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日本电气株式会社专利技术
日本电气株式会社共有10116项专利
充电器制造技术
一种充电器,能在二次电池未被连接的情况下避免输出端短路的可能性,并能防止使用除专用的二次电池之外的二次电池。充电器包括:电池充电控制装置,该装置用于通过输出端子向预定的二次电池提供充电电流;和输出切断装置,该装置用于当预定的二次电池未被...
充电和馈电控制方法及充电和馈电设备技术
本发明公开了一种充电和馈电设备,通过根据负载设备的负载状态而改变电流控制电路的电流设置以试图降低电流控制电路的热消耗。监控电路监控负载设备的当前负载状态。电极控制电路基于监控电路获得的当前负载状态数据,而通过所述电流控制电路控制由所述直...
便携式电子设备和移动通信终端制造技术
一种便携式电子设备和移动通信终端,无论用于对其中所安装的蓄电池充电的充电器类型如何,在被充电时,它们的表面温度并不升高。当具有作为热源的无线电部分并且使用安装于其中的电池包作为电源而工作的蜂窝电话单元在安装上电池包的状态中被连接到外部馈...
充电控制电路、充电控制方法及设有该电路的电子机器技术
本发明通过温度传感器(42)检测出携带电话机(40)主体或周围的温度,在该温度为对应于二次电池(54)的适当范围的下限值以上且低于给定的基准值时,将第1电流值的充电电流供给该二次电池(54),在该温度为适当范围的上限值以下且为基准值以上...
用于便携式电话终端的充电控制设备和充电控制方法技术
本发明提供了移动电话终端充电控制装置和充电控制方法,其能够根据电池电压和用户的使用状况来控制电池的充电操作,防止移动电话终端中由伴随大量电流消耗的操作引起的发热。使用状态判断电路(111)判断足够的电压是否被从AC适配器(102)施加到...
燃料电池系统技术方案
根据本发明的观点,燃料电池系统包括:使用燃料发电的燃料电池;第一辅助电源;被连接在第一辅助电源上,检测第一辅助电源异常的保护电路;用于向燃料电池供给燃料的辅机;控制燃料电池和辅机动作的控制电路;根据来自第一辅助电源的电力驱动控制电路的第...
电源电路及照明系统技术方案
将发送Bluetooth或RFID等微弱电波的发送机或发送红外线的发送机或拍摄图像的摄影机等电气设备导入室内时,成本会提高。本发明以解决该问题为目的。由用于使照明装置的荧光灯点灯的电流产生的磁场取得能量,驱动发送Bluetooth或RF...
异常电流确定方法及电子设备技术
蜂窝电话1在开机之后测量电流值,并对测量值进行预定余量的加减,从而分别设置针对过电流和欠电流的确定阈值,即最小电流值和最大电流值。这里,预定余量包括作为标准的所需最小容差(B)、蜂窝电话1的电源电压的变化(E)、以及蜂窝电话1的操作温度...
可用于光缆的光纤壳体制造技术
本发明涉及一种可用于光缆的光纤壳体。该光纤壳体包括:主存放单元(10),水可以侵入到其内部;以及以螺旋方式存放在该主存放单元(10)中的电缆(1)。电缆(1)的一端从主存放单元(10)的一端延伸,而电缆(1)的另一端从主存放单元(10)...
用于形成第Ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件技术
一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法,包括以下步骤,形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前,蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层,从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。
Ⅲ族氮化物半导体发光器件制造技术
根据本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括:由Ⅲ族氮化物半导体构成的有源层(105);电流阻挡层(108),其在有源层(105)上形成且具有条形孔(108a);超晶格层(p型层109),其掩埋孔(108a)并且由包括Al的Ⅲ族氮化物半导体...
具有光信号输入输出机构的半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置,具有:印刷线路板(11),在该印刷线路板(11)上形成了连接到LSI芯片(17)和平面光元件(21)的电线(18),以及光波导(25)固定在该印刷线路板(11)上,该光波导(25)传导输入到所述平面光元件(21)的光和/...
光传输模块和光传输系统技术方案
本发明提供了光传输模块和光传输系统,其包括安装到支持单元的包括发光装置的多个组件,可以抑制由对发光装置和支持单元等进行温度调节的温度调节单元的顶面与底面间的温度差引起的形变并可以保持稳定的光学性能。为了该示范性目的,光传输模块包括:支持...
控制设备、激光器设备、波长转换方法和程序技术
本发明公开了一种控制设备、激光器设备、波长转换方法和程序,供对光输出执行相位调制的波长可调光源之用。所述波长转换方法使相位调制的幅度具有在波长转换期间暂时比非转换期间的相位调制量更大的幅度值。所以,在不耗费成本或时间的情况下可以防止由异...
光模块制造技术
本发明包括:把电信号转换成光信号和把光信号转换成电信号的光电转换元件103;以及与光电转换元件103电连接的光通信LSI 102。另外,本发明包括电导线衬底101,所述电导线衬底101包括其上用倒装芯片附加安装光电转换元件103和光通信...
波长可调光源、其控制方法和控制程序,以及光模块技术
本发明提供了波长可调光源、其控制方法和控制程序,以及光模块。当控制多个光变化部件以最小化多个光功率之和时,能在不增加装置尺寸等情况下提高光功率的检测精度。根据本发明的波长可调光源通过使用多重谐振器改变光波长,多重谐振器包括两个或更多个彼...
半导体激光组件制造技术
在一种半导体激光组件中包含有激光二极管芯片(1),安装有激光二极管芯片的金属基底(9’,9”)和珀尔帖元件(10),该元件的台片(11A)上用金属焊剂(12’)与金属基底(9’,9”)相连结。金属基底(9’,9”)是由其导热系数大于29...
具有珀尔帖器件的光电元件模块制造技术
一种光电元件模块包括光电元件、冷却光电元件的珀尔帖单元和封装该光电元件和帖尔帖单元的管壳。光电元件直接或通过一固定部件间接安装在珀尔帖单元的第一表面上。珀尔帖单元的第二表面通过接合结构与管壳的安装面接合,同时使珀尔帖单元能沿管壳的安装面...
自激脉冲半导体激光器制造技术
一种自激脉冲半导体激光器件具有包括一对金属覆层部分的金属覆层和夹在该对金属覆层部分之间的饱和吸收层和缓冲层。用于缓冲层的半导体材料具有在饱和吸收层和用于与缓冲层接触的金属覆层的半导体材料的价带能之间的中间价带能,从而减小在价带能图中形成...
一种半导体元件的生产方法技术
当通过MOVPE工艺在带有皱型光栅的InP基片上依次淀积上波导层的晶体层、隔离层、MQW层时,所采用的基片加热曲线使得基片温度在短时间内达到生长温度(如2分钟),此后的温度漂移稳定在±5℃之内。在铟元素开始发生质量转移前,开始生长InG...
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