【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于形成第III主族氮化物半导体层的方法以及一种第III主族半导体器件。为了更全面的描述与本专利技术有关的现有技术的状况，此后本专利技术中将引用和指认了专利，专利申请，专利公开，科学文章等等，因而，在此可以结合参考它们的全部内容。然而，第III主族氮化物半导体不适于微处理性或蚀刻控制性，尽管改进和增加第III主族氮化物半导体的微处理性或蚀刻控制性是实现第III主族氮化物半导体器件所期望的高性能不可缺少的。在此情况下，用于改进微处理的控制性或微蚀刻的重要性已经被增加。上面所提到的技术中需要解决的问题将在后面结合一些典型的光学器件的例子而进行详细描述，比如半导体激光器。第III主族氮化物半导体的一个典型的例子是氮化镓。第III主族氮化物半导体注重于发光二极管或用于发出一个蓝色激光的一种激光二极管。作为用于大容量的光盘的一个光源来说激光二极管光受到重视。近年来，已经作出了作为写目的光源的高输出激光二极管的积极开发。为应用于光盘，需要一种精密的或高控制的束点，其中横向模式的控制是重要的。此外，当光盘的传送速度被增加时高频率性能也是重要的。为了改善高...
【技术保护点】
一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，所述方法包括步骤： 形成一个基于氮化物半导体的非晶体层； 蚀刻至少一部分所述非晶体层以形成部分蚀刻的非晶体层；和 结晶所述部分蚀刻的非晶体层以形成一部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。
【技术特征摘要】
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