【技术实现步骤摘要】
一种蒸发装置及镀膜设备
[0001]本技术涉及气相沉积镀膜
,尤其涉及一种蒸发装置及镀膜设备。
技术介绍
[0002]气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程,在工件表面形成功能性的金属、非金属或化合物涂层。化学气相沉积是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其他气体引入沉积室,在工件表面发生化学反应生成薄膜的过程。
[0003]涂层的沉积速度与蒸汽的流量相关,蒸汽的流量越大,沉积室内的沉积气流越稳定,涂层的沉积速度越快,涂层沉积的均匀性越好。蒸发装置是利用传统发泡装置,通过载气携带蒸发装置内蒸发的蒸汽直接进入沉积室内。由于蒸发装置内液态反应剂的蒸发速度主要受液体温度、液面表面积以及蒸发腔内空气流动速度的影响,液体的温度越高,液面的表面积越大,蒸发腔内空气的流动速度越大,蒸发速度越快,产生的蒸汽量越大。现有的蒸发装置为了增大蒸发量,通常增大蒸发腔的体积,但是大大增加了整个装置的占地面积,从而导致厂房空间利用率低。
[0004]因此,亟需一种蒸发装置及镀膜设备,以解决上述问题。<
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种蒸发装置,其特征在于,包括:蒸发锅(1),所述蒸发锅(1)内沿其高度方向间隔设置有多个蒸发腔室(11),并且所述蒸发锅(1)内部和各个所述蒸发腔室(11)的外壁之间填充有均温液体(12);补液组件(2),所述补液组件(2)能够向每个所述蒸发腔室(11)内通入待蒸发液体;以及载气组件(3),所述载气组件(3)包括进气管路(31)以及排气管路(32),每个所述蒸发腔室(11)的进气口(111)均与所述进气管路(31)相导通,所述进气管路(31)被配置为向每个所述蒸发腔室(11)内通入载气,每个所述蒸发腔室(11)的排气口(112)均与所述排气管路(32)相导通,所述排气管路(32)被配置为将每个所述蒸发腔室(11)内的蒸汽和所述载气排出。2.根据权利要求1所述的蒸发装置,其特征在于,所述补液组件(2)包括:补液管路(21),每个所述蒸发腔室(11)的进液口(113)均与所述补液管路(21)相导通,所述补液管路(21)被配置为向每个所述蒸发腔室(11)内通入所述待蒸发液体;以及排液管路(22),每个所述蒸发腔室(11)的排液口(114)均与所述排液管路(22)相导通,所述排气管路(32)能将每个所述蒸发腔室(11)内所述待蒸发液体排出,并且每个所述蒸发腔室(11)的所述排液口(114)和所述进液口(113)均低于对应腔室内的所述进气口(111)和所述排气口(112)。3.根据权利要求2所述的蒸发装置,其特征在于,所述补液管路(21)包括补液主管(211)以及多个补液分支管(212),每个所述补液分支管(212)的一端均与所述补液主管(211)相导通,另一端与对应的所述蒸发腔室(11)的所述进液口(113)相导通;所述排液管路(22)包括排液主管(221)以及多个排液分支管(222),每个所述排液分支管(222)的一端均与所述排液主管(221)相导通,另一端与对应的所述蒸发腔室(11)的所述排液口(114)相导通;每个所述补液分支管(212)上均设置有第一开关阀(213),每个所述排...
【专利技术属性】
技术研发人员:姜耀天,郭超,母凤文,
申请(专利权)人:青禾晶元天津半导体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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