降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置制造方法及图纸

技术编号:37810676 阅读:10 留言:0更新日期:2023-06-09 09:40
本实用新型专利技术涉及石英管处理技术领域,且公开了降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,包括插入圆盘,所述插入圆盘的侧面设置有辅助压合装置,所述辅助压合装置的侧面设置有推动装置,所述辅助压合装置包括放置筒、限位环板、气囊、连接气管、限位推杆、压合弧板、气泵和气箱,所述放置筒固定连接于插入圆盘的右侧,所述限位环板固定连接于放置筒的右侧。该降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,通过设置有辅助压合装置,使得压合弧板也靠近石英管内壁的方向移动,直至与非晶硅内膜层接触,并压合非晶硅内膜层,降低非晶硅内膜层的厚度,使得非晶硅内膜层在安装时每次使用后维护时也比较方便,在使用时的效果好。在使用时的效果好。在使用时的效果好。

【技术实现步骤摘要】
降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置


[0001]本技术涉及石英管处理
,具体为降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置。

技术介绍

[0002]现有的LPCVD多晶硅系统在开始淀积时石英管管壁上未淀积保护层,当管壁上所淀多晶硅薄膜的累计厚度大于5.5u时只要遇上一个较大的温度变化,石英管的较高温区部位就会产生极深的碎裂纹致使管壁损坏无法继续使用。即使用时尽量注意使该系统温度保持在淀积温度,要处理前我们采用48小时缓慢降温,由于应力作用也会使石英管壁产生许多裂纹,用酸处理也是极其困难的、这样重复不了几次石英管也会报废。
[0003]现有的装置为了增加石英管的使用寿命,会在内部增设非晶硅内膜层,但是常规的非晶硅厚度较大,在安装时每次使用后维护时不方便,在使用时的效果不好,需要对此进行改进。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,包括插入圆盘,所述插入圆盘的侧面设置有辅助压合装置,所述辅助压合装置的侧面设置有推动装置。
[0006]所述辅助压合装置包括放置筒、限位环板、气囊、连接气管、限位推杆、压合弧板、气泵和气箱,所述放置筒固定连接于插入圆盘的右侧,所述限位环板固定连接于放置筒的右侧,所述气箱固定连接于放置筒的内左侧,所述气泵固定连接于气箱的右侧,所述连接气管固定连接于气泵的右侧,所述气囊固定连接于放置筒的内左侧,所述限位推杆固定连接于气囊远离连接气管一端,所述压合弧板固定连接于限位推杆的表面。
[0007]优选的,所述推动装置包括连接推杆、推动放置板和推动拿持座,所述连接推杆固定连接于插入圆盘的右侧,所述推动放置板固定连接于连接推杆的表面。
[0008]优选的,所述限位环板的内部开设有限位圆孔,所述限位圆孔的孔径与限位推杆的直径适配,通过设置有限位圆孔,由于限位圆孔的设置,使得限位推杆贴合限位环板的内部滑动,推动稳定。
[0009]优选的,所述限位推杆滑动连接于限位环板的内部,通过设置有限位推杆,能够推动压合弧板靠近石英管内壁的方向移动,直至与非晶硅内膜层接触,并压合非晶硅内膜层,能够降低非晶硅内膜层的厚度。
[0010]优选的,所述连接气管、限位推杆和压合弧板的数量均为四个,四个所述连接气管、限位推杆和压合弧板等间距分布在气箱的右侧。
[0011]优选的,所述连接气管远离气泵一端固定连接于气囊的表面,通过设置有连接气
管,在启动气泵后可以输送气体到连接气管中,然后通入气囊中。
[0012]优选的,所述推动放置板的数量为两个,所述推动拿持座固定连接于左侧所述推动放置板的右侧,通过设置有推动放置板,能够放置右侧的推动拿持座,且能够连接固定在连接推杆表面,方便拿持。
[0013]与现有技术相比,本技术的有益效果是:
[0014]1、该降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,通过设置有辅助压合装置,使得压合弧板也靠近石英管内壁的方向移动,直至与非晶硅内膜层接触,并压合非晶硅内膜层,降低非晶硅内膜层的厚度,使得非晶硅内膜层在安装时每次使用后维护时也比较方便,在使用时的效果好。
[0015]2、该降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,通过设置有推动装置,在使用时,使用者可以握住推动拿持座,然后将插入圆盘对准并将插入圆盘插入石英管内,且连接推杆和推动放置板能够增加装置的长度使得推入石英管的深度更长,确保能够作用在石英管内部的任意一处。
附图说明
[0016]图1为本技术整体立体正视结构示意图;
[0017]图2为本技术图1中A处放大结构示意图;
[0018]图3为本技术整体立体侧视结构示意图;
[0019]图4为本技术图3中B处放大结构示意图。
[0020]图中:1、插入圆盘;2、辅助压合装置;201、放置筒;202、限位环板;203、气囊;204、连接气管;205、限位推杆;206、压合弧板;207、气泵;208、气箱;3、推动装置;301、连接推杆;302、推动放置板;303、推动拿持座。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1

