一种雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法，所述雾化气相沉积装置包括沉积腔体；所述沉积腔体的底部设置有托盘，所述托盘的顶面位于所述沉积腔体的内腔中；所述沉积腔体的外侧壁设置有激光引入窗，所述激光引入窗远离所述沉积腔体的一侧设置有激光光源；所述沉积腔体开设有雾相入口和排气口，所述沉积腔体通过所述雾相入口连接有雾化装置；所述雾化装置包括雾化腔和用于盛放超声介质的底座，所述底座的底端设置有超声件。本发明专利技术引入激光光源为沉积反应过程提供能量，能实现无损伤或低损伤的低温化学气相沉积；同时，超声件直接接触超声介质，能够避免原料液对超声件的腐蚀，延长其使用寿命。延长其使用寿命。延长其使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法


[0001]本专利技术属于气相沉积
，涉及一种雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
[0003]CN114855145A公开了一种化学气相沉积炉，包括炉体、位于所述炉体内的石墨加热体、环绕于所述石墨加热体侧部的保温周套和位于所述石墨加热体底部下方的保温底托，所述保温周套和所述保温底托均位于所述保温炉体内。CN107604340A公开了一种化学气相沉积炉，其包括自下而上组装的用于盛放原料的一坩埚、配合坩埚使用的一坩埚盖、一沉积室、一收料盒、一导气管；所述坩埚盖上开设了连通坩埚和沉积室的若干第一通孔，所述收料盒上开设有连通沉积室和收料盒的一第二通孔，所述化学气相沉积炉还包括给坩埚加热的一第一加热器，所述收料盒内置一集尘室和盖设在集尘室上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种雾化气相沉积装置，其特征在于，所述雾化气相沉积装置包括沉积腔体；所述沉积腔体的底部设置有托盘，所述托盘的顶面位于所述沉积腔体的内腔中；所述沉积腔体的外侧壁设置有激光引入窗，所述激光引入窗远离所述沉积腔体的一侧设置有激光光源，所述激光光源发出的激光高于且平行于所述托盘的顶面；所述沉积腔体开设有雾相入口和排气口，所述沉积腔体通过所述雾相入口连接有雾化装置；所述雾化装置包括雾化腔和用于盛放超声介质的底座，所述底座为顶端开口的中空结构，所述底座的底端设置有超声件，所述超声件的部分位于所述底座的内腔中；所述雾化腔的底部位于所述底座的内腔中，所述雾化腔连通有气源。2.根据权利要求1所述的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述激光光源发出的激光与所述托盘的顶面之间的距离为100
‑
1500μm；所述激光光源发出的激光的波长为100
‑
1100nm；所述激光光源的功率为50
‑
1000W；所述托盘的内腔中设置有控温组件。3.根据权利要求1所述的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述沉积腔体的外侧壁开设有所述雾相入口和所述排气口，所述雾相入口和所述排气口均高于所述激光光源；所述激光光源发出的激光垂直于所述排气口的截面。4.根据权利要求1所述的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述雾化腔开设有载气进口和载气出口，所述载气进口与所述气源连通，所述载气出口与所述雾相入口连通；所述载气出口与所述雾相入口的连通管路上引出进气支路，所述进气支路的进气端连通有气体源；所述气源和所述气体源独立地包括氮气、氩气、氦气或氢气中的任意一种或至少两种的组合。5.根据权利要求1所述的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述超声件包括超声振子；所述超声件的频率为1
‑
10MHz。6.根据权利要求1所述的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述沉积腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：母凤文，郭超，
申请(专利权)人：青禾晶元天津半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：