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本发明提供了一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置及生长方法，所述石墨坩埚包括外坩埚和内坩埚，所述外坩埚的内腔中容纳有所述内坩埚，所述外坩埚的内侧壁与所述内坩埚的外侧壁之间存在间隙，所述外坩埚和所述内坩埚的开口方向一致；所述外坩埚的材质包括等静...
该专利属于青禾晶元（天津）半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青禾晶元（天津）半导体材料有限公司授权不得商用。

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