13族元素氮化物的制备方法以及熔液组合物技术

在包含13族元素和至少含有碱金属的助熔剂的熔液中，在含氮气体气氛下，制备13族元素氮化物结晶。以熔液中的助熔剂、13族元素以及碳的合计量为100原子％时，使碳量为0.005～0.018原子％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种13族元素氮化物的制备方法以及熔液组合物。
技术介绍
使用所谓的助熔剂法培养GaN结晶时，必须防止在熔液中发生杂乱的成核，使GaN生产率良好地生长。公开有如下内容:通过使熔液中的碳含量相对于碱金属助熔剂和金属镓、碳的总和为0.02?5原子％，防止熔液中的成核，促进无极性面的GaN结晶的生长(专利文献1:日本专利第4538596号)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4538596号专利文献2:日本特表2005 - 506271
技术实现思路
但是，本专利技术人发现在尝试通过专利文献1记载的培养方法培养GaN结晶时，得到的GaN结晶的厚度出现差异。GaN结晶的厚度在不同部位存在差异会导致以下问题。首先，因为GaN结晶通常是边导入熔液边三维生长，所以在结晶内部含有夹杂物。GaN结晶的厚度存在差异的情况下，通常在结晶内部过量地存在夹杂物。如果存在如此过量的夹杂物，则在对结晶表面进行研磨加工后，会成为孔穴而在表面露出，该部位无法作为产品使用。因此，无法提供大面积的结晶。第二个问题是几十?几百μ m的生长厚度差异容易在局部(特别是基板外周部)发生。对这样培养本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种13族元素氮化物结晶的制备方法，所述方法是在包含助熔剂和13族元素的熔液中，在含氮气体气氛下，制备13族元素氮化物结晶，所述助熔剂至少含有碱金属，其特征在于，以所述熔液中的所述助熔剂、所述13族元素以及碳的合计量为100原子％时，使碳量为0.005～0.018原子％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：平尾崇行，东原周平，今井克宏，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP