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，包括以下步骤，形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前，蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层，从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。

本发明提供可以发射接近圆形的基本横模的激光且工作电流及元件电阻低的氮化镓半导体激光器结构。在ＧａＮ构成的基底层的上部，按下部包覆层２、有源层４、上部包覆层７及电极的顺序层积，在有源层与下部包覆层之间和／或前述有源层与上部包覆层之间设置一...

一种边沿发光半导体激光器，其以简单的结构抑制“波束控制”来提高它的最大输出。作为共振器的光波导管包括有源层和覆层。与波导管的一端相连的第一边沿作为发射边沿。与波导管的另一端相连的第二边沿位于与第一边沿相对的一侧。波导管包括至少两个宽度不...

一种相移分布反馈型半导体激光二极管及其制造方法，包括，半导体基片（１１，３１）；在半导体基片上形成的光导层（１３ａ、３３ａ）在半导体基片和光导层之间形成的、具有相移区（１２ｃ，３２ｃ）的衍射光栅（１２、３２）；以及在光导层上形成的有源层...

作为能够满足激光束位置稳定性和输出稳定性要求的复合激光杆，是这样形成的，搀杂激光活性元素的激光杆紧密插入到与激光杆相同结晶结构的不搀杂的陶瓷管中空部分中，随后焙烧，除掉在激光杆和陶瓷管之间的界面上的间隙和应变，在焙烧后抛光陶瓷管的表面，...

为了提供一种具有较小扭曲的ＩＩＩ族氮化物半导体基片，本发明提供了一种方法，该方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底３１上，外延生长具有ＧａＮ低温生长缓冲层的ＧａＮ层３３；从由生长反应器中取出的基片上去除该蓝宝石衬底３１、ＧａＮ缓冲层３２和一小部...

本发明提供了一种能够以适中的价格实现单光纤双向长距离延伸的单光纤双向光传输系统。从第二光发射器输出的光信号通过光循环器、单光纤双向传输路径、光循环器和光学蓝／红滤光器而入射到光放大部分上。从第一光发射器输出的光信号通过色散补偿器和光学蓝...

提供一种在制造效率和器件可靠性上出色的半导体器件，及其制造方法。器件的侧面由划槽（１３）和解理面（１００）构成。

在具有用于将光输出到外部的光提取部件（１４）、用于布线的电极（１６）、以及用于电磁屏蔽的电极（１７）的透明板的后表面上，通过金属凸点（１５）将光学器件（１１）倒装贴装于光提取部件（１４）的正下方，将驱动ＩＣ（１２）倒装贴装于希望的位置。...

本发明提供一种能够降低消耗功率、工作稳定的波长可调谐激光器。波长可调谐激光器（１０）具有：多重环形谐振器（２０）；与环形谐振器（２１）连接的输入输出侧波导（１１）；与环形谐振器（２２）连接的反射侧波导（１２）；形成有多重环形谐振器（２０...

多晶ＡｌＮ３通过溅射方法沉积在ＳｉＯ↓［２］膜（２）的表面上，并且形成掩模。然后，在所形成的掩模上形成Ｓｉ掺杂的ｎ－ＧａＮ层５。随后，顺序生长出由Ｓｉ－掺杂的ｎ－型Ａｌ↓［０．１］Ｇａ↓［０．９］Ｎ（硅含量为４×１０↑［１７］ｃｍ↑［－...

一种可调谐激光器包括：多环形谐振器，包括分别具有环形波导和不同光程的多个环形谐振器；输入／输出侧光波导，耦合到多环形谐振器；光输入／输出器件，例如激光二极管，耦合到输入／输出侧光波导；反射侧光波导，耦合到多环形谐振器；光反射器，耦合到反...

一种可调谐激光器，包括：多环形谐振器，包括分别具有环形波导和不同光程的多个环形谐振器；输入／输出侧光波导，耦合到多环形谐振器；光输入／输出器件，例如激光二极管，耦合到输入／输出侧光波导；反射侧光波导，耦合到多环形谐振器；光反射器，耦合到...

目的在于实现一种在利用选择ＭＯＶＰＥ生长制造的半导体激光器中，抑制在宽幅部生长的再结合部的晶格弛豫，抑制漏电流，高可靠性的半导体激光器。利用选择ＭＯＶＰＥ生长制造半导体激光器时，通过作为氧化硅掩模１３的间隙的窄幅部１４上外延生长的ＤＨ台...

本发明提供一种高可靠性、高性能并且低价格的可调谐激光器，该可调谐激光器（１０）包括：通过定向耦合器（１２２）连接大小不同的环形谐振器（１１１、１１２）的二重环形谐振器（１１）；通过定向耦合器（１２１），一端（１３１）连接于环形谐振器（１...