【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，特别是涉及通过选择生长形成波导的。
技术介绍
通过在量子阱活性层中引入应变使价电子带结构变形，提高激光器特性的方法是公知的。但是，如果超过临界应变量地引入应变，则由于应变的弛豫而发生位错，降低半导体激光器的可靠性。因此，提出了一种应变补偿型量子阱结构，向势垒层引入与阱层相反方向的应变，使平均应变量不超过临界应变量。在非专利文献1、非专利文献2、非专利文献3中公开了在应变补偿型量子阱结构中，在平均应变量几乎为零的部位，量子阱的光学特性或半导体激光器的特性良好。并且，平均应变量ε(average)定义为下式式1ϵ(average)=Σi=1n(ϵi×di)d,d=Σi=1ndi]]>但是，具有应变的半导体层的数目设为j个，这些具有应变的半导体层所夹的无应变的半导体层的数目设为k个，n个(n＝j+k)半导体层层积而成的双异质台面带(ダブルヘテロメサストライプ)或再结合层上，第i个半导体层的应变量为εi，第i个半导体层的厚度为di。另一方面，全...
【技术保护点】
一种半导体激光器，在半导体基板上具有：双异质台面带，作为第１半导体层积体，通过选择生长形成，至少包括量子阱活性层；以及再结合层，作为第２半导体层积体，在上述选择生长时在上述双异质台面带的两侧离开一定距离地同时形成，其特征在于 ，在将平均应变量ε（ａｖｅｒａｇｅ）、临界应变量ε（ｃｒｉｔｉｃａｌ）定义为下式的情况下：【式１】ε（ａｖｅｒａｇｅ）＝＊（εｉ×ｄｉ）／ｄｄ＝＊ｄｉ其中，具有应变的半导体层的数目为ｊ个，这些具有应变的半导体层所 夹的无应变的半导体层的数目为ｋ个，在ｎ个（ｎ＝ｊ＋ｋ）半...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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