【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高温工艺的具有独立面板的混合式喷头
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年9月17日申请的美国临时申请No.63/079,530的利益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
[0002]本公开总体上涉及衬底处理系统,且更具体而言涉及用于高温工艺的具有独立面板的混合式喷头。
技术介绍
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
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部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]原子层沉积(ALD)是一种薄膜沉积方法,其顺序地实施气体化学工艺以在材料的表面(例如,诸如半导体晶片的衬底的表面)上沉积薄膜。大多数ALD反应使用两种称为前体(反应物)的化学物质,它们以一种顺序的、自限的方式一次使一种前体与材料的表面发生反应。通过反复暴露于不同的前体,薄膜逐渐沉积在材料表面上。
[0005]热ALD(T
‑
ALD)在加 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理室的喷头,所述喷头包含:金属板,其附接于所述处理室;陶瓷面板,其附接于所述金属板,并且在面向衬底的表面上包含多个气体出口;以及金属环,其围绕所述陶瓷面板,并且附接于所述处理室。2.根据权利要求1所述的喷头,其中所述陶瓷面板具有小于所述金属板的直径。3.根据权利要求1所述的喷头,其中所述金属环的外径与所述金属板的直径相同。4.根据权利要求1所述的喷头,其中,与所述金属板的直径和所述金属环的外径相比,所述陶瓷面板具有较小的直径。5.根据权利要求1所述的喷头,其中所述金属环的内边缘接触所述陶瓷面板的外边缘。6.根据权利要求1所述的喷头,其中:所述陶瓷面板包含从所述陶瓷面板的基底部分向外径向延伸的第一凸缘;所述金属环包含从所述金属环的内边缘向内径向延伸的第二凸缘;并且所述第二凸缘悬垂在所述第一凸缘上。7.根据权利要求1所述的喷头,其中所述金属环附接于所述金属板上。8.根据权利要求1所述的喷头,其中所述金属环与所述金属板集成在一起。9.根据权利要求1所述的喷头,其中:所述金属环接触所述金属板;且所述金属环包含凹陷部,其位于接触所述金属板的表面上。10.根据权利要求1所述的喷头,其中所述金属板包含凹陷部,其位于邻近于所述陶瓷面板的外边缘而与所述陶瓷面板接触的表面上。11.根据权利要求1所述的喷头,其中:所述金属环附接于所述金属板,并且包含在接触所述金属板的上表面上的第一凹陷部;并且所述金属板包含第二凹陷部,其位于邻近于所述陶瓷面板的外边缘而与所述陶瓷面板接触的下表面上。12.根据权利要求1所述的喷头,其中所述金属板包含歧管,其经由所述陶瓷面板的外边缘和所述金属环的内边缘而与所述处理室流体连通。13.根据权利要求1所述的喷头,其中:所述金属板包含歧管;并且介于所述金属环与所述陶瓷面板之间的接口控制从所述处理室至所述歧管的废气的流动。14.根据权利要求1所述的喷头,其中所述金属板包含:歧管,其与所述处理室流体连通;以及出口,其与所述歧管流体连通以从所述处理室排放气体。15.根据权利要求1所述的喷头,其中:所述金属板包含歧管;并且所述歧管包含与所述处理室流体连通的多个通孔。16.根据权利要求15所述的喷头,其中:所述歧管接收惰性气体;并且
所述惰性气体经由所述多个通孔流入所述处理室中。17.根据权利要求15所述的喷头,其中所述歧管经由所述多个通孔接收来自所述处理室的废气。18.根据权利要求1所述的喷头,其中:所述金属板包含歧管;所述歧管的第一部分排放来自所述处理室的第一气体;并且所述歧管的第二部分将第二气体供给至所述处理室。19.根据权利要求1所述的喷头,其中:所述金属板包含歧管、与所述歧管的第一部分连接的出口、以及与所述歧管的与所述第一部分分隔开的第二部分连接的入口;第一组孔洞,其在所述歧管的所述第一部分中,以经由所述出口排放经由在所述陶瓷面板与所述金...
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