【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于形成第III主族氮化物半导体层的方法以及一种第III主族半导体器件。为了更全面的描述与本专利技术有关的现有技术的状况，此后本专利技术中将引用和指认了专利，专利申请，专利公开，科学文章等等，因而，在此可以结合参考它们的全部内容。
技术介绍
第III主族氮化物半导体具有相当大的禁止带隙并允许在传导和价电子带之间的直接跃迁，为此，应用于短波长发光器件的第III主族氮化物半导体的应用已经正在积极地探究。此外，第III主族氮化物半导体具有相当大的饱和的电子漂移速度且还允许一个异质结结构以产生一种二维的运载气体。这些期望的特性将会吸引各种电子器件的应用。然而，第III主族氮化物半导体不适于微处理性或蚀刻控制性，尽管改进和增加第III主族氮化物半导体的微处理性或蚀刻控制性是实现第III主族氮化物半导体器件所期望的高性能不可缺少的。在此情况下，用于改进微处理的控制性或微蚀刻的重要性已经被增加。上面所提到的技术中需要解决的问题将在后面结合一些典型的光学器件的例子而进行详细描述，比如半导体激光器。第III主族氮化物半导体的一个典型的例子是氮化镓。第III主族...
【技术保护点】
一种形成基于氮化合物的半导体多层结构的方法，该方法包括步骤：在一个基底层上形成基于氮化合物半导体的非晶体层；至少在所述非晶体层上或在所述非晶体层中有氧气存在；选择地蚀刻所述非晶体层以形成至少一个开口，借此形成部分蚀刻 的非晶体层；和在存在氧气时结晶所述部分蚀刻的非晶体层，以便形成部分蚀刻的基于氮化合物的半导体晶体层，以及允许氧气的存在来抑制所述基于氮化合物半导体的至少一种类型的原子的质量交换；其中，所述部分蚀刻的基于氮化合物的半导体晶体层 的一氧引入区域具有至少为８Ｅ１８ｃｍ↑［－３］的氧浓度。
【技术特征摘要】
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