一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置及生长方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置及生长方法，所述石墨坩埚包括外坩埚和内坩埚，所述外坩埚的内腔中容纳有所述内坩埚，所述外坩埚的内侧壁与所述内坩埚的外侧壁之间存在间隙，所述外坩埚和所述内坩埚的开口方向一致；所述外坩埚的材质包括等静压石墨，所述内坩埚的材质包括模压石墨。本发明专利技术的内坩埚为生长碳化硅晶体的消耗品，其材质包括模压石墨，具有价格较低的优势，从而可降低生长碳化硅晶体的消耗成本；外坩埚的材质包括等静压石墨，具有高强度和高密度的优势，可以确保即使内坩埚发生泄漏，外坩埚仍然可以承载反应原料，提高了石墨坩埚的安全性。提高了石墨坩埚的安全性。提高了石墨坩埚的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置及生长方法


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置及生长方法。

技术介绍

[0002]碳化硅作为代表性的第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、工作温度高等优点，适用于新能源汽车、储能等领域。
[0003]顶部籽晶溶液法(TSSG)是生长SiC晶体的常见方法，CN105970295A公开了一种采用溶液法生长碳化硅晶体的装置，包括石墨坩埚、与上下运动机构连接的籽晶轴，石墨坩埚外设有保温层，石墨坩埚包括坩埚体、盖在坩埚体上端的坩埚盖，籽晶轴包括头部贴有籽晶的石墨轴，在坩埚体上端的内侧壁上对应于坩埚体与坩埚盖之间的缝隙处设有一沿坩埚体内侧壁周向设置的环槽，所述环槽开口向上，所述环槽的内侧边与坩埚体的内侧壁封闭连接，环槽的外侧边、底边、坩埚体的内侧壁共同形成下部封闭、开口向上的凹槽，坩埚体与坩埚盖之间的缝隙位于环槽内；在籽晶上部的石墨轴上同轴设置有一石墨遮罩，石墨遮罩为圆形平板或为开口向下的伞形结构或为一端封闭另一端敞口向下的筒形结构，石墨遮罩将贴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨坩埚，其特征在于，所述石墨坩埚包括外坩埚和内坩埚，所述外坩埚的内腔中容纳有所述内坩埚，所述外坩埚的内侧壁与所述内坩埚的外侧壁之间存在间隙，所述外坩埚和所述内坩埚的开口方向一致；所述外坩埚的材质包括等静压石墨，所述内坩埚的材质包括模压石墨。2.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于，所述内坩埚沿水平线分为第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分通过石墨胶连接；优选地，所述第一部分和所述第二部分的高度相同。3.根据权利要求1或2所述的石墨坩埚，其特征在于，所述外坩埚的内侧壁与所述内坩埚的外侧壁之间的间隙小于3mm；优选地，所述外坩埚的开口和所述内坩埚的开口之间的距离小于等于10mm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的石墨坩埚，其特征在于，所述外坩埚的侧壁厚度为5
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20mm；优选地，所述内坩埚的侧壁厚度为5
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20mm。5.一种碳化硅溶液法生长装置，其特征在于，所述碳化硅溶液法生长装置包括权利要求1
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4任一项所述的石墨坩埚、坩埚盖、籽晶杆和加热件；所述石墨坩埚的开口处设置有所述坩埚盖，所述坩埚盖上开设有孔，所述籽晶杆的底端通过孔伸入所述内坩埚的内腔中，所述籽晶杆的底端连接有籽晶托，所述籽晶托的底面设置有籽晶；所述石墨坩埚的外周设置有所述加热件。6.根据权利要求5所述的碳化硅溶液法生长装置，其特征在于，所述加热件包括感应加热线圈和/或电阻加热器。7.一种采用权利要求5或6所述的碳化硅溶液法生长装置生长碳化硅的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将碳化硅的原料加入内坩埚中，进行加热，得到原料液；(2)向靠近所述原料液的方向移动籽晶杆，使籽晶的底面位于所述原料...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秀松，郭超，母凤文，
申请(专利权)人：青禾晶元天津半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：