陶瓷套环及气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种陶瓷套环及气相沉积设备；包括第一环以及套设在所述第一环外的第二环；所述第一环在第一端凸出外环表面设有第一凸起，所述第二环在第一端凸出内环表面设有与所述第一凸起相抵接的第二凸起；所述第一环的第一端与所述第一舟片相分离形成第一缝隙，且所述第一环的第二端与所述第二舟片相抵接；所述第二环的第一端与所述第一舟片相抵接，且所述第二环的第二端与所述第二舟片相分离形成第二缝隙；所述第二环的内侧壁与所述第一环的外侧壁之间形成与所述第二缝隙相通的第三缝隙；本实用新型专利技术中通过提供更加顺畅的气路，使得陶瓷套环内的气体导出的更加干净，从而使得气相沉积设备工作稳定。而使得气相沉积设备工作稳定。而使得气相沉积设备工作稳定。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷套环及气相沉积设备


[0001]本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种陶瓷套环及气相沉积设备。

技术介绍

[0002]气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程，在待成膜基板上形成薄膜，其可以分为化学气相沉积和物理气相沉积。
[0003]气相沉积设备通过在相对的两个电极片，电极片和电极片之间施加一定频率的电压，电极片和电极片通过隔离管隔离，从而可以在电极片和电极片之间产生电磁场，以使得气体在待成膜基板表面沉积。然而，在气相沉积设备使用了一段时间之后，会在隔离管表面也形成一层薄膜，若薄膜为导体或半导体薄膜，随着薄膜厚度的增加，电极片和电极片之间的阻抗会降低，甚至发生短路，使得气相沉积设备不稳定，气相沉积设备的沉积速率随着使用时间的增加而降低，特别是在高温环境下，半导体的电导率会迅速增大，这样会加剧沉积的稳定性，甚至使气相沉积设备无法正常工作，这将严重影响薄膜沉积的重复性，如专利号为CN211079329U的中国专利，公开了一种电极间隔离结构、气相沉积设备和石墨舟。尤其公开了内隔离管的外壁与外隔离管的内壁间隔设置，从而在两者之间形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷套环，设于第一舟片和第二舟片之间，其特征在于，所述套环包括第一环以及套设在所述第一环外的第二环；所述第一环与所述第二环均具有第一端和第二端，所述第一环在第一端凸出外环表面设有第一凸起，所述第二环在第一端凸出内环表面设有与所述第一凸起相抵接的第二凸起；其中，所述第一环的第一端与所述第一舟片相分离形成第一缝隙，且所述第一环的第二端与所述第二舟片相抵接；所述第二环的第一端与所述第一舟片相抵接，且所述第二环的第二端与所述第二舟片相分离形成第二缝隙；所述第二环的内侧壁与所述第一环的外侧壁之间形成与所述第二缝隙相通的第三缝隙。2.根据权利要求1所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第一环上设有第一通孔，以使所述第二缝隙与所述第一环的内腔连通。3.根据权利要求2所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第一通孔的数量至少设置有一个。4.根据权利要求1所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第二环上设有第二通孔，以使所述第一缝隙与所述第二环的外腔连通。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张开江，冯垠洁，陆勇，孙海晨，钟文兵，
申请(专利权)人：理想晶延半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：