一种包含超声波发生器的雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种包含超声波发生器的雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法。所述雾化气相沉积装置包括壳体；所述壳体包括依次连接的整流段、反应段和排出段，所述整流段具有气流收束结构，所述排出段具有气流发散结构，所述反应段的顶面设置有超声波发生器，所述反应段的底部设置有样品放置台，所述样品放置台的顶面位于所述反应段的内腔中，所述样品放置台和所述超声波发生器正对设置；所述整流段和所述排出段分别开设有入口和出口，所述整流段通过所述入口连接有雾化机构，所述雾化机构连接有载气源。本发明专利技术在雾化气相沉积装置中增添超声波发生器，能实现无损伤或低损伤的低温化学气相沉积。气相沉积。气相沉积。

【技术实现步骤摘要】
一种包含超声波发生器的雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法


[0001]本专利技术属于气相沉积
，涉及一种包含超声波发生器的雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
[0003]CN102181845A公开了一种化学气相沉积炉，包括炉本体、炉体提升机构、炉盖提升机构、三级过滤系统、真空系统、加热器，加热器包括上区加热体、中区加热体、下区加热体；炉本体采用立式、内热式结构，包括炉盖、上炉体、下炉体、炉底。CN104342631B公开了一种化学气相沉积炉，其包括：炉体；上炉盖，设置在炉体上部，与炉体密封且可拆装式固定连接；下炉盖，设置在炉体下部，与炉体密封可拆装式固定连接；以及下炉盖升降机构，与下炉盖固定连接，以使下炉盖在脱开固定的炉体后带动下炉盖降落以进行下出料、以及带动出料后的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包含超声波发生器的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述雾化气相沉积装置包括壳体；所述壳体包括依次连接的整流段、反应段和排出段，所述整流段具有气流收束结构，所述排出段具有气流发散结构，所述整流段的小尺寸端对接所述反应段的输入端，所述反应段的输出端对接所述排出段的小尺寸端；所述反应段的顶面设置有超声波发生器，所述反应段的底部设置有样品放置台，所述样品放置台的顶面位于所述反应段的内腔中，所述样品放置台和所述超声波发生器正对设置；所述整流段和所述排出段分别开设有入口和出口，所述整流段通过所述入口连接有雾化机构，所述雾化机构连接有载气源。2.根据权利要求1所述的包含超声波发生器的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述超声波发生器的发射端与所述样品放置台的顶面的距离为2
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20mm；所述样品放置台的顶面与所述反应段的内腔顶面之间的距离为0.5
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5mm；所述超声波发生器的频率为20
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1000kHz；所述超声波发生器的功率为20
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200mW/cm2。3.根据权利要求1所述的包含超声波发生器的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述样品放置台与所述超声波发生器同轴设置；所述样品放置台的内腔中设置有控温组件。4.根据权利要求1所述的包含超声波发生器的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述整流段连接有至少1个所述雾化机构；所述雾化机构包括雾化室；所述雾化室包括外壳，所述外壳开设有载气进口和载气出口，所述载气进口与所述载气源连通，所述载气出口与所述壳体的入口连通；所述载气出口与所述入口的连通管路上引出进气支路，所述进气支路的进气端连通有气体源；所述载气源和所述气体源独立地包括氮气、氩气、氦气或氢气中的任意一种或至少两种的组合。5.根据权利要求4所述的包含超声波发生器的雾化气相沉积装置，其特征在于，所述外壳的底部设置有第一超声组件，所述第一超...

【专利技术属性】
技术研发人员：母凤文，郭超，
申请(专利权)人：青禾晶元天津半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：