4,本技术提供以下技术方案:
[0023]降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,包括插入圆盘1,插入圆盘1的侧面设置有辅助压合装置2,辅助压合装置2的侧面设置有推动装置3。
[0024]辅助压合装置2包括放置筒201、限位环板202、气囊203、连接气管204、限位推杆205、压合弧板206、气泵207和气箱208,放置筒201固定连接于插入圆盘1的右侧,限位环板202固定连接于放置筒201的右侧,气箱208固定连接于放置筒201的内左侧,气泵207固定连接于气箱208的右侧,连接气管204固定连接于气泵207的右侧,气囊203固定连接于放置筒201的内左侧,限位推杆205固定连接于气囊203远离连接气管204一端,压合弧板206固定连接于限位推杆205的表面,限位环板202的内部开设有限位圆孔,限位圆孔的孔径与限位推杆205的直径适配,通过设置有限位圆孔,由于限位圆孔的设置,使得限位推杆205贴合限位环板202的内部滑动,推动稳定,限位推杆205滑动连接于限位环板202的内部,通过设置有
限位推杆205,能够推动压合弧板206靠近石英管内壁的方向移动,直至与非晶硅内膜层接触,并压合非晶硅内膜层,能够降低非晶硅内膜层的厚度,连接气管204、限位推杆205和压合弧板206的数量均为四个,四个连接气管204、限位推杆205和压合弧板206等间距分布在气箱208的右侧,连接气管204远离气泵207一端固定连接于气囊203的表面,通过设置有连接气管204,在启动气泵207后可以输送气体到连接气管204中,然后通入气囊203中。
[0025]推动装置3包括连接推杆301、推动放置板302和推动拿持座303,连接推杆301固定连接于插入圆盘1的右侧,推动放置板302固定连接于连接推杆301的表面,推动放置板302的数量为两个,推动拿持座303固定连接于左侧推动放置板302的右侧,通过设置有推动放置板302,能够放置右侧的推动拿持座303,且能够连接固定在连接推杆301表面,方便拿持。
[0026]在使用时,使用者可以握住推动拿持座303,然后将插入圆盘1对准石英管的内壁,并将插入圆盘1插入石英管内,向内推动,且连接推杆3本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,包括插入圆盘(1),其特征在于:所述插入圆盘(1)的侧面设置有辅助压合装置(2),所述辅助压合装置(2)的侧面设置有推动装置(3);所述辅助压合装置(2)包括放置筒(201)、限位环板(202)、气囊(203)、连接气管(204)、限位推杆(205)、压合弧板(206)、气泵(207)和气箱(208),所述放置筒(201)固定连接于插入圆盘(1)的右侧,所述限位环板(202)固定连接于放置筒(201)的右侧,所述气箱(208)固定连接于放置筒(201)的内左侧,所述气泵(207)固定连接于气箱(208)的右侧,所述连接气管(204)固定连接于气泵(207)的右侧,所述气囊(203)固定连接于放置筒(201)的内左侧,所述限位推杆(205)固定连接于气囊(203)远离连接气管(204)一端,所述压合弧板(206)固定连接于限位推杆(205)的表面。2.根据权利要求1所述的降低非晶硅单次厚度的LPCVD石英管寿命延长装置,其特征在于:所述推动装置(3)包括连接推杆(301)、推动放置板(302)和推动拿持座(303),所述连接推杆(301)固定连接于插入圆盘(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:高昂洪布双韦新松张勇
申请(专利权)人:江苏中清先进电池制造有限公司
类型:新型
国别省市:

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