本技术涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种用于离子注入机的离子源拆装定位组件。本技术用于离子注入机的离子源拆装定位组件，包括：滑轨安装架，安装于所述离子注入机外壁，用于安装滑轨；滑轨，安装于所述滑轨安装架上；滑块，可拆卸的穿设于所述...

本技术涉及加热设备技术领域，具体公开了一种石墨棒加热装置，包括定位组件和导电组件；定位组件包括石墨棒和石墨瓣环，石墨棒设置有多个，多个石墨棒呈弧形间隔设置，且相邻两个石墨棒的端部之间通过石墨瓣环相连接；石墨瓣环上设置有定位块，定位块上开...

本发明涉及一种制造碳化硅复合衬底的方法，所述方法包括如下步骤：具有离子注入损伤层的碳化硅供体材料与半导体衬底材料键合，形成碳化硅复合结构；然后对碳化硅复合结构进行化学腐蚀，热处理后得到碳化硅复合衬底与碳化硅回收供体。离子注入损伤层的应力...

本发明涉及晶体测温技术领域，具体公开了一种温度测量装置，该温度测量装置包括底座、关节轴承、安装支架、第一调节螺钉和测温仪，其中，底座的一端设有调节环，调节环的周向设有若干调节孔；关节轴承设于底座的另一端；安装支架的一端穿过关节轴承的内圈...

本实用新型涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种用于吸附晶圆的静电吸附盘靶盘组件

本实用新型属于薄膜制备技术领域，公开了气相沉积装置，其包括：炉体、旋转轴、传动组件以及驱动件。炉体内具有炉腔，炉腔内具有供气流穿过的流道；旋转轴转动连接于炉腔内并垂直穿设于流道，旋转轴位于流道内的部分设有多个衬底；传动组件设置于炉体并与...

本实用新型提供一种复合半导体衬底结构，所述复合半导体衬底结构包括：支撑衬底、单晶硅层以及碳化硅层；所述单晶硅层设置于所述支撑衬底和碳化硅层之间；所述支撑衬底和单晶硅层之间设置有键合界面层；所述键合界面层的厚度为0nm～5μm，且不为0n...

本实用新型属于半导体设备技术领域，公开了一种晶圆托盘组件及键合设备。该晶圆托盘组件包括金属托盘、金属垫块和限位挡针，金属垫块设于金属托盘上，晶圆置于金属垫块上，金属垫块与晶圆接触的端面设有绝缘层；限位挡针通过安装座固定于金属托盘上，限位...

本发明属于半导体器件领域。本发明提供了一种AlScN薄膜衬底及其制备方法与应用，通过在生长衬底上先制备剥离层，再制备AlScN薄膜，在目标衬底上制备第一中间层，将第一中间层与AlScN薄膜进行键合，得到复合体；或在AlScN薄膜上制备与...

本实用新型提供了一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置，所述石墨坩埚包括外坩埚和内坩埚，所述外坩埚的内腔中容纳有所述内坩埚，所述外坩埚的内侧壁与所述内坩埚的外侧壁之间存在间隙，所述外坩埚和所述内坩埚的开口方向一致；所述外坩埚为等静压石墨外坩...

本发明提供了一种化学气相沉积装置和化学气相沉积方法，所述化学气相沉积装置包括反应腔体；所述反应腔体的底部设置有用于承托基片的样品台，所述样品台的顶面位于所述反应腔体的内腔中；所述反应腔体的顶面设置有电场装置，用于形成垂直于所述基片表面的...

本发明提供一种复合半导体衬底结构及其制备方法与应用，所述复合半导体衬底结构包括：支撑衬底、单晶硅层以及碳化硅层；所述单晶硅层设置于所述支撑衬底和碳化硅层之间；所述支撑衬底和单晶硅层之间设置有键合界面层；所述键合界面层的厚度为0nm～5μ...

本发明提供了一种雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法，所述雾化气相沉积装置包括沉积腔体；所述沉积腔体的底部设置有托盘，所述托盘的顶面位于所述沉积腔体的内腔中；所述沉积腔体的外侧壁设置有激光引入窗，所述激光引入窗远离所述沉积腔体的一侧设置有...

本发明提供了一种包含超声波发生器的雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法。所述雾化气相沉积装置包括壳体；所述壳体包括依次连接的整流段、反应段和排出段，所述整流段具有气流收束结构，所述排出段具有气流发散结构，所述反应段的顶面设置有超声波发生器...

本发明提供了一种真空紫外光辅助雾化气相沉积装置及雾化气相沉积方法。所述反应腔室开设有气体入口和气体出口，所述反应腔室通过所述气体入口连接有雾化装置；所述反应腔室的顶部设置有真空紫外透过窗，所述真空紫外透过窗远离所述反应腔室的一侧设置有真...

本实用新型提供了一种碳化硅籽晶托盘及晶体生长装置，所述碳化硅籽晶托盘包括用于承载碳化硅籽晶的托盘本体，所述托盘本体为中空结构，所述托盘本体的内部设置有气体分流板，所述气体分流板的表面分布有若干出气通孔；所述托盘本体上还设置有中空籽晶轴，...

本实用新型涉及气相沉积镀膜技术领域，尤其涉及一种蒸发装置及镀膜设备。该蒸发装置包括蒸发锅、补液组件以及载气组件，蒸发锅内沿其高度方向间隔设置有多个蒸发腔室，并且蒸发锅内部和各个蒸发腔室的外壁之间填充有均温液体，补液组件能够向每个蒸发腔室...

本发明提供一种碳化硅复合衬底的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：在供体衬底表面的碳化硅单晶层中预埋弱化层；将碳化硅衬底与所述碳化硅单晶层进行键合连接；施加应力使所述碳化硅单晶层沿所述弱化层断裂，得到剩余供体衬底以及碳化硅复合衬底；所述...

本实用新型属于半导体技术领域，公开一种晶圆抓取装置，包括支撑架组件、驱动组件和多个夹爪组件；支撑架组件包括支撑板；驱动组件连接支撑架组件；夹爪组件包括相互连接的弹性连杆机构和夹爪机构，多个夹爪机构相对设置，驱动组件通过弹性连杆机构驱动夹...

本发明提供了一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置及生长方法，所述石墨坩埚包括外坩埚和内坩埚，所述外坩埚的内腔中容纳有所述内坩埚，所述外坩埚的内侧壁与所述内坩埚的外侧壁之间存在间隙，所述外坩埚和所述内坩埚的开口方向一致；所述外坩埚的材质包括